Actualités informatiques du 10-01-2013

La DDR4, qui succèdera à la DDR3 sur la plateforme serveur Haswell-EX l'an prochain, et un peu plus tard du côté desktop, commence à se montrer. Lors de notre passage chez Micron/Crucial, nous avons ainsi pu observer une plateforme DDR4 fonctionnelle. Il s'agissait d'un système de test fourni par Intel, sans plus de précisions, et qui permet un monitoring avancé des modules mémoire.

La DDR4, que nous avions décrite plus en détail ici, est prévue avec des débits qui commenceront à 1600 MT/s ("1600 MHz") et monteront selon Crucial jusqu'à 3200 MT/s, voire plus, probablement avec une petite augmentation de la tension. Face à de la mémoire DDR3 qui atteint également des débits importants, l'intérêt principal de la DDR4 proviendra dans un premier temps de sa tension inférieure (1.2V contre 1.5V pour la DDR3 et 1.35V pour la DDR3L) et de diverses autres optimisation destinées à réduire la consommation. Un peu plus tard une variante basse consommation de la DDR4 verra également le jour avec une tension de 1V, 1.05V ou 1.1V, Crucial précisant que des discussions autour de cette tension étaient toujours en cours.


La démonstration, avec mémoire ECC, se limitait à un débit de 2133 MT/s, le maximum autorisé par la plateforme fournie par Intel, mais Crucial nous a précisé que dans ses labos le débit maximal actuellement défini par le JEDEC, 2400 MT/s, ne posait pas de soucis sur ces modules qui pouvaient par ailleurs fonctionner à 2600 MT/s.

Petite particularité du format DIMM DDR4, illustré ici dans sa version grand public, sans ECC, les extrémités de son connecteur sont biseautées. Crucial explique que ce détail était important compte tenu de la densité plus élevée des pins et du placement plus central du détrompeur, sans quoi la pression exercée lors du montage devenait trop forte.


La DDR3 en haut et la DDR4 en bas.

Alors qu'aucun chipset AMD ne propose la gestion du PCI Express Gen 3.0 sur plate-forme AM3+, ASUS a annoncé lors du Computex une carte mère 990FX utilisant cette norme, la Sabertooth 990FX/GEN3.0 R2.0. Comment est-ce possible ? Voyons ce qui dit le manuel pour ces slots :


La conclusion est assez simple. Sur les 32 lignes Gen 2.0 du 990FX, 16 sont câblées en direct sur le x16_2, sinon il serait inactif pour certaines configurations ce qui n'est pas le cas. Les 16 autres arrivent sur un switch de type PEX 8747 (visible en tant que "PCIe 3.0 chip" sur le schéma de la carte). A partir de ces 16 lignes Gen 2.0, ce switch ressort … 32 lignes Gen 3.0 ! 16 vers le X16_1, et 16 vers le X16_3 (ou 8 vers X16_3 et 8 vers X16_4 en cas de Tri-SLI/CFX).

Le lien entre le PEX et le 990FX est donc à 8 Go /s, alors que le lien entre le PEX et les slots PCI-E est, cumulé, à 32 Go /s … une bande passante qui est donc inutilisable et qui rend ces ports "Gen 3.0" inutiles. Bref, du bon gros marketing qui tache !

Crucial profite du CES pour dévoiler une nouvelle gamme de SSD dénommée M500 qui a la particularité de combiner la Flash NAND MLC IMFT 20nm, déjà utilisée par Intel avec la série 335, avec le contrôleur Marvel 88SS9187, mis en place par Plextor dans les M5 Pro. Cette mémoire Flash 20nm permet à Crucial de tirer les coûts vers le bas, de quoi pouvoir proposer un modèle 960 Go à moins de 600$ soit environ 550 € TTC.

Des capacités de 120 Go, 240 Go et 480 Go sont également prévues, Crucial ayant fait le choix d'un OP supplémentaire contrairement au M4 (respectivement 8, 16 et 32 Go sur ces versions, 64 Go sur la version 1 To). On ne sait pas ce qui a motivé ce choix, est-ce pour une meilleure tenue des performances en l'absence de TRIM ou pour contre-carrer une endurance plus faible de la MLC 20nm par rapport à la 25nm (elles sont pourtant censées être identiques) ?. En tout cas les chiffres d'endurance sont très conservateurs puisque Crucial annonce quelque soit le modèle 72 To d'écriture, un chiffre équivalent à celui des Crucial M4 128/256/512 Go. C'est certes 40 Go par jour pendant 5 ans mais cela ne fait par exemple que l'équivalent de 72 cycles sur le modèle le plus gros ... !

Les M500 existeront dans les formats mSATA et M.2 en plus du 2.5", mais seul ce format aura droit à la version 960 Go. Notez qu'en 2.5", l'épaisseur du SSD est de 7mm mais un adaptateur est prévu pour passer à 9.5mm, ce qui est nécessaire pour certains portables. Le débit séquentiel en lecture pourra atteindre 500 Mo/s alors qu'il sera de 130 Mo/s à 400 Mo/s en écriture suivant les capacités.


Si on compare le M500 au M4 niveau performances on remarque des gains notables en écritures sur la version 480 Go par rapport au M4 512 Go, alors que les lectures aléatoires sont en hausse sur toutes les capacités. Côté écriture aléatoire, les gains sont notables dès la version 240 Go. Attention toutefois, certains chiffres officiels du M4, notamment pour la lecture aléatoire des versions 64 et 128 Go, sont en fait sous-estimés par rapport à la pratique ce qui rend la comparaison difficile.

Il est clair par contre que le Crucial M500 120 Go offrira un débit nettement inférieur au M4 128 Go en écriture, alors que ce sera proche sur la capacité supérieure et en faveur du M500 au-delà. Ceci s'explique probablement par le fait que le M500 intègre moins de die Flash du fait d'une capacité unitaire supérieure de ceux-ci, ce qui limite donc les possibilités d'écritures en parallèle. En effet les M4 64 et 128 Go utilisaient des die 32 Gb, alors qu'en 20nm la capacité minimale est de 64 Gb.


Crucial insiste sur la fiabilité de ces nouveaux SSD qui sont équipés de condensateurs pour permettre l'écriture des données présentes dans le cache en cas de coupure de l'alimentation. Les M500 sont également équipés d'un contrôle de la température : une fois la limite de 65 °C atteinte, les performances seront limitées jusqu'à redescendre à 55 °C. Notez que les M500 seront également commercialisés auprès des intégrateurs sous la marque Micron

C'est en tout cas le message qu'Intel essaie de faire passer à l'occasion du CES au travers d'une présentation rapportée par nos confrères d'AnandTech  à laquelle nous n'avons pas pu assister.

A ma gauche, on retrouve une machine avec un Haswell équipé de l'iGPU le plus performant de la gamme, à savoir le GT3 accompagné d'une mémoire DRAM au sein du même packaging que le CPU, dénommée GT3e.

A ma droite, une machine équipée d'un GeForce GT 650M de Nvidia, sans plus de précisions. DDR3 ou GDDR5 ? Ce n'est pas précisé… ce qui signifie probablement qu'il s'agit de la version DDR3 qui est tout de même déjà 2.5 à 3x plus rapide que le HD Graphics 4000 (cf. notre dossier sur le sujet).

Le tout exécute Dirt3 avec des détails de qualités identiques (High quality, mais sans AA) avec des performances qui a défaut d'être communiquées sont annoncées comme "très similaires" par nos confrères.

Vu l'écart précédemment indiqué entre GT 650M et HD Graphics 4000, cela va dans le même sens que cette présentation qui parlait d'un gain pouvant atteindre x3. Attention toutefois, le choix de ce jeu et de ces réglages n'est certainement pas innocent et on peut s'attendre à des cas moins favorables.

Il n'en reste pas moins que les capacités de ce GT3e semblent intéressantes et devraient mettre à mal les GPU Mobiles d'entrée voire milieu de gamme, pour peu que son positionnement tarifaire ne soit pas exagéré par le géant de Santa Clara.

AMD se devra également d'apporter des gains significatifs à l'iGPU de son APU Richland si il ne veut pas se faire rattraper voire dépasser côté iGPU, l'actuel Trinity étant par exemple près de deux fois plus rapide que l'HD Graphics 4000 sous F1 2011 qui utilise un moteur proche de celui de Dirt 3 (en moyenne il est 62% plus rapide).

Pour rappel, les Haswell avec l'iGPU le plus performant (GT3/GT3e) seront réservés aux portables. Un GeForce GT 650M DDR3 est proche d'une GT 640 desktop en terme de performances.

Plextor a montré à l'occasion du CES un prototype de son SSD 2.5" SATA faisant appel à de la mémoire TLC. Il devrait être disponible en versions 128, 256 et 512 Go, avec des caches respectifs en DDR3 de 256, 512 et 768 Mo.

Côté contrôleur Plextor utilisera un Marvell 88SS8189, une nouveauté probablement dérivée du 88SS8187 utilisée sur le M5 Pro. Pour la NAND TLC la photo du SSD permet de voir qu'il s'agit de TLC fabriquée par Toshiba.


Les débits en lecture varient entre 530 et 540 Mo /s alors que les lectures aléatoires grimpent à 80K IOPS pour 72K IOPS en écriture aléatoire. L'écriture séquentielle varie avec la capacité, elle est de 360, 450 et 465 Mo /s en version 128, 256 et 512 Go.

Des chiffres assez élevés puisque le M5 Pro en MLC est à 330, 460 et 470 Mo /s et que la TLC est à la fois moins endurante et moins performante que la MLC. Plextor ou Toshiba auraient-ils trouvés une parade ? Rendez-vous dans quelques mois pour en avoir le cœur net.

3DMark Next, dont nous vous avons déjà parlé à plusieurs reprises, a pris un petit peu de retard. Prévu pour la rentrée, puis pour la fin de l'année, il est toujours en cours de finalisation, la raison étant liée principalement à l'arrivée de nouveaux acteurs dans les partenaires de Futuremark, tels que Qualcomm et Samsung. Cela prend bien entendu plus de temps de prendre en compte les remarques de tous les acteurs du monde mobile que de se contenter de travailler avec AMD, Intel et Nvidia.

Nous avons pu observer la composante Ice Storm du benchmark en action sur plusieurs périphériques mobiles qui représentent une partie de la diversité du marché. Rappelons qu'Ice Storm utilise le niveau de fonctionnalité 9_x de DirectX 11.1 pour Windows 8 et Windows RT et OpenGL ES 2.0 pour Android et iOS.

Si nous ne pouvons pas vous communiquer de chiffres de performances, compte tenu du fait qu'il pourrait y avoir de petits changements, nous pouvons cependant vous donner notre impression. L'un des périphériques illustré ci-dessus était nettement plus rapide : le smartphone Nexus 4 de Google. Ce dernier est équipé d'un SoC Qualcomm Snapdragon S4 Pro qui embarque un GPU Adreno 320 très performant. Il était suivi par l'Ipad, les 2 tablettes équipées en Tegra 3 (Surface RT et Nexus 7) étant loin derrière. De quoi pouvoir envisager un rude combat entre les futurs Tegra 4 et Snapdragon S600/S800 ?

Notez que Futuremark nous a précisé que son benchmark en version Windows RT sera limité au test Ice Storm dans un premier temps, mais pourra être mis à jour quand des SoC qui supporteront un niveau de fonctionnalité suffisant pour pouvoir exécuter les tests de niveaux DirectX 10 et DirectX 11 seront disponibles. Des versions de ces tests plus avancés arriveront également sur Android et iOS dès que l'évolution d'OpenGL ES le permettra.