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3D NAND en 2015 chez Intel / Micron

Tags : 3D NAND; IMFT; Intel; Micron;
Publié le 21/11/2014 à 16:17 par / source: The Tech Report
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Lors d'une conférence destinée aux investisseurs, Intel a dévoilé quelques informations sur sa prochaine génération de NAND 3D qui verra le jour en 2015. Le constructeur prévoit une densité par die de 256 Gbits en MLC, le double des puces "2D actuelles" et quasi 3x plus que la dernière génération de V-NAND Samsung 40nm qui atteint 86 Gbits en MLC.


Pour ce faire Intel, qui travaille sur le sujet avec Micron au sein de leur joint-venture IMFT, utilise probablement une finesse de gravure plus fine puisque dans les deux cas le nombre de couches est de 32. On ne connait par contre pas la taille du die en comparaison de celui de Samsung, mais Intel met en avant une percée en termes de coût de production par rapport à la V-NAND Samsung. Ce dernier devrait toutefois répondre au second semestre 2015 avec une nouvelle génération de V-NAND.


Intel profite de cette densité accrue pour annoncer qu'il serait possible d'obtenir une capacité de stockage de 1 To sur seulement 2mm de hauteur, logiquement en empilant 32 de ces die, et qu'il sera également possible d'utiliser ce type de puce pour atteindre des capacités supérieures à 10 To des SSD (professionnels, même si ce n'est pas précisé).

Les autres constructeurs ont également dans leur carton de la NAND 3D, mais il faudra a priori attendre 2016 chez SanDisk/Toshiba comme chez Hynix.

OCZ Vertex 460A, MLC Toshiba A19 et garantie ShieldPlus

Publié le 18/11/2014 à 08:38 par
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OCZ continue de décliner son contrôleur Barefoot 3 avec cette fois le Vertex 460A. Par rapport au Vertex 460, on passe de mémoire Toshiba 19nm à la "A19nm", une mémoire plus petite et moins onéreuse à produire puisque chaque cellule mémoire fait 19x19.5 nm au lieu de 19x26 nm auparavant.


Les performances sont pour leur part inchangées par rapport à la version précédente avec selon la capacité (120, 240 ou 480 Go) 530 à 545 Mo /s en lecture, 420 à 525 Mo /s en écriture, 80 à 95K IOPS en lecture et 90K IOPS en écriture. Si OCZ met en avant la vitesse soutenue même en l'absence de TRIM en écriture aléatoire (12, 21 et 23K IOPS selon la capacité), il omet par contre de parler de sa technique qui fait que le débit en écriture séquentiel ne peut être maintenu dans les mêmes conditions sur l'intégralité du SSD, au contraire de bon nombre de SSD concurrents.

Le Vertex 460A est accompagné d'une licence pour Acronis True Image HD, d'un adaptateur 3.5" et de 3 ans de garantie "ShieldPlus". Inaugurée avec l'ARC 100 et le Radeon R7, cette garantie est utilisable avec seulement le numéro de série et permet de bénéficier en cas de panne d'un SSD neuf qui vous sera envoyé par OCZ avant le renvoi du SSD défectueux, le renvoi de ce dernier étant par ailleurs gratuit. Avec cette garantie d'un niveau inédit dans le domaine du SSD, OCZ tente de se racheter de ses erreurs passées et de prendre un nouveau départ dans le giron de Toshiba. Précisons toutefois que la meilleure garantie est celle qui restera inutilisée !

Corsair Neutron XT, Phison S10 + Toshiba A19

Publié le 17/11/2014 à 16:35 par
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Corsair lance une nouvelle gamme de SSD, les Neutron XT. Alors que les Neutron et Neutron GTX utilisaient un contrôleur LM87800 de Link_A_Media Devices, une société rachetée par Hynix, cette fois c'est un PS3110-S10 de Phison.


Ce n'est pas la première collaboration entre Corsair et Phison puisque le Corsair Force LS, annoncé en août 2013, utilisait un PS3108-S8. Mais on se souvient surtout de Phison pour le contrôleur PS3105 qui était utilisé sur les Crucial V4 et offrait des performances médiocres.

Depuis Phison est monté en gamme et le dernier S10 est un contrôleur moderne intégrant 4 cœurs, disposant d'un chiffrement AES 256 compatible TCG OPAL 2.0 et capable d'assurer la récupération des données via l'utilisation d'une parité.

Au sein des Corsair Neutron XT le Phison S10 est couplé à de la mémoire MLC A19nm, avec des die 64 Gb sur les versions 240 et 480 Go et 128 Gb en 960 Go. Les performances annoncées par Corsair sont de 560 Mo /s et 540 Mo /s en lecture et écriture séquentielle, avec jusqu'à 100 000 et 90 000 IOPS en lecture et écritures aléatoires 4K. La garantie sera de cinq ans sur ces SSD qui seront disponibles à partir du mois de décembre.

Samsung reconnait un problème pour les 840

Publié le 30/10/2014 à 13:50 par
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Bonne nouvelle pour les possesseurs de SSD 840 ! Après avoir corrigé le bug de performances des 840 EVO qui pour rappel entrainait une chute des performances en lecture, Samsung avait tout d'abord nié que ce problème concernait également ses séries 840 « classiques » (des SSD équipés de TLC tout comme les 840 EVO) alors que de nombreux rapports d'utilisateurs indiquaient le contraire.


Changement de ton aujourd'hui puisque le constructeur a confirmé à nos collègues de ComputerBase avoir identifié également un problème de performances en lecture sur le 840. Le constructeur indique travailler sur un correctif et espère proposer une solution le plus rapidement possible. La marque confirme également que ses modèles 840 Pro et 850 Pro - parce qu'ils utilisent des technologies différentes - ne sont pas concernés.

Le Samsung 840 EVO corrigé, pas le 840

Publié le 15/10/2014 à 14:00 par
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Si Samsung a mis en ligne le correctif tant attendu pour les performances en lecture des 840 EVO ce matin, les utilisateurs de l'autre SSD en mémoire TLC du constructeur, le 840, sont pour le moment laissés pour compte.


Le Samsung 840 semble en effet affecté par un problème du même type comme en atteste les tests effectués par des utilisateurs, ce message sur Overclock.net en répertorie quelques-uns. Pourtant la communication officielle de Samsung va jusqu'à complètement nier le problème, comme en atteste cet extrait d'une Q&A fournie à des confrères anglophones qui ont eu accès au Samsung SSD 840 EVO Performance Restoration Software il y a quelques jours :
Does this problem affect the 840? 830? 840 PRO?
No. The problem only occurs on the 840 EVO.
Les nombreux possesseurs de 840 apprécieront.


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