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Deux petits contrôleurs Marvell pour SSD

Tag : Marvell;
Publié le 10/12/2014 à 16:52 par
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Marvell lance deux nouveaux petits contrôleurs pour SSD, les 88NV1120 et 88NV1140. Fabriqués en 28nm, ils ne mesurent que 8x8mm et sont destinés à des SSD au format réduit, par exemple en M.2 2230 (30mm de longueur) voir même à des SSD au format BGA intégrant la NAND au sein d'un même packaging.


Dans l'optique d'un format de SSD des plus réduit ils ne font pas appel à une puce DRAM externe mais se limitent à leur SRAM intégrée pour l'optimisation des performances, sans que la taille de cette dernière ne soit communiquée. Ces contrôleurs intègrent deux processeurs Cortex R5 et sont capable de gérer un contrôle de parité sur la Flash.

Alors que le 88NV1120 supporte une interface SATA 6 Gb/s (600 Mo /s), le 88NV1140 utilise un lien PCIe Gen3 x1 (1 Go /s) et peut fonctionner en AHCI comme en NVMe, il s'agit d'ailleurs du premier contrôleur NVMe sans DRAM externe. Côté Flash ont dispose dans les deux cas de deux canaux NAND pouvant fonctionner en ONFI 3 ou Toggle 2.0, ils disposent probablement d'une largeur de 8 bits on peut donc atteindre, si les die de NAND connectés suivent la cadence, 800 Mo /s.

S'il s'agit ici de contrôleurs d'entrée de gamme, Marvell est également présent sur le haut de gamme puisqu'il a lancé en août le 88SS1093 qui dispose cette fois de 8 canaux et qui gère le PCIe Gen3 en x4. A l'instar des SandForce SF-3700 on ne trouve toutefois pas de SSD dans le commerce l'utilisant.

Samsung lance son 850 EVO en V-NAND TLC

Publié le 08/12/2014 à 16:47 par
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Samsung lance officiellement son Samsung 850 EVO, testé entre autre par nos confrères d'AnandTech. Pour rappel ce SSD attendu depuis quelques mois déjà utilise à l'instar du 850 PRO de la mémoire Flash V-NAND 40nm 32 couches, mais cette fois non plus en mode MLC (2 bits par cellule via 4 niveaux de tension) mais TLC (3 bits par cellule via 8 niveaux de tension).


Le Samsung 850 EVO est décliné en versions 120, 250, 500 Go et 1 To. Dans tous les cas on trouve au sein du SSD des puces intégrant 8 die de 128 Gbit, avec au total une à huit puces selon la capacité. La DRAM, de type LPDDR2, varie entre 256 et 1 Go selon le modèle alors que seule la version 1 To dispose d'un contrôleur 3 cœurs, les versions inférieures utilisant un contrôleur à deux cœurs.

Du côté des performances annoncées on est au limite du SATA 6 Gb/s avec 540 Mo /s en lecture et 520 Mo /s en écriture. Attention toutefois ce débit en écriture est obtenu en partie grâce au cache TurboWrite qui utilise selon la version 9 à 36 Go de mémoire TLC pour disposer de 3 à 12 Go de mémoire SLC très rapide. Une fois ce cache rempli, le débit en écriture est de 150, 300, 500 et 520 Mo /s sur les versions 120, 250, 500 et 1 To.

En lecture 4K aléatoire le Samsung 850 EVO est à 10K IOPS en QD1 et 94 à 98K IOPS selon la capacité en QD32, en écriture on obtient 40K IOPS en QD1 dans le cache TurboWrite, 33K IOPS hors TurboWrite. En QD32 on est à 88 à 90K IOPS dans le cache TurboWrite, mais on retombe à 35K et 66K IOPS sur les versions 120 et 250 Go alors que les SSD 500 Go et 1 To seraient capable de maintenir le même niveau de performances.

Au-delà des performances c'est bien entendu de l'endurance qu'on attendait la V-NAND TLC et de ce côté on n'est pas déçu puisque les Samsung 850 EVO sont garantis 5 ans avec des endurances respectives annoncées à 75 To pour les versions 120 et 250 Go et 150 To pour les versions 500 Go et 1 To.

Comme d'habitude il ne s'agit ici que d'un chiffre pessimiste avec une amplification en écriture élevée, et les données SMART relevées lors des tests par AnandTech montrent que Samsung a validé les cellules pour 2000 cycles d'écritures (de quoi atteindre 2000 To sur la version 1 To donc en conditions optimales !), soit le double de celles d'un Samsung 840 EVO. Un Samsung 850 Pro est pour sa part annoncé à 150 To quelle que soit sa capacité, avec une endurance à 6000 cycles d'après son réglage SMART contre 3000 pour un Samsung 840 Pro.

La V-NAND TLC ne semble donc pas avoir à rougir devant la MLC que ce soit du côté des performances comme de l'endurance, avec un gros avantage qui est celui de la densité puisque Samsung annonce l'avoir doublé par rapport à de la mémoire TLC 19nm classique. Attention cela ne veux pas dire que le coût de production est inférieur, la V-NAND étant probablement nettement plus chère à produire à densité égale... mais de ce côté nous n'en sauront pas plus.

Finalement la seule déception se situe côté tarif, puisque les prix annoncés outre-Atlantique sont les suivant :

- 100$ en version 120 Go
- 150$ en version 250 Go
- 270$ en version 500 Go
- 500$ en version 1 To

Si les 20% de plus par rapport aux Samsung 840 EVO sont justifiés, le problème c'est que Samsung n'est pas seul au monde... et que le 840 EVO n'était pas très bien placé face au Crucial MX100 qui est encore moins cher. Le 850 EVO aura pour lui la garantie de 5 ans et une endurance officielle accrue sur la version 500 Go (le MX100 n'existe pas en 1 To, il est annoncé à 72 To d'endurance quelle que soit la capacité alors qu'elle est logiquement 4 fois supérieure en passant de 128 à 512 Go), mais est-ce suffisant ? Quoi qu'il en soit nous verrons bien quels seront les prix réellement pratiqués lorsque les 850 EVO arriveront sur les étalages, ce qui devrait arriver dans les prochaines semaines.

Test d'endurance de SSD, le point à 2 Pétaoctets

Publié le 05/12/2014 à 08:42 par
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Nos confrères de The Tech Report continuent leur test d'endurance débuté en août 2013. Pour rappel, 5 SSD sont soumis depuis lors à des volumes importants d'écriture :

- Corsair Neutron GTX 240 Go
- Intel 335 240 Go
- Kingston HyperX 3K 240 Go
- Samsung 840 250 Go
- Samsung 840 Pro 256 Go

Lors du dernier point que nous avions fait après 1 Po, les Kingston HyperX 3K, Intel 335 et Samsung 840 avaient craqué à environ 728, 750 et 900 To (mais après deux lots d'erreurs incorrigibles pour le Samsung 840, dont une dès 300 To). Depuis le Corsair Neutron GTX 240 Go a également rendu les armes après 1200 To de données écrites.


Reste deux SSD en course, le Samsung 840 Pro ainsi qu'un second Kingston HyperX 3K sur lequel ce sont des données partiellement compressibles par le contrôleur SandForce qui sont écrites – le SSD a ainsi écrit 1400 To en Flash. On note donc au passage une forte variabilité entre deux échantillons. Ces deux SSD ont aujourd'hui atteint les 2000 To de données écrites par le système, sans compression côté Samsung, et un test de rétention de 10 jours n'a pas posé de problème.

Dans le détail alors que l'indicateur SMART d'usure du 840 Pro a atteint son maximum après un peu plus de 400 To, le SSD n'a pas vraiment touché à son stock de Flash en réserve avant les 600 To et en a utilisé 60% à ce jour (8 Go). Sur le même rythme il pourrait ne plus en avoir vers 3000 To.


De son côté l'Hyper 3K est en fin de vie d'après son indicateur SMART depuis qu'il a dépassé 900 To (soit un peu plus de 600 To écrits en Flash), c'est à ce moment qu'il a d'ailleurs commencé à avoir des secteurs réalloués. Le phénomène reste toutefois limité puisque ce ne sont que 124 Mo de Flash qui ont été consommés par ce biais. Il a par contre subit deux erreurs incorrigibles entre 900 et 1000 To (600-700 To en Flash), mais n'en a pas subit depuis.

3D NAND en 2015 chez Intel / Micron

Tags : 3D NAND; IMFT; Intel; Micron;
Publié le 21/11/2014 à 16:17 par / source: The Tech Report
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Lors d'une conférence destinée aux investisseurs, Intel a dévoilé quelques informations sur sa prochaine génération de NAND 3D qui verra le jour en 2015. Le constructeur prévoit une densité par die de 256 Gbits en MLC, le double des puces "2D actuelles" et quasi 3x plus que la dernière génération de V-NAND Samsung 40nm qui atteint 86 Gbits en MLC.


Pour ce faire Intel, qui travaille sur le sujet avec Micron au sein de leur joint-venture IMFT, utilise probablement une finesse de gravure plus fine puisque dans les deux cas le nombre de couches est de 32. On ne connait par contre pas la taille du die en comparaison de celui de Samsung, mais Intel met en avant une percée en termes de coût de production par rapport à la V-NAND Samsung. Ce dernier devrait toutefois répondre au second semestre 2015 avec une nouvelle génération de V-NAND.


Intel profite de cette densité accrue pour annoncer qu'il serait possible d'obtenir une capacité de stockage de 1 To sur seulement 2mm de hauteur, logiquement en empilant 32 de ces die, et qu'il sera également possible d'utiliser ce type de puce pour atteindre des capacités supérieures à 10 To des SSD (professionnels, même si ce n'est pas précisé).

Les autres constructeurs ont également dans leur carton de la NAND 3D, mais il faudra a priori attendre 2016 chez SanDisk/Toshiba comme chez Hynix.

OCZ Vertex 460A, MLC Toshiba A19 et garantie ShieldPlus

Publié le 18/11/2014 à 08:38 par
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OCZ continue de décliner son contrôleur Barefoot 3 avec cette fois le Vertex 460A. Par rapport au Vertex 460, on passe de mémoire Toshiba 19nm à la "A19nm", une mémoire plus petite et moins onéreuse à produire puisque chaque cellule mémoire fait 19x19.5 nm au lieu de 19x26 nm auparavant.


Les performances sont pour leur part inchangées par rapport à la version précédente avec selon la capacité (120, 240 ou 480 Go) 530 à 545 Mo /s en lecture, 420 à 525 Mo /s en écriture, 80 à 95K IOPS en lecture et 90K IOPS en écriture. Si OCZ met en avant la vitesse soutenue même en l'absence de TRIM en écriture aléatoire (12, 21 et 23K IOPS selon la capacité), il omet par contre de parler de sa technique qui fait que le débit en écriture séquentiel ne peut être maintenu dans les mêmes conditions sur l'intégralité du SSD, au contraire de bon nombre de SSD concurrents.

Le Vertex 460A est accompagné d'une licence pour Acronis True Image HD, d'un adaptateur 3.5" et de 3 ans de garantie "ShieldPlus". Inaugurée avec l'ARC 100 et le Radeon R7, cette garantie est utilisable avec seulement le numéro de série et permet de bénéficier en cas de panne d'un SSD neuf qui vous sera envoyé par OCZ avant le renvoi du SSD défectueux, le renvoi de ce dernier étant par ailleurs gratuit. Avec cette garantie d'un niveau inédit dans le domaine du SSD, OCZ tente de se racheter de ses erreurs passées et de prendre un nouveau départ dans le giron de Toshiba. Précisons toutefois que la meilleure garantie est celle qui restera inutilisée !


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