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Intel et Micron annoncent aussi leur 3D NAND

Tags : 3D NAND; Intel; Micron;
Publié le 27/03/2015 à 13:32 par
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Après l'annonce de Toshiba hier, Micron et Intel ont également annoncés leur version de mémoire NAND verticale, également appelée plus généralement 3D NAND.

Le principe de base de la 3D NAND est de changer la structure des cellules mémoires en transformant la structure planaire classique en une structure verticale que l'on empiler pour augmenter massivement la densité (plus de détails ici. En contrepartie, les fabricants utilisent des processus de fabrications plus anciens (40 nm par exemple pour la V-NAND de Samsung), mieux maitrisés ce qui permet d'envisager des perspectives d'évolution pour les années à venir.

 
 

Intel et Micron - comme Toshiba hier - n'ont pas été très précis sur le process de fabrication utilisé, même si l'on croit lire entre les lignes qu'il s'agit de 50nm. Par rapport à la NAND 50nm, la 3D NAND d'Intel augmente par 16 la densité (et par 2 par rapport à la NAND dernière génération). On retrouve chez Intel et Micron 32 couches superposées (identique a Samsung, 48 pour Toshiba) ce qui se concrétise par une densité de 256 Gbits pour des dies MLC, et 384 Gbits pour des dies TLC. Un pas en avant important en densité, pour rappel, la V-NAND TLC de première génération de Samsung ne propose « que » 128 Gbits (tout comme l'annonce de Toshiba d'hier). Samsung devrait entre cependant proposer sous peu de nouvelles densités.

Des premiers échantillons ont été produits et les deux sociétés devraient lancer la production en volume au quatrième trimestre, indiquant que les SSD 3D NAND dans les deux sociétés arriveront plutôt en 2016. En pratique, Intel et Micron annoncent pouvoir atteindre avec ces puces 3.5 To dans un format M.2, et 10 To dans un format 2.5 pouces. Pour atteindre cette densité, les sociétés empilent 16 dies dans un même package.

3D NAND 48 couches chez Toshiba

Publié le 26/03/2015 à 14:54 par
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Toshiba vient d'annoncer avoir produit des puces mémoires flash (NAND) à construction verticale (souvent appelée 3D NAND) à 48 couches. Pour rappel, en 2007 Toshiba avait été le premier à produire une technologie de mémoire ou l'organisation des cellules se fait non plus de manière horizontale comme traditionnellement, mais cette fois ci de manière verticale.


La mémoire NAND traditionnelle au milieu en haut peut être empilée (Stack), la stratégie classique que l'on voit à droite, ou bien transposée verticalement (le chemin de gauche) pour réaliser une structure appelée BiCS par Toshiba qui peut être vue comme le pendant du FinFET pour la NAND

En 2007, Toshiba ne précisait pas le nombre de couches qu'il avait réussi à superposer dans sa structure mais évoquait dans son communiqué de presse le nombre de 32 pour expliquer les difficultés de l'empilement. Presque huit années après, le constructeur indique aujourd'hui avoir produit des puces 48 couches de 128 Gbits (16 Go) qui sont disponibles dès aujourd'hui sous la forme d'échantillons.

Toshiba indique également qu'il commercialisera cette mémoire à partir de 2016, elle sera fabriquée en volume dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon. En 2014, Toshiba avait annoncé remplacer cette ancienne usine par une nouvelle qui serait capable de produire de la mémoire NAND classique et « 3D » à compter de 2016. Le communiqué de la marque indique que la Fab2 devrait être durant la première moitié de 2016.

Cette structure de mémoire permet théoriquement d'augmenter fortement la densité même si pour l'instant, il faut se contenter de puces 128 Gbits pour ce premier échantillon. On rappellera que si Toshiba a été pionnier de cette technologie, Samsung avait été le premier à lancer la production de sa propre version de mémoire NAND verticale, baptisée V-NAND en 2013. Si l'agencement technique semblait légèrement différent du BiCS de Toshiba (voir notre article), le principe de base reste le même.

Cette V-NAND s'est ainsi retrouvée dans les SSD 850 Pro du constructeur sous la forme de puces fabriquées dans un process 40 nanomètres et empilant 32 couches. De son côté, si Toshiba met en avant l'empilement de 48 couches, on ne connait pas encore la finesse de gravure qui sera utilisée. Plus de détails seront probablement dévoilés d'ici à l'année prochaine. Pour le reste de la concurrence, Intel et Micron devraient proposer leur version 3D NAND 32 couches au second semestre 2015, tandis qu'il faudra attendre 2016 pour Hynix.

Kingston lance ses SSD HyperX Predator M.2

Publié le 25/03/2015 à 14:18 par
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Le constructeur Kingston vient d'annoncer la disponibilité de ses nouveaux SSD PCI Express HyperX Predator. Au format M.2, ces disques avaient été présentés lors du dernier CES.

 
 

Ces disques utilisent un contrôleur Marvell 88SS9293 qui s'interface en PCI Express 2.0 x4. Outre la compacité du format M.2, l'interfaçage direct par le PCI Express permet de dépasser les limites du SATA 6 Gbps, l'HyperX Predator annonçant des débits maximums de 1.4 Go/s en lecture et 1 Go en écriture.

Ces disques sont disponibles nus, ou avec une carte optionnelle adaptatrice PCI Express/M.2. Comme indiqué dans notre actualité du CES, seuls les modèles 240 et 480 Go sont introduits aujourd'hui, un modèle 960 Go suivra un peu plus tard. Côté prix, il faudra compter 280 euros pour le modèle 240 et près de 600 pour le modèle 480 Go, la carte adaptatrice engendrant un surcoût d'une cinquantaine d'euros environ.

OCZ lance le Vector 180

Publié le 25/03/2015 à 12:09 par
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Présenté au Computex l'année dernière puis de nouveau au CES, le nouveau SSD d'OCZ, le Vector 180, est officiellement lancé aujourd'hui.


Techniquement les caractéristiques de ce SSD sont proches de celles du Vector 150 avec un contrôleur Indilinx Barefoot 3 mêlé toujours à de la mémoire flash MLC Toshiba en 19nm, la révision mémoire changeant pour de la « A19nm » (Advanced 19nm), la seconde génération de mémoire flash NAND de Toshiba qui réduit la taille des puces d'environ 17%. Le disque introduit également des condensateurs afin de pouvoir sauver la mapping table qui est stockée dans la mémoire du contrôleur en cas de perte de courant et éteindre proprement le disque.

Pour le reste on retrouve des capacités théoriques identiques à celles du Vector 150, à savoir 550 et 530 Mo/s respectivement en lecture et écriture séquentielles pour les modèles 240 et 480 Go (seulement 450 Mo/s en écriture pour le modèle 120 Go). Un modèle 960 Go est également présenté, il diffère par l'utilisation de puces NAND de 128 Gbit (contre 64 pour les trois capacités inférieures).

Les premiers tests (chez nos confrères de Tech Report ou Anandtech) montrent un niveau de performance équivalent, voir légèrement au-dessus de ce que propose le Vector 150.

Côté prix les modèles sont annoncés respectivement 90, 150, 275 et 500 dollars pour les quatre capacités (120, 240, 480 et 960 Go) avec une garantie de cinq années.

Test d'endurance SSD, clap de fin à 2.4 Pétaoctets

Publié le 13/03/2015 à 10:03 par
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En août 2013, nos confrères de The TechReport ont lancé un test d'endurance sur 5 modèles de SSD, un sacerdoce qui aura duré 18 mois :

- Corsair Neutron GTX 240 Go
- Intel 335 240 Go
- Kingston HyperX 3K 240 Go
- Samsung 840 250 Go
- Samsung 840 Pro 256 Go

Le Kingston était présent deux fois dans le test, le premier étant testé avec des données incompressibles et l'autre avec des données compressibles. Les Kingston HyperX 3K, Intel 335, Samsung 840 et Corsair Neutron GTX ont craqué à environ 728, 750, 900 et 1200 To de données écrites, mais après deux lots d'erreurs incorrigibles pour le Samsung 840, dont une dès 300 To.


Il ne restait que le Samsung 840 Pro et le Kingston HyperX avec une charge compressible en course lors du dernier point à 2 Pétaoctets, mais ils ont également rendu les armes. Le second HyperX est mort après une coupure du courant qui a eu lieu alors qu'il en était à 1500 To d'écritures en Flash (pour 2100 To demandées par le système), soit un peu plus du double du premier exemplaire ce qui est la preuve d'une grande variabilité même si le SSD a subi deux erreurs incorrigibles à environ 750 To. Après cette coupure le disque est devenu inaccessible.

Dernier SSD en lice, le Samsung 840 Pro s'est pour sa part éteint après 2400 To écrits. Il en était alors à plus de 7000 secteurs ré-alloués soit 10,7 Go de Flash tout de même, seuls 20% des blocs en réserve étaient encore disponibles. C'est un peu après 400 To que la durée de vie officielle du SSD, visible via l'information SMART wear leveling count, a été atteinte mais ce n'est qu'au-delà de 700 To que les blocs ont commencé à être ré-alloués en masse avant donc d'atteindre cette panne à 2400 To. L'amplification en écriture étant très faible vu que la charge est purement séquentielle, ces chiffres correspondent respectivement à environ 1500, 2700 et 9300 cycles d'écritures.


Bien entendu vu la taille de l'échantillon et la variabilité de ce genre de test il n'est pas opportun de tirer de conclusions individuelles, néanmoins ce test démontre si il le fallait encore que ces SSD sont capables d'encaisser des volumes d'écritures bien supérieurs à ceux nécessaires pour un usage standard, ce dernier se situant à 10-20 Go par jour soit 18 à 36 To sur 5 ans. L'endurance n'est toutefois pas la seule problématique que doivent gérer les SSD modernes et leur Flash, pour preuve le souci de performance en lecture sur des données anciennes sur les Samsung 840 n'est pas mis en évidence par ce genre de test.


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