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OCZ lance le Trion 150

Tags : OCZ; Toshiba;
Publié le 03/02/2016 à 11:25 par
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OCZ lance officiellement le Trion 150 qu'il avait déjà présenté lors du CES. Successeur direct du Trion 100, il se distingue principalement par un changement de NAND puisque si on reste en TLC Toshiba on passe du 19 au 15nm, une première. Rappelons que s'il est vendu sous la marque OCZ, c'est la maison mère Toshiba qui est à l'origine de cette gamme de SSD - OCZ n'intervenant que pour les étapes de validation finales.

L'arrivée de la NAND 15nm devrait permettre à OCZ de positionner ce SSD de manière encore plus agressive, il sera décliné en versions 120, 240, 480 et 960 Go et toujours associé à une garantie ShieldPlus de 3 ans qui permet d'obtenir un échange anticipé et une prise en charge des frais de retour. Par rapport au Trion 100, l'endurance annoncée ne baisse pas malgré la finesse de gravure inférieure et on est à des niveaux largement suffisants pour un usage classique.

Les performances annoncées sont également identiques à celles de son prédécesseur et donc élevées même en écriture, mais pour ce faire il fait appel à l'artifice désormais habituel sur les SSD d'entrée de gamme qui consiste à avoir un "cache SLC" qui permet d'avoir une zone mémoire plus rapide en écriture. Sur le Trion 100 ce cache avait une capacité équivalente à 1.5% du SSD, soit 3.6 Go sur le 240 Go, il est probable qu'il en soit de même sur le Trion 150. Sur Trion 100, hors du cache le débit descendait à 120 Mo /s sur les versions 240, 480 et même 960 Go, mais lors du CES OCZ a parlé d'un débit qui serait désormais à 180 Mo /s dans un tel cas sur le Trion 150 bien qu'aucune mention n'en soit faite dans les spécifications.

Les Trion ne sont pour rappel pas les seuls SSD affectés par ce grand écart en écritures, c'est aussi le cas des Crucial BX200 qui tombent même sous les 100 Mo /s avec une taille de cache similaire ! Les Sandisk Ultra II sont également touchés mais dans une moindre mesure, leur cache étant quasiment 3x plus grand et le débit en écriture restant supérieur à 200 Mo /s à partir du modèle 240 Go. Le Samsung 850 EVO reste pour sa part le SSD en TLC le plus apte à encaisser de grosses écritures rapidement puisque s'il dispose d'un tel cache, avec une capacité réduite comme chez OCZ et Crucial, hors de ce dernier les performances sont identique à partir de la version 500 Go alors qu'on tombe à 300 Mo /s en version 250 Go.

Bref, si pour un usage classique le Trion 150 fera l'affaire comme les autres SSD en TLC, il ne faut pas perdre de vue que ses spécifications masquent des écarts qui peuvent être importants pour des usages plus intensifs en écriture.

CES: OCZ Trion 150 et RevoDrive 400 en 15nm

Tags : CES 2016; OCZ; Toshiba;
Publié le 18/01/2016 à 04:39 par
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OCZ mettant en avant au CES deux futurs SSD basés autour de la NAND Toshiba 15nm, en version TLC pour le Trion 150 et en version MLC pour le RevoDrive 400.


Ce 15nm de Toshiba a pour avantage de proposer la densité actuellement la plus élevée sur le marché, tout du moins pour des puces de type "planaires". Les NAND 3D peuvent en effet faire mieux même si Toshiba indique être compétitif par rapport à la V-NAND de Samsung. De quoi permettre de tirer vers le bas le prix au Go des SSD.


Le Trion 150 est le successeur direct du Trion 100 avec pour évolution principale le passage de la TLC A19nm à la TLC 15nm. Les spécifications officielles ne changent pas avec 550 et 530 Mo/s annoncés en lectures/écritures séquentielles (tant qu'elles se font dans le cache SLC) et OCZ parle toujours d'un contrôleur Toshiba sans donner plus de détails.

Pour rappel, sur le Trion 100 ce contrôleur est probablement un Phison 10 renommé avec un firmware personnalisé par Toshiba. OCZ n'a pas pu nous indiquer s'il s'agissait exactement du même contrôleur, mais parle d'un débit qui aurait été doublé de 90 à 180 Mo/s lorsque les écritures séquentielles se font en dehors du cache SLC.

Tout comme son prédécesseur, le Trion 150 sera décliné en versions 120, 240, 480 et 960 Go avec des tarifs encore plus agressifs. La disponibilité est prévue pour le premier trimestre et ces SSD seront accompagnés d'une garantie ShieldPlus de 3 ans.


Ensuite, OCZ présente officiellement le RevoDrive 400, déjà aperçu lors de l'IDF. Au format M.2, interfacé en PCIe 3.0 4x et exploitant le protocole NVMe 1.1b, ce SSD embarque un contrôleur Toshiba (mais là aussi nous ne savons pas de quel contrôleur il s'agit réellement) associé à de la NAND Toshiba MLC 15nm. Des versions 128 Go, 256 Go, 512 Go et 1 To sont prévues pour ce premier trimestre avec une garantie ShieldPlus de 5 ans.

 
 

OCZ annonce des débits de 2400 Mo/s et de 1500 Mo/s en lectures et écritures séquentielles et jusqu'à 210 000 IOPS et 140 000 IOPS en lectures et écritures aléatoires. En pratique, sur le modèle 512 Go, nous avons pu observer près de 2700 Mo/s en lectures et près de 1600 Mo/s en écritures.

Concernant la surchauffe du contrôleur et donc un éventuel ralentissement des performances, OCZ indique qu'un simple pad thermique placé entre le contrôleur et le PCB de l'adaptateur PCI Express suffit à maintenir un niveau de performances maximal dans la majorité des situations.

Enfin, OCZ tient une nouvelle fois à insister sur le fait que la société a changé depuis sa réorganisation et son rachat par Toshiba. OCZ réexplique avoir fait table rase du passé, avoir fait de la fiabilité une priorité, avoir mis en place une garantie solide et avoir progressivement fignolé son utilitaire SSD Guru pour assurer un meilleur support et rassurer l'utilisateur.

Difficile de ne pas sentir une certaine frustration d'OCZ par rapport à des efforts qui tardent à porter leurs fruits sur certains marchés, comme en France où le consommateur a beaucoup de mal à oublier les errements passés. D'un côté la société comprend le ressentiment que peuvent avoir certains utilisateurs, mais d'un autre commence à s'impatienter face à cette longue traversée du désert.

Comme nous l'avons répondu à OCZ, en ce qui nous concerne, d'une part c'est une bonne chose que le consommateur n'ait pas la mémoire trop courte, et d'autre part un pas important dans la bonne direction serait de jouer la transparence par rapport aux contrôleurs exploités ainsi que par rapport aux débits réels en dehors du cache SLC, peu importe ce que communique ou ne communique pas la concurrence.

Samsung SSD 750 EVO : 3, 5 ou 6 ans de garantie

Publié le 01/12/2015 à 14:23 par / source: Hermitage Akihabara
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Nous vous avons déjà parlé du Samsung SSD 750 EVO il y a peu, une sorte de 850 EVO "light". L'annonce officielle du SSD au japon dévoile une caractéristique qui était inconnue jusqu'alors, à savoir que la garantie est variable. Alors que seules deux capacités, 120 et 250 Go, sont disponibles, ce sont en fait 6 déclinaisons qui sont lancées :

- MZ-750120B/IT
- MZ-750250B/IT
- MZ-750120B/ITG5
- MZ-750250B/ITG5
- MZ-750120B/ITG6
- MZ-750250B/ITG6


La différence se situe en fait au niveau de la garantie qui est de 3 ans pour les IT, 5 ans pour les ITG5 et 6 ans pour les ITG6. Reste à savoir si ces SSD débarqueront en Europe et quel sera l'impact des différentes garantie sur le tarif.

Samsung 750 EVO, un 850 EVO ''light''

Publié le 13/11/2015 à 10:25 par
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On trouve sur le site chinois de Samsung une nouvelle gamme de SSD dénommée 750 EVO. Déclinée en versions 120 et 250 Go, elle est basée comme les 850 EVO sur un contrôleur Samsung MGX associé ici à 256 Mo de DDR3 et bien entendu de la V-NAND TLC.


L'AES-256 est de la partie et les performances annoncées semblent du même ordre avec 540/520 Mo /s en lecture/écriture séquentielle et 94 à 97K IOPS en lecture aléatoire 4K QD32 et 88K IOPS en écriture. Attention toutefois comme d'habitude chez Samsung ces SSD intègrent le TurboWrite et les performances en dehors de ce cache ne sont pas mentionnée, elles sont peut-être inférieures à celles du 850 EVO.

La baisse est certaine pour deux autres points puisque la garantie est de 3 ans contre 5 pour le 850 EVO, alors que l'endurance annoncée est réduite à 35 To au lieu de 75 To. En contrepartie le 750 EVO devrait logiquement être moins onéreux, à l'instar du 650 qui était également une version allégée du 850 EVO.

Crucial lance les BX200 en TLC (MAJ)

Publié le 04/11/2015 à 09:54 par
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Crucial annonce une nouvelle gamme de SSD, les BX200. A l'instar des BX100 ils font appel à un contrôleur Silicon Motion SM2256EN mais qui est cette fois couplé à de la mémoire NAND TLC 16nm et non plus de la NAND MLC 16nm.


Pour rappel, en TLC ce sont 3 bits qui sont stockés par cellule contre 2 bits en MLC ce qui permet d'augmenter sensiblement la capacité et donc d'abaisser le coût de la Flash. La contrepartie c'est que la cellule doit être programmée plus finement puisqu'il faut 8 intervalles de tension distincts pour pouvoir stocker ces 3 bits, ce qui entraine une écriture plus longue et plus usante pour la cellule, ce qui a un impact négatif sur les performances et l'endurance.

Décliné en versions 240, 480 et 960 Go, le BX200 est annoncé comme ayant des débits de 540 Mo /s en lecture, 490 Mo /s en écriture, pour 66K et 78K IOPS en lecture et écriture aléatoire 4K quelle que soit sa capacité. Quid de l'impact négatif de la performance de la TLC dont nous parlions ? Il est masqué par la technologie SLC Write Acceleration, probablement proche du Dynamic Write Acceleration intégré sur le MX200. Le débit en écriture ne pourra donc pas être soutenu dans tous les cas de figure et Crucial se garde bien d'annoncer un autre chiffre que le maximal…

Côté endurance, à l'instar du BX100 le BX200 est annoncé comme pouvant supporter 72 To d'écritures, soit 40 Go par jour pendant 5 ans. Encore une fois ce chiffre est commun à toutes les capacités alors que l'endurance double quand la capacité double elle-aussi. Sachant que le BX100 débute à 120 Go l'endurance de cette série est probablement au moins deux fois supérieure en pratique, bien que celle du BX200 soit suffisante pour un usage classique. La garantie des BX200 est de 3 années, ils sont livrés avec un adaptateur 9.5mm et une clef Acronis True Image HD.

Selon leur capacité les BX200 devraient être entre 5 et 10% moins chers que les BX100 qui sont déjà parmi les SSD les plus abordables. Cela devrait donc leur permettre de trouver leur place sur le marché, mais il est plus que dommage que comme nombre de ses concurrents Crucial masque leurs performances soutenues à travers des artifices plus motivés par l'aspect marketing que technique...


Mise à jour : Nos confrères de Computerbase ont eu l'occasion de tester la version 480 Go. Une fois un cache "SLC" remplit qui fait un peu moins de 10 Go, la vitesse en écriture tombe à 70-80 Mo /s. De même les écritures aléatoires tombent après quelques secondes à 15K IOPS puis après quelques minutes à seulement 400 IOPS ce qui est assez faible, même si 3-4x supérieur à un disque dur classique. De plus d'après AnandTech tout en étant lent en écriture séquentielle le BX200 est aussi l'un de plus gourmand lors de de ce type de charge, ce qui en fait un SSD très peu efficace avec 16.85 Mo par watt en écriture contre 123 Mo par watt pour un BX100 ! Si le BX200 a de bonnes performances en lecture et même en écriture si la charge est courte, lors d'écritures volumineuse il ne sera donc pas à l'aise ce qui est complètement masqué par ses caractéristiques. Encore une fois nous sommes à la limite de de la publicité mensongère, ce qui semble malheureusement devenir une généralité sur les SSD d'entrée de gamme...


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