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Samsung 850 EVO en approche

Publié le 05/09/2014 à 08:58 par
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Après le 850 Pro, Samsung devrait lancer un SSD basé sur de la V-NAND plus abordable, le SSD 850 EVO. Nos confrères de Les Numériques publient en effet une photo prise lors de l'IFA sur le stand de Samsung le montrant :


Pour le moment on sait juste qu'il stockera comme son prédécesseur 3 bits par cellules (TLC), contre 2 pour le 850 Pro qui est en MLC. Pour rappel cela a un impact sur les performances comme sur la durée de vie de la NAND, mais vu que la V-NAND est meilleure sur ce dernier point que la NAND le 850 EVO pourrait tirer son épingle du jeu, d'autant que la NAND TLC était déjà assez endurante pour un usage classique.

Notez au passage que notre comparatif de SSD 480-512 Go intègre les résultats du Samung 850 Pro, mais nous n'avons par contre pas encore eu le temps de mettre à jour le texte. Comme attendu les performances sont là, et il prend à l'Intel 730 le leadership pour ce qui est des performances dans notre stress-test. Il faudra toutefois vraiment en avoir besoin, pour un usage plus classique vu son tarif nous continuons de privilégier le Crucial MX100.

Sandisk Ultra II, en TLC

Publié le 19/08/2014 à 14:34 par
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Sandisk lance un nouveau SSD milieu de gamme, l'Ultra II. A l'instar de l'Extreme II, il utilise un Marvell 88SS9187 capable de gérer la mémoire sur 8 canaux, contrairement à son prédécesseur l'Ultra Plus qui utilisait un Marvell 88SS9175 gérant 4 canaux.


Mais alors que l'Extreme II comme l'Ultra Plus utilisent de la mémoire MLC 19nm, Sandisk passe cette fois à de la TLC 19nm. Pour rappel, la TLC stocke 3 bits par cellule Flash au lieu de 2 pour la MLC, ce qui correspond à 8 niveaux de tensions possible contre 4. La programmation de ce niveau de tension est plus longue, ce qui stresse plus et use plus la cellule, et l'écriture devant se faire en plusieurs passes elle est moins rapide.

Samsung a toutefois prouvé avec les Samsung 840 puis 840 EVO que l'endurance de sa TLC était tout à fait satisfaisante pour un usage classique, reste à voir s'il en sera de même pour la TLC Sandisk. Côté performances le constructeur est assez avare puisqu'il se contente d'indiquer, quelle que soit la capacité, des débits pouvant atteindre 550 Mo /s en lecture et 500 Mo /s en écriture – il ne s'agit clairement pas de débits soutenus.

En IOPS 4K aléatoire on est en lecture/écriture à 81/80K IOPS sur la version 120 Go, les versions supérieures variant de 91 à 99K en lecture pour 83K en écriture.

Le Sandisk Ultra II est garanti 3 ans et sera disponible début septembre en versions 120 et 240 Go pour 75 et 109 €, les versions 480 et 960 Go attendront pour leur part fin septembre et seront aux tarifs de 209 et 409 €.

OCZ ARC 100, Barefoot 3 plus abordable

Tags : OCZ; OCZ Arc 100;
Publié le 13/08/2014 à 16:15 par
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OCZ lance une nouvelle série de SSD, les ARC 100. Déclinés en versions 120, 240 et 480 Go, ils constituent la 5è gamme de SSD OCZ déclinée autour de du contrôleur Indilinx Barefoot 3 après le Vertex 460 lancé en début d'année.


Comme les Vector 150 et Vertex 460, il est associé à de mémoire MCL Toshiba 19nm toggle, chose on ne peut plus logique puisque la division SSD de OCZ a pour rappel été reprise par Toshiba. Il s'agit plus précisément de mémoire A19nm, disposant d'une densité accrue.

Histoire de trouver un point de différentiation, les performances sont revues légèrement à la baisse par rapport au Vertex 460 :


Les niveaux obtenus restent toutefois très bons, mais il faut noter que sur les Barefoot 3 les performances en écritures ne sont pas valables sur l'intégralité du SSD mais uniquement sur les pages Flash qui peuvent être écrites en mode "SLC" (cf. cette page), ce qui permet à OCZ de gonfler les chiffres en écriture sur les petites capacités.

Alors que les Vector 150 disposent d'une garantie de 5 ans, celle des Vertex 460 est de 3 ans et il est probable qu'il en soit de même pour les ARC 100. Côté tarif il est question d'environ 0.5 € / Go.

L'arrivée des ARC 100 marque le retour d'OCZ sur un segment tarifaire plus agressif qui avait été abandonné suite au déboires passés de la marque. Reste qu'en l'état les différences entre les modèles ne justifient pas vraiment la présence de plus de deux gammes en Barefoot 3 + MLC Toshiba 19nm.

Plextor lance ses SSD M6 Pro

Publié le 06/08/2014 à 17:40 par
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Plextor lance une nouvelle version de ses SSD, les M6 Pro. Par rapport au M5 Pro, les changements sont mineurs avec le passage d'un contrôleur Marvell 88SS9187 à un Marvell 88SS9189 et le passage de flash Toshiba 19nm à la seconde génération, A19nm, plus petite.


En pratique les chiffres de performances annoncés ne bougent guère, mais on note l'apparition d'une version 1 To. Histoire d'aller au-delà, Plextor introduit via l'utilisateur PlexTurbo un cache RAM à l'instar du RAPID mode introduit par Samsung depuis les 840. Reste qu'au-delà d'afficher des gros scores dans les benchmarks ce genre de fonction ne s'est jamais avéré très utile jusqu'alors.


Le codage reste de type AES 256 bits, mais sans support des normes TCG Opal 2.0 et IEEE-1667 contrairement aux derniers modèles Samsung et Crucial ce qui ne permet pas d'utiliser le codage hardware sous Microsoft BitLocker. Côté consommation le M6 Pro est annoncé à 0.25W en moyenne sous MobileMark, tout comme le M5 Pro, mais il gère le DEVSLP qui lui permet de passer à 0.2mW au repos, une fonction qui pour rappel n'est utilisable que sur portable.

La garantie est de 5 ans sur la gamme Pro, contre 3 sur la gamme S qui n'est pas très éloignée en termes de performances, mais ne supporte ni l'AES 256 bits ni le DEVSLP et est livré nu alors que les Pro sont accompagnés d'un adaptateur 3.5", d'un câble SATA et d'un utilitaire de clonage et de backup. Au final rien de révolutionnaire pour ce M6 Pro qui devrait être comme le M5 Pro dans le haut du panier, mais si Plextor veut se faire une place au soleil il lui faudra revoir le positionnement tarifaire qui était jusqu'alors en vigueur.

3 millions d'IOPS pour un SSD HGST en PRAM

Tags : HGST; PRAM;
Publié le 05/08/2014 à 16:22 par
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HGST, filiale de Western Digital, annonce avoir mis au point un prototype de SSD capable d'atteindre le chiffre faramineux de 3 millions d'IOPS sur un SSD. Ce chiffre a été obtenu en aléatoire avec des accès en lecture de 512 octets, HGST annonce par ailleurs une latence de 1.5 µs. A titre de comparaison, ce SSD est donc environ 30 fois plus rapide que les meilleurs SSD SATA.

Pour arriver à de tels résultats le prototype de HGST utilise de la mémoire à changement de phase, ou PRAM, au sein d'un SSD utilisant une interface PCie x4 Gen2. Fabriquées en 45nm, les puces de PRAM utilisée affichent une densité de 1 Gb, bien loin des puces présentées par Samsung en 2011 qui étaient en 20nm pour une capacité de 8 Gb.


Histoire de remettre (un peu) les pieds sur terre, HGST a lancé simultanément un nouveau SSD PCie x8 Gen3, le FlashMAX III. Décliné en versions 1100, 1650 et 2200 Go, la version 1100 Go affiche un débit de 2.7 Go /s en lecture et 1.4 Go /s en écriture pour 549 000 IOPS en lecture et 295 000 IOPS en écriture (53 000 soutenues sur un SSD plein). La latence est cette fois de 20 µs, pour une endurance en écritures aléatoire de 2 écritures complètes par jour pendant 5 ans.


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