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Samsung évoque la GDDR6

Publié le 22/08/2016 à 17:28 par
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En parallèle à la mémoire HBM, Samsung à évoqué le futur de la GDDR5, ignorant quelque peu l'existence de la GDDR5X de Micron qui, bien que standardisée par le JEDEC, n'a pas été adoptée par ses concurrents.

Pour la GDDR6, Samsung évoque certaines des pistes de travail envisagées. Côté objectifs la mémoire visera dans un premier temps 14 à 16 Gbps, ce qui était la cible haute pour rappel de la GDDR5X lors de sa présentation par Micron. Lors de la certification de la GDDR5X par le JEDEC, 14 Gbps est devenu le maximum visé. On notera que la GTX 1080 utilise pour rappel de la GDDR5X 10 Gbps. Techniquement, la GDDR5X abaissait la tension de la GDDR5 à 1.35V et doublait la bande passante en doublant le prefetch.

Samsung donne ici quelques idées sur la GDDR6, reprenant par exemple l'idée de la tension à 1.35V. L'élaboration de la spécification finale se fera au sein du consortium JEDEC dans les mois à venir.

Côté timing, Samsung évoque 2018, aligné avec la DDR5 et la LPDDR5, et un gain d'efficacité énergétique autour des 30%. On notera au passage que Samsung continue lui aussi de pousser son propre standard "X" avec la LPDDR4X, une variante de la mémoire mobile LPDDR4 qui fait "seulement" baisser la tension VDDQ à 0.6V pour obtenir un gain d'efficacité de 20%. Si le JEDEC n'a pas encore ratifié la LPDDR4X, on notera que SK Hynix avait annoncé en juin qu'il produirait lui aussi ce type de mémoire.

HMC, DDR5 et 3D XPoint pour Micron

Publié le 22/08/2016 à 16:02 par
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Micron a également pris la parole pendant la première matinée de Hot Chips, comme nous le rapportent une fois de plus nos confrères de ComputerBase . Ces derniers qualifient d'une honnêteté rafraîchissante la présentation de Micron, ne cherchant pas forcément à annoncer des chiffres extravagants. La société aurait même regretté, si l'on en croit nos confrères, que son partenaire Intel ait annoncé beaucoup trop tôt la mémoire 3D XPoint !

 
 

Dans le détail, Micron n'aura pas pu s'empêcher tout de même de qualifier la HBM de "mauvaise copie" de sa propre technologie Hybrid Memory Cube, plus complexe, coûteuse, et surtout assez peu disponible (elle devrait être présente sur le prochain Xeon Phi d'Intel, Knights Landing). Micron estime que la HMC dispose de nombreux avantages pour le marché du HPC, avec par exemple un meilleur algorithme de CRC que celui utilisé par le JEDEC pour la HBM.

Micron aura également évoqué la DDR5 qui aura pour objectif de doubler la bande passante par rapport à la DDR4. Micron estime produire ses premiers échantillons courant 2018, avec une production en volume possiblement en 2019, mais plus probablement pour 2020.

Outre le tacle envers son partenaire Intel sur la mémoire 3D XPoint, on ne retiendra pas beaucoup d'informations, si ce n'est que Micron confirme que ce nouveau type de mémoire sera en production avant la fin de l'année.

On retiendra ce dernier slide qui préfigure de ce que l'on devrait voir arriver sous peu sur les serveurs, avec deux tiers de mémoire DRAM. D'un côté une mémoire "proche", intégrée au processeur et rapide (HBM, ou plutôt HMC dans la vision de Micron) qui s'adjoint à la mémoire DRAM en barrettes plus classique. 3D XPoint et la 3D NAND proposant de leur côté deux tiers de stockages persistants.

Micron continue dans sa voie de l'originalité, dans un marché de la mémoire certes très concurrentiel. La société continue de mettre en avant sa GDDR5X, certes standardisée par le JEDEC mais qui n'a pas été adoptée par ses concurrents, mais aussi des solutions plus propriétaires comme l'Hybrid Memory Cube et 3D XPoint. Avec les ambitions de SK Hynix et de Samsung de pousser la HBM sur le terrain des PC clients, on peut cependant se demander si le pari d'ignorer la mémoire HBM ne se retournera pas contre Micron dans les mois à venir.

SK Hynix et Samsung parlent de HBM

Publié le 22/08/2016 à 15:08 par
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Comme tous les ans, c'est à la fin de l'été que se tient la conférence Hot Chips (28ème édition)  ou les divers acteurs du milieu présentent leurs nouveautés. Parmi les attractions de cette année, on attendra, dans la nuit de mardi à mercredi, "A New, High Performance x86 Core Design from AMD" qui devrait probablement nous en dire un peu plus sur Zen.

La première matinée de conférence avait lieu hier, dédiée à l'utilisation des nouvelles technologies mémoires. Chez SK Hynix et Samsung, la HBM était au programme. Pour rappel, la mémoire HBM est l'assemblage sur une même puce d'un die, en dessous, contenant les contrôleurs mémoires, et sur lequel on empile plusieurs dies de mémoire DRAM traditionnelle.

 
 

SK Hynix a confirmé ses ambitions sur la HBM2, qui pour rappel est standardisée par le JEDEC. Contrairement à la première version utilisée nottament par AMD sur les Fiji, la HBM2 utilise pour rappel des dies mémoire de 1 Go, empilés par deux, quatre ou huit. SK Hynix devrait lancer les premières puces, en version 4hi (quatre dies mémoire pour 4 Go au total) durant ce troisième trimestre.

Les versions 2Hi et 8Hi devraient suivre (soit 2 Go et 8 Go), et l'on notera qu'en plus des versions proposant 256 Go/s et 204 Go/s de bande passante, une version 128 Go/s sera également disponible au catalogue dans les différentes capacités.

Côté utilisations, si les cartes graphiques ont été les premières à utiliser la HBM, SK Hynix envisage des utilisations dans le monde du HPC et des serveurs ou la HBM servirait de cache intermédiaire. Certaines déclinaisons de Zen pour serveurs devraient utiliser de la HBM, par exemple. SK Hynix voit également la HBM arriver en volume plus large dans les PC portables et desktop.

 
 

Côté Samsung, qui doit lancer aussi la HBM2 cette année, on parle surtout d'une version low cost de la HBM, qui ne serait pas de la HBM2 mais une variante plus abordable, en 512 bits (au lieu de 1024) et qui réduirait le nombre de TSV (Through Silicon Vias, les fils qui traversent les dies pour les relier les uns les autres). Le tout offrant tout de même 200 Go/s de bande passante. Un développement qui devrait s'effectuer en parallèle de celui de la HBM3 qui a pour objectif de doubler, sur le haut de gamme, la bande passante par rapport à la HBM2.

Un watercooling sur socket pour Cooler Master

Publié le 17/08/2016 à 18:00 par
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Cooler Master profite de l'été pour présenter un nouveau concept de radiateur pour processeur, le MasterLiquid Maker 92. Derrière ce nom se cache un système de water cooling intégré pour processeurs Intel, compatible avec les sockets LGA115x et LGA2011.

Un bloc est placé directement sur le socket, mais de celui-ci partent deux supports latéraux sur lesquels sont fixés... le radiateur. Le radiateur intègre également la pompe, et deux ventilateurs 92mm (amovibles) sont présents, un de chaque côté du radiateur. Leur niveau sonore est annoncé à 30 dB(A) à 100% d'utilisation

 
 

Comme si tout cela n'était pas assez original, le radiateur peut pivoter pour se retrouver en position verticale ou horizontale. Dans ces deux cas, le système nécessitera respectivement 16.8 cm et 11.9 cm de hauteur de boîtier.

Si l'on ne peut pas mettre en faute l'originalité de la solution, il est difficile de se retenir de questionner l'intérêt d'un système de watercooling aussi compact par rapport à des radiateurs à caloducs traditionnels.

Cooler Master indique que ce produit ne sera disponible qu'en petite quantité, en vente directe à partir de son site web à la fin du mois d'août. Le prix est pour l'instant inconnu. Les intéressés, mais surtout les curieux, pourront se référer au site du constructeur  où l'on peut admirer la transition horizontale/verticale en vidéo.

Silent Wings 3 pour be quiet!

Tag : be quiet!;
Publié le 17/08/2016 à 16:52 par
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La société allemande be quiet! vient d'annoncer l'arrivée d'une nouvelle version de ses ventilateurs Silent Wings, en version 3. Nous avions pour rappel testé les versions 1 et 2 dans leur déclinaison PWM dans cet article.

On retrouve le design d'ailettes caractéristique du constructeur, avec une surface structurée, ainsi qu'un système de roulement dynamique fluide garanti pour 300 000 heures d'utilisation. Le cadre du ventilateur est désormais serti de caoutchouc et l'on retrouve également des supports de montage anti-vibration.

 
 
Le 120mm PWM en version High Speed

On retrouve des caractéristiques assez semblables à la génération précédente d'un point de vue technique, sur le 120 PWM par exemple, la vitesse de rotation maximale passe de 1500 à 1450 RPM mais l'on conserve le même flux d'air (50.5 cfm). La pression statique augmente par contre de 1.63 à 1.79mmH20.

Plusieurs références sont disponibles, on retrouve des déclinaisons 120 et 140 mm en DC (3 broches) et PWM (4 broches), chacune de ces versions étant disponible en mode "classique" ou "high speed".

 
 
Le 140mm DC en version classique

Sans surprise la vitesse de rotation augmente sur les modèles "high speed", on passe de 1450 RPM sur le 120 à 2200 sur le 120 high speed avec un volume sonore qui passe de 16.4 à 28.6 dB(A). Pour le 140mm la vitesse de rotation passe de 1000 à 1600 RPM, avec des volumes sonores qui évoluent de la même manière (on passe de 15.5 à 28.1 dB(A)). Vous pouvez retrouver le reste des caractéristiques dans le tableau suivant :

La disponibilité est annoncée comme immédiate, le prix public conseillé est de 22,50 euros pour la version 120mm, et 23,50 euros pour la version 140mm.

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