Actualités mémoires

STT-MRAM 80% plus économe que la SRAM chez Toshiba

Tags : MRAM; Toshiba;
Publié le 04/03/2015 à 14:23 par / source: Toshiba
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Avec la Resistive RAM (RRAM ou ReRAM) et la Phase-change RAM (PRAM), la Spin-transfer torque magnetic RAM (STT-RAM ou STT-MRAM) est l'une des mémoires non-volatiles en développement depuis des années et qu'on annonce comme révolutionnaire, pouvant remplacer selon les besoins la DRAM, la SRAM et la NAND.

Lors de l'ISSCC 2015 Toshiba a présenté une puce prototype de 1 Mb qui a pour intérêt d'avoir une vitesse suffisante pour remplacer la SRAM pour un cache de dernier niveau (LLC), avec un temps d'accès de 3.3ns, tout en ayant une consommation réduite de 80% par rapport à la SRAM actuelle. Déjà l'an passé lors de la conférence VLSI une consommation en baisse de 60% avait été évoquée, on est donc au-delà grâce notamment à un usage plus intensif du power gating. C'est bien entendu surtout sur des SoC très basse consommation que ce type de gain aura un intérêt.

A terme Toshiba dit viser une baisse de 90% de la consommation par rapport à la SRAM classique d'ici à la fin de son année fiscale soit le 31 mars 2016. Reste à savoir quand tout ceci sera utilisé sur des produits commerciaux !

DDR4-3400 également chez G.Skill

Tags : DDR4; G.Skill;
Publié le 15/01/2015 à 11:29 par
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Après Corsair c'est au tour de G.Skill de lancer des modules DDR4-3400. Deux nouvelles versions des kits Ripjaws 4 sont lancées :

- DDR4-3200 15-15-15-35 1.35V 4x4 Go F4-3200C15Q-16GRKD
- DDR4-3400 16-16-16-36 1.35V 4x4 Go F4-3400C16Q-16GRKD


Les latences sont donc un peu plus agressives que chez Corsair qui est en 16-18-18-36 mais le tCCD_L, qui est à 7 chez Corsair, n'est pas précisé. La compatibilité de ces kits a été testée sur ASUS Rampage V Extreme et Gigabyte X99-SOC Champion, ils sont livrés avec des ventilateurs. Aucun prix n'est communiqué, mais à l'instar du kit Corsair qui est à 999$ il risque de piquer !

GDDR5 1 Go et 8 Gbps chez Samsung

Tags : GDDR5; Samsung;
Publié le 15/01/2015 à 11:17 par
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Samsung vient de lancer la production en volume d'une nouvelle puce mémoire GDDR5 de 1 Go, la K4G80325FB-HC25. Gravée en 20nm, elle offre une capacité doublée par rapport aux versions précédentes.


La vitesse est également au rendez-vous puisque comme chez Hynix, mais sur des puces de 512 Mo, la puce fonctionne à 8 Gbps. Interfacée en 32 bits chaque puce offre une bande passante de 32 Go /s. En plaçant 8 de ces puces sur un bus 256 bits on obtiendra donc 8 Go de mémoire vidéo à 256 Go /s, et on peut même envisager sur un bus 512 bits 16 Go à 512 Go /s.

Jusqu'alors les GDDR5 les plus rapides utilisées sur des GPU sont à 7 Gbps (GTX 970/980), le gain est donc de 14%.

CES: Un kit DDR4-3400 à 999$ chez Corsair

Tags : CES 2015; Corsair; DDR4;
Publié le 08/01/2015 à 05:05 par
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L'arrivée d'un nouveau type de mémoire est souvent l'occasion de relancer la course progressive à la montée en fréquence. La DDR4 n'y échappe pas et après les kits à 3000 MHz, 3200 MHz et 3300 MHz, nous avons droit à la DDR4 poussée à 3400 MHz chez Corsair.

 
 

Proposé au tarif record de 999$, ce nouveau kit 4x 4 Go prend place dans la gamme Dominator Platinum sous la référence CMD16GX4M4B3400C16. Il s'agit grossièrement de la même mémoire que pour le kit de DDR4-3300 de la marque, les timings restent les mêmes (16-18-18-36, tCCD-L 7) tout comme la tension poussée à 1.35V.

En démonstration sur la Gigabyte X99 SOC Champion, tout juste annoncée, le kit était timidement poussé par Corsair à 3500 MHz, mais sans toucher aux timings. Vu son tarif, il est bien entendu destiné aux overclockeurs qui sont en bons termes avec leur banquier.

La ReRAM toujours aussi prometteuse...

Publié le 24/12/2014 à 16:40 par
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La Resistive RAM (RRAM ou ReRAM) a refait parler d'elle lors de l'IEEE International Electron Devices Meeting qui a eu lieu en cette fin d'année à San Francisco. Pour rappel cette mémoire non volatile est une des candidates à la succession de la Flash pour le stockage, avec entre autre des accès aléatoires bien plus rapides, une endurance accrue et la possibilité à termes d'être gravée avec une finesse de 4-5nm. D'autres technologies sont en concurrence comme la Phase-change RAM (PRAM) ou la Spin-Torque-Transfer RAM (STT RAM).


Micron et Sony, qui avaient annoncé avoir produit une puce de 2 Go en février dernier, ont donné quelques résultats obtenus en pratique sur leur puce. En pratique ils ont pu atteindre les 900 Mo /s en lecture avec une latence de 2,3 µs, là où le design permet en théorie d'atteindre 1 Go et 2 µs. En écriture la vitesse est de 180 Mo /s contre 11,7 µs, le design permettant au maximum d'atteindre 200 Mo /s et 10 µs.



La start-up Crossbar, qui avait fait parler d'elle l'an passé, a également indiqué avoir effectué des avancées qui lui permettront à terme de produire de la RRAM "3D". La première implémentation pourrait arriver en 2017 sous la forme d'une puce de 128 Go sur 16 couches fabriquée en 28nm.


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