Actualités mémoires
Ivy Bridge et mémoire DDR3
DDR4 pour 2014, devant la DDR3 en 2015 ?
Quelques détails sur les LPDDR4, DDR4 et Wide I/O
Des détails sur la LPDDR3 dans Haswell
Des pertes pour Micron, malgré la hausse côté DRAM
Computex: Toujours plus de MHz pour la DDR3
Hynix signe un accord de licence avec Rambus
Computex: La DDR4 gagne 4 pins et de la Flash
Computex: DDR3 Carbon et Chameleon chez ADATA
32 Go de DDR3-3000 chez G.Skill
Computex: Toujours plus de MHz pour la DDR3
Lors de nos rencontres sur le Computex avec les différents fabricants de barrettes mémoire, tous nous ont indiqué avoir espoir que la plateforme Haswell redynamise quelque peu un marché qui a tendance à s'essouffler depuis quelques années.
Le support officiel d'une mémoire plus rapide sur les CPU Core de 4ème génération (jusqu'à 2933 MHz) ainsi qu'un overclocking qui gagne quelque peu en flexibilité sur les modèles K leur laisse penser qu'une proportion plus importante d'utilisateurs pourrait opter pour une mémoire plus rapide, ce qui ferait bien entendu leurs affaires.
ADATA, Apacer et Corsair introduisent ainsi des modules qui montent jusqu'à 2933 MHz :
ADATA XPG v2 8 Go x2/x4 : 2933 MHz 12-14-14-36 1.65v
Apacer Thunderbird et Ares 8 Go x2/x4 : 2933 MHz 12-14-14-35 1.65v
Corsair Vengeance Pro 4 Go x4 : 2933 MHz 12-14-14-37 1.65v

Geil et G.Skill, dont nous vous avions déjà parlé il y a quelques jours, poussent jusqu'à 3000 MHz :
Geil EVO Potenza 4 Go x4 : 3000 MHz 12-14-14-36 1.65v
G.Skill TridentX 4 Go x2/x4 et 8 Go x2/x4 : 3000 MHz 12-14-14-35 1.65v

Bien entendu, ces modules sont par ailleurs présentés comme disposant d'un potentiel d'overclocking supplémentaire. Corsair faisait ainsi la démonstration de sa mémoire poussée à 3200 MHz 11-14-14-36 alors que G.Skill montait un peu plus haut mais en augmentant la latence avec du 3252 MHz 13-15-15-35.
Il ne faut cependant pas parler d'euphorie non plus pour le marché de la mémoire, aucun fabricant ne se fait d'illusion sur le fait que ces modules les plus rapides et les plus chers ne puissent représenter autre chose qu'une petite niche, d'autant que le surcoût est éloigné du gain de performances obtenu en pratique. Si celle-ci pouvait s'agrandir légèrement, ce serait déjà suffisant pour relancer quelque peu ce marché et potentiellement aider à tirer légèrement le milieu de gamme vers le haut.
De quoi laisser la course à la mémoire la plus rapide poursuivre son chemin ? Peut-être, certains envisagent déjà de commercialiser des kits qui iront au-delà de 3000 MHz, via un tri encore plus sélectif des puces, voir trouver des arguments pour essayer d'influencer les designs des puces à venir de manière à favoriser de plus hautes fréquences. Mais là aussi, personne ne se fait d'illusion puisque avec l'arrivée programmée de la DDR4, les nouveaux développements sur la DDR3 se font plutôt pour réduire les coûts en vue de la (longue) fin de vie de cette génération de mémoire.
Hynix signe un accord de licence avec Rambus
Le fabricant de mémoire sud coréen Hynix a indiqué cette semaine avoir signé un accord de licence avec la société américaine Rambus concernant l'utilisation de ses brevets concernant les technologies mémoires. Les termes de l'accord sont confidentiels, on sait juste que Hynix paiera 12 millions de dollars par trimestre à Rambus sur une durée de cinq ans, et que cet accord met fin à toutes les procédures judiciaires entre les deux parties.
L'annonce de cet accord peut sembler relativement surprenante, la dernière fois que nous avions évoqué Rambus dans nos colonnes, il s'agissait de leur défaite concernant le procès antitrust qui avait été intenté à Hynix et Micron fin 2011. Trois acteurs de l'industrie continuaient à faire de la résistance à l'époque contre Rambus, à savoir Hynix, Micron et Nvidia.
Nvidia avait finalement abdiqué en février 2012 en signant également un accord sur cinq années dont les termes sont inconnus.

Ne restait depuis que Micron et Hynix, qui avaient obtenu en ce début d'année pourtant une victoire significative : Rambus s'est vu interdit d'utiliser douze de ses brevets dans son procès contre Micron par une cour du Delaware. Une sanction importante appliquée à Rambus en conséquence d'une faute qui ne l'était pas moins : une destruction de preuve qualifiée "intentionnelle, large, cachée et dans le but d'en tirer un avantage" par la juge. Le verdict, disponible ici au format PDF, reprend à partir de sa section II (Background) assez clairement toute l'histoire de l'affaire, de la stratégie commerciale de Rambus à sa mutation en stratégie légale, la participation de la société au JEDEC et ses relations avec Intel. Une lecture claire que l'on vous recommande fortement si vous vous intéressez au sujet.
Le document décrit également très précisément la stratégie de destruction de documents, particulièrement tout ceux qui pouvaient laisser planer un doute sur la validité des dits brevets et toute la stratégie autour des relations avec le JEDEC.
Il est à noter que trois de ses brevets principaux ont été invalidés en septembre 2011 et janvier 2012. En l'état cependant, Micron reste aujourd'hui le seul acteur de l'industrie à combattre activement Rambus.
Computex: La DDR4 gagne 4 pins et de la Flash
Initialement prévue sur un format DIMM 284 pins, la mémoire DDR4, toujours en cours de finalisation, est passée au format DIMM 288 pins nous explique Crucial/Micron. L'ajout de ces 4 pins supplémentaires a été décidé il y a quelques mois par le Jedec pour pouvoir alimenter le module en 12v. Pourquoi du 12v ? Pour pouvoir y placer de la Flash en plus de la DRAM et transformer le module en Hybrid DIMM.

Cela ne veut bien entendu pas dire que tous les modules DDR4 embarqueront de la Flash. Cette modification du futur standard est destinée à permettre cette possibilité et non à la généraliser. D'ailleurs, cette évolution en demandera bien d'autres, notamment au niveau du système d'exploitation, pour pouvoir être fonctionnelle et ainsi permettre de connecter un SSD directement au CPU. Avec un contrôleur adapté lui aussi présent sur le module, la partie DRAM DDR4 fera alors office de cache naturel.
Cette approche pourrait permettre de simplifier certains systèmes et d'apporter des gains de performances. Utilisée différemment, dans le monde professionnel, elle pourra également améliorer la fiabilité : ajoutez quelques condensateurs et en cas de coupure du système le contrôleur pourra transférer les données présentes en DRAM vers la Flash.

Notre interlocuteur chez Crucial n'était cependant pas certain que ce changement aurait une influence sur le format physique et nous a indiqué qu'il était possible que ces 4 pins n'allongent pas le module mémoire puisqu'un peu de place avait été réservé à côté du détrompeur (de quoi ajouter jusqu'à 4 pins de chaque côté du module si nous l'observons bien).
Computex: DDR3 Carbon et Chameleon chez ADATA
ADATA envisage dans le futur de lancer différents types de mémoire DDR3 qui se démarqueront non pas par leurs spécifications, similaires aux séries actuelles ou à venir prochainement, mais bien pour leur apparence. Le fabricant estime que la niche des amateurs de mods en tous genres qui recherchent un look spécial pour l'ensemble de leurs composants progresse suffisamment que pour s'y attaquer.
Deux projets sont actuellement à l'étude. Le premier consiste à utiliser des dissipateurs plus haut de gamme, construits en partie à base de fibre de carbone :

Le résultat actuel n'est pas encore à la hauteur sur le plan visuel et le fabricant indique essayer de peaufiner son design, qui ne verra le jour commercialement que s'il l'estime convainquant. Le second design, Chameleon, est peut-être plus intéressant :

Les dissipateurs des modules mémoire sont recouverts d'un motif qui réagit à la température. Sous un certain seuil, ils sont noirs alors qu'au-dessus de ce seuil ils laissent progressivement apercevoir une illustration qui se trouve être une photo d'un module mémoire à nu. De quoi donner l'impression qu'ils deviennent transparents et laissent apercevoir les puces DDR3.
Reste que là aussi, ADATA ne sait pas encore si ce design sera commercialisé. Il faut dire que l'effet est particulièrement réussi quand les barrettes sont exposées dans un salon comme c'est le cas sur cette photo, mais qu'une fois enfichées sur une carte-mère, leur panneau latéral est en général masqué et seule la partie supérieure est visible.
Pour réellement séduire les amateurs d'objets spéciaux, ADATA devra probablement repasser par la planche à dessin.
32 Go de DDR3-3000 chez G.Skill
G.Skill profite du lancement d'Haswell pour annoncer une nouvelle ligne de kits TridentX haute fréquence, le fer de lance étant un kit de 32 Go (8 Go x 4) fonctionnant en DDR3-3000 avec des latences de 12-14-14-14-35 et une tension de 1.65V. Ce kit a été validé sur ASUS Maximus VI Extreme avec un Core i7-4770K.

La nouvelle gamme est composée de multiples combinaisons :
- DDR3-2666 en 12-13-13-35 @ 1.65V : 8 Go x 2 ou 4
- DDR3-2800 en 12-14-14-35 @ 1.65V : 4 Go x 2 ou 4, 8 Go x 2 ou 4
- DDR3-2933 en 12-14-14-35 @ 1.65V : 4 Go x 2 ou 4, 8 Go x 2 ou 4
- DDR3-3000 en 12-14-14-35 @ 1.65V : 4 Go x 2 ou 4, 8 Go x 4
Les prix ne sont pas communiqués, mais sachant qu'il faut déjà compter un peu plus de 300 € pour le F3-2400C10Q-32GTX, un kit 8 Go x 4 DDR3-2400 en 10-12-12-31, ils devraient atteindre des sommets.
Nous avons pour rappel publié il y a peu un article sur l'influence de la vitesse DDR3, jusqu'en DDR3-2800, sur l'architecture Ivy Bridge. On peut s'attendre à une influence similaire sur Haswell.