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GTC: HBM 2 SK Hynix : quelques détails

Tag : GTC;
Publié le 08/04/2016 à 14:27 par
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Bien que Nvidia ait dans un premier temps opté pour la mémoire HBM 2 de Samsung, de toute évidence parce qu'elle est la première disponible, SK Hynix avait comme chaque année fait le déplacement à la GTC. L'occasion de poser quelques questions au fabricant.

Concernant l'estimation de la disponibilité de cette mémoire, nous n'en saurons pas plus par rapport aux dernières rumeurs qui parlent du troisième trimestre. SK Hynix nous a par contre confirmé que ce serait bien le module 4Hi de 4 Go qui serait lancé en premier lieu, suivi par la version 8Hi de 8 Go et enfin par la version 2Hi de 2 Go. Le fabricant nous a expliqué que cette organisation de la production n'est par contre en rien liée à des challenges supplémentaires pour passer à 8 couches de DRAM ou pour condenser les canaux dans le cas de la version 2Hi. Ces choix auraient été effectués uniquement par rapport aux commandes fermes qui lui ont été passées.

Cette arrivée tardive de la version 2 Go, que l'on pourrait plutôt imaginer pour les solutions d'entrée de gamme démontre une fois de plus que ce type de technologie va prendre du temps à apparaître sur ce segment.

A noter que concernant la différence de consommation en passant d'un module 4Hi à 8Hi, SK Hynix n'a pas voulu communiquer de nombre précis mais après insistance nous a indiqué qu'il s'agissait d'un nombre à un chiffre, et que la différence n'aurait ainsi qu'un impact limité au vu de la consommation des GPU haut de gamme qui y seront associés. Ce ne serait donc pas un frein pour doubler la mémoire d'un Tesla P100 par exemple.

La mémoire HBM 2 Samsung exploitée par Nvidia sur le Tesla P100 a la particularité d'être de hauteur identique à celle du GPU GP100, ce qui facilite le refroidissement de l'ensemble. Pour cela, l'épaisseur de la dernière couche de DRAM a été adaptée à celle du GPU en prenant en compte tous les éléments de la chaîne d'assemblage, comme vous pouvez l'observer ci-dessous (le spacer est en fait la dernière couche de DRAM) :

Pour la mémoire HBM 2, et contrairement à la HBM 1, SK Hynix fait de même et propose une production personnalisée avec épaisseur variable des modules. Pour le fabricant ce n'est pas un souci dans un premier temps puisque cette mémoire correspond de toute manière à des commandes spécifiques. Par contre à l'avenir, SK Hynix s'attend à ce que le JEDEC standardise ce point ou tout du moins en limite les variantes à 2 ou 3 chaînes de production.

Samsung grave la DRAM en 1xnm

Tags : DDR4; Samsung;
Publié le 05/04/2016 à 15:40 par / source: Samsung
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Samsung annonce qu'il a débuté en volume la production de puces DDR4 de 1 Go gravées avec un procédé de "classe 10nm". Samsung a déjà utilisé ce terme par le passé pour le 20nm, cela signifie en fait que le procédé se situe entre 10 et 19nm, bien entendu plus proche de cette dernière borne mais sans plus de précision. Le passage au 20 s'est pour rappel fait à partir de mars 2014.

Il indique avoir fait appel au quadruple patterning pour la gravure de la puce qui serait plus économe en énergie de 10 à 20% par rapport à la version 20nm. De plus alors que les puces 20nm étaient officiellement certifiées jusqu'en DDR4-2400, celles-ci peuvent désormais atteindre le mode DDR4-3200.

Micron échantillonne sa GDDR5X

Tags : GDDR5X; Micron;
Publié le 30/03/2016 à 11:26 par
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Micron a ajouté la GDDR5X à son catalogue , confirmant au passage qu'elle était en cours d'échantillonnage auprès de ses clients. En février dernier Micron indiquait que cette étape interviendrait au printemps, le délai est donc respecté.

La GDDR5X de Micron prends la forme d'une puce de 1 Go 32-bit au format FBGA fonctionnant en 1.35V, elle est déclinée à des vitesses de 10, 11 et 12 Gb/s pour le moment. Seules ces deux dernières vitesses sont en cours d'échantillonnage, on ne trouve par contre pas trace des 13 Gb/s que Micron avaient annoncé avoir atteints il y a peu.

A 12 Gbps, la GDDR5X offre une bande passante accrue de 50% par rapport à la GDDR5 qui plafonne actuellement à 8 Gbps, mais nécessite des accès d'une largeur de 512-bit pour exploiter cette bande passante contre 256-bit en GDDR5. Pour rappel la production en volume est prévue pour cet été.

La DDR4 à quasi parité avec la DDR3

Tags : DDR3; DDR4;
Publié le 26/02/2016 à 14:26 par
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Depuis plusieurs mois, nous avons noté la chute continue des prix de la mémoire. Alors qu'en juin dernier il fallait compter 2,672$ pour s'offrir une puce de 512 Mo de DDR3-1600, ce prix s'était tassé de 20% en octobre, atteignant 2,122$.

Les mois se suivent et les prix continuent de chuter puisqu'au moment ou nous écrivons ces lignes, DRAMeXchange  annonce un prix moyen sur la journée de 1,804$ pour ces mêmes puces 512 Mo, soit une baisse de 33% en huit mois !

Mais c'est surtout l'écart de prix entre la DDR4 et la DDR3 qui nous intéresse. Là ou en juin dernier le surcoût de la DDR4 sur 16 Go était de l'ordre de 32.726$, il n'est plus aujourd'hui que de... 16 centimes !

En effet les prix sont arrivés à une quasi parité puisque la DDR4 2133 en 512 Mo se négocie à 1.809$. Les prix "contractuels" de janvier, pour la fabrication de modules SO-DIMM de 4 Go, présageaient déjà du rapprochement tarifaire avec un prix moyen de 15.25$ pour la DDR3 et 15.50$ pour la DDR4.

Une situation qui commence déjà a se refléter sur le prix des kits mémoires DDR4 dans le commerce. Sur l'entrée de gamme, on retrouve chez certains constructeurs une quasi parité (par exemple chez Kingston) même si en fonction des marques, importateurs, stocks et revendeurs on trouvera forcément une grande variabilité !

Du retard et de la PRAM pour 3D XPoint

Publié le 15/01/2016 à 15:59 par / source: EETimes
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Annoncé en juillet 2015, la mémoire 3D XPoint est pour rappel une nouvelle technologie mémoire annoncée par Intel et Micron. Cette mémoire est censée offrir un compromis entre DRAM et NAND, que ce soit en termes de coût mais aussi de vitesse, tout en conservant la persistance de données de cette dernière. Elle pourrait ainsi être utilisée au sein de SSD offrant 5 à 8x plus d'IOPS mais aussi sur des DIMM. Combiné à de la DRAM, la ReRAM qui est certes un peu moins rapide permet en effet d'offrir pour un même tarif une capacité doublée.


Mais alors qu'il était initialement question d'un lancement commercial en 2016, Guy Blalock le co-DG d'IM Flash (joint-venture Intel/Micron) a indiqué qu'il faudrait encore 12 à 18 mois afin de pouvoir lancer la production en volume alors que les échantillons seraient presque prêts. Il faut dire que 3D Xpoint nécessiterais de nombreux nouveaux matériaux, dont certains ne sont trouvables que chez un seul fournisseur.

De plus à l'instar de ce qui se passe avec la migration vers la 3D NAND, le coût de la transition des chaines de fabrication de NAND classique vers 3D XPoint explose tout comme l'espace nécessaire pour assurer un bon débit du fait de nombreuses étapes supplémentaires dans la fabrication. Pour ne rien arranger les futures transitions vers les 3D Xpoint de seconde et troisième génération qui nécessiteront peut-être l'EUV devraient être aussi couteuses, alors que côté 3D NAND le coût sera divisé par 2.

Voilà qui tempère quelque peu les annonces en fanfare de l'été dernier, alors qu'à l'époque Intel et Micron avaient indiqués que la 3D Xpoint était … en production ! Il ne s'agissait donc en aucun cas d'une production de puces finales et en volume. Au passage, Guy Blalock a enfin confirmé ce qui se cache derrière la 3D Xpoint, à savoir un matériau de type chalcogénure associé à un switch Ovonyx : on a donc à faire à de la PRAM (Phase-change memory) et non de la ReRAM.

Ovonyx est une société crée en 1999 entre autre par un ancien dirigeant de Micron et qui a longuement travaillé sur la PRAM et qui a vendu de nombreuses licences pour utiliser ses brevets à des entreprises tierces, Intel a investi dans la société en 2000 et 2005 et Micron a racheté des parts de la société en 2012. En juillet 2012 Micron avait annoncé être le premier à fabriquer une puce PCM en volume, à l'époque une puce de 128 Mo fabriquée en 45nm qui était combinée avec 64 Mo de LPDDR2… avant de mettre ensuite de côté la PCM pour plusieurs années. Espérons que 3D XPoint aura droit à un meilleur sort !


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