Actualités mémoires

GDDR5 8 Gbps et HBM 128 Go /s chez Hynix

Tags : AMD; GDDR5; HBM; HMC; Nvidia; SK Hynix;
Publié le 27/11/2014 à 09:41 par
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Dans son dernier catalogue destiné aux mémoires pour les puces graphiques, SK Hynix introduit une nouvelle GDDR5 à 8 Gbps soit 2000 MHz. La puce H5GQ4H24AJR-R4C est disponible en version 512 Mo et 32 bits, et offre seule une bande passante de 32 Go /s. Interfacée en 256 bits elle permet d'atteindre une bande passante de 256 Go /s contre 224 Go /s pour la GDDR5 7 Gbps qui prend place dans les GTX 970/980 par exemple.

Bien entendu une autre possibilité pour augmenter la bande passante mémoire disponible pour un GPU est d'augmenter la taille du bus, comme le fait AMD sur les R9 290/290X qui combinent de la mémoire à 5 Gbps et un bus 512 bits pour atteindre 320 Go /s.

On note également la présence de mémoire HBM (High Bandwith Memory), avec cette fois une puce de... 128 Mo seulement (1 Gbits) ! A l'instar de la mémoire HMC (Hybrid Memory Cube), ce type de mémoire est composé d'un die logique de contrôleurs mémoire avec de multiples dies de mémoire, ici 4, le tout étant relié les uns aux autres par des TSV (Through Silicon Vias). Cette mémoire fonctionne a seulement 1 Gbps mais avec un bus 1024 bits, ce qui lui permet d'atteindre une bande passante pour une seule puce de 128 Go /s, 4 fois plus que la GDDR5 la plus rapide donc.


Si les amateurs de scoops en tout genre voient dans l'arrivée de la HBM au catalogue d'Hynix les prémices d'une association de la HBM avec des GPU AMD dès le 1er trimestre 2015, un minimum de recul permet de temporiser ces ardeurs. Premièrement, la mémoire HBM n'est en fait pas nouvelle dans le catalogue Hynix, elle était déjà présente au troisième trimestre.

De plus, si AMD a effectivement collaboré avec SK Hynix au développement de la HBM, une puce de 128 Mo n'est pas assez dense pour être utilisée sur des GPU qui ont besoin de beaucoup plus de mémoire - il est plus qu'improbable d'avoir 16 à 32 puces HBM 1024 bits intégrées sur le packaging GPU ou sur le PCB !

Si Nvidia a déjà fait une présentation de sa génération de GPU Pascal prévue pour 2016 qui utilisera un type de mémoire proche, on pouvait voir 4 puces intégrées sur le packaging du GPU.

 
 

La capacité annoncée pour cette puce HBM est en fait très étrange, SK Hynix a probablement fait une typo d'autant que la présence d'un "8G" dans la désignation fait penser à une capacité de 1 Go / 8 Gbits. C'est d'ailleurs de la HBM de 1 Go (4 die de 2 Gbits), atteignant également une bande passante de 128 Go /s avec un bus 1024 bits, qui a été qualifiée en septembre 2014 auprès des clients de SK Hynix, avec une production en volume devant débuter au cours du premier trimestre 2015 - on est donc loin de la disponibilité "Now" indiquée dans les catalogues des deux derniers trimestres. Courant 2016, une nouvelle génération de HBM doublera les débits alors que la capacité passera à 4 voir 8 Go (4 ou 8 die de 8 Gbits). Reste à voir comment les fabricants utiliseront ces deux génération de HBM.


Si la puce de 128 Mo HBM qui est au catalogue de SK Hynix existe, elle sera plutôt utile sur des APU en tant que cache externe, comme le fait déjà Intel sur les Haswell GT3e / Iris Pro 5200 qui intègrent sur leur packaging une puce d'eDRAM maison de 128 Mo interfacée en 512 bits et offrant une bande passante de 50 Go /s dans chaque sens, ce qui permet un gain de performance net vu la faible bande passante de la mémoire centrale (25,6 Go /s en DDR3-1600 sur deux canaux).

1 Go de DDR4 en 20nm chez Samsung

Tags : DDR4; Samsung;
Publié le 21/10/2014 à 16:14 par
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Samsung vient d'annoncer qu'il avait lancé la production en volume de puces mémoires de 1 Go en DDR4 gravées en 20nm. Pour rappel la production de la DDR4 avait débutée il y a un peu plus d'un an, à l'époque il s'agissait d'une puce de 512 Mo gravée avec un process de "classe 20nm", soit entre 20 et 29nm, probablement dans l'intervalle haute. Cette fois Samsung est donc nettement plus précis...


Cette nouvelle puce va entre-autre être utilisée sur des barrettes Registered de 32 Go qui sont déjà en production, mais Samsung vise à terme les 128 Go par barrettes en empilant les die grâce à la technologie TSV. Sur les barrettes plus classiques (Unbuffered), cette puce de 1 Go permet de mettre au point des barrettes de 16 Go.

En sus de puces 1 Go en DDR4, Samsung produit également en 20nm des puces 512 Mo en DDR3 et 768 Mo en LPDDR3.

V-NAND TLC en production chez Samsung

Publié le 09/10/2014 à 09:37 par
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Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de sa mémoire Flash 3D Vertical NAND (V-NAND) en version TLC, c'est-à-dire avec des cellules capables de contenir chacune 3 bits via 8 niveaux de tensions distincts. Le constructeur confirme au passage son avance sur ce type de mémoire Flash "3D", les autres constructeurs ayant prévus de débuter la production de ce type de mémoire en 2015 voir 2016.


Comme les versions MLC à 2 bits par cellule, ce sont 32 couches qui sont utilisées. Pour rappel la V-NAND permet un empilement vertical des cellules, ce qui permet malgré une finesse de gravure de 40nm d'atteindre une densité de bits par mm² comparable voir supérieure à celle obtenue par Micron et Toshiba/Sandisk en 16/15nm tout en conservant sur le papier une endurance supérieure.


Les nouvelles puces offrent une capacité de 128 Gbits, en comparaison des 86 Gbits proposés par les puces V-NAND MLC utilisées sur le 850 Pro. Un mois séparait l'annonce de leur production de celle du 850 Pro, l'annonce du 850 EVO utilisant la V-NAND TLC ne devrait donc plus tarder.

UniDIMM, DDR3, DDR4 et LPDDR3 sont sur une barrette...

Publié le 18/09/2014 à 14:52 par
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Lors de l'IDF 2014, Intel a présenté son projet Universal DIMM, ou UniDIMM en version courte. Ce nouveau format de barrette, qu'Intel semble avoir mis au point hors de l'organisation de standardisation JEDEC, serait supporté par Kingston et Micron.


Sur le papier le principe est relativement simple, il s'agit d'avoir un même format de barrette pouvant être utilisé avec des puces DDR3, DDR4 et même LPDDR3. Deux formats sont prévus :

- UniDIMM 69.6x20mm
- High Capacity UniDIMM 69.6x30mm

Les tailles reprennent en fait les formats SODIMM-VLP et SODIMM, et c'est d'ailleurs également le même nombre de contacts qui sont présent, 260. Le détrompeur n'est par contre pas situé au même endroit.


Avoir un format de barrette mémoire "universel" permettrait à Intel de faciliter la vie des OEM notamment puisque Skylake devrait supporter selon les versions la LPDDR3 (version Y, basse consommation pour portables), la DDR3/DDR4/LPDDR3 (version U, portables toujours mais classiques), la DDR4/LPDDR3 (version H, portable haute performance) ou encore la DDR3 et DDR4 (sur desktop).


La contrepartie serait selon Intel uniquement un surcoût au niveau de la régulation de tension de la carte mère de l'ordre de 0.25 à 0.5$. Le principe de l'UniDIMM est donc intéressant sur le papier, notamment sur portable ou il n'est pas vraiment possible d'intégrer divers types de connecteurs comme c'est le cas sur les cartes mères ATX – on se souvient encore des cartes mères intégrant par exemple 4 DIMM DDR2 et 2 DIMM DDR3 ! Les PC de bureau ne sont a priori pas la cible première, mais on pourrait peut-être voir des cartes mères mini-ITX en UniDIMM.


Reste le problème de l'universalité qui n'est pas vraiment au rendez-vous contrairement à ce qu'indique la dénomination choisie par Intel, tout simplement parce que ce nouveau format n'a pas été standardisé par le JEDEC.

IDF: La DDR4 moins chère et devant la DDR3 en 2016 ?

Tags : DDR4; IDF 2014;
Publié le 13/09/2014 à 00:23 par
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Lors d'une session consacrée à la mémoire DDR4, Intel a publiées quelques estimations provenant de l'institut IHS concernant la prise de pouvoir à venir de la DDR4 – chiffres qu'il faut bien entendu prendre avec les pincettes d'usage.


Sur ce premier extrait, on peut voir que les estimations de part de marché pour la DDR4 font état de 11% en 2015, 30% en 2016, 44% en 2017 et 49% en 2018. IHS prévoit que c'est en 2016 que la DDR4 commencera à se vendre plus que la DDR3, sachant que Skylake qui devrait supporter les deux types de mémoire est prévu pour le second semestre 2015.

On notera au passage que la mémoire spécialisée pour le segment mobile (LP DDR2, LP DDR3, etc.) devrait se stabiliser à un peu plus de 40% du marché à compter de 2015, alors que dans le même temps IHS prévoit une baisse notable de la mémoire graphique (GDDR5) en 2015 par rapport à 2014.


C'est logiquement sur les serveurs que la transition se fera en premier puisque les nouveaux Xeon LGA 2011-v3 ne gèrent que la DDR4, la DDR4 prenant le pas sur la DDR3 à partir de mi-2015. Sur PC de bureau ce n'est toutefois qu'à compter du troisième 2016 que la DDR4 dominera.


Côté densité cette fois, les puces de 1 Go pointent le bout de leur nez. On ne devrait a priori les trouver qu'en DDR4, elles permettront de mettre au point des barrettes classiques (Unbuffered) de 16 Go, avec un minimum situé à 8 Go. IHS prévoit qu'en 2016 elles représenteront 55% de la production contre 38% pour les puces de 512 Mo actuellement très majoritaires.


Côté tarif, IHS donne une estimation du surcoût d'une barrette 16 Go en RDIMM en DDR4 par rapport à la DDR3. Cette fois deux scénarios sont utilisés, l'un avec une adoption rapide de la DDR4 et l'autre avec une adoption lente de la DDR4. Dans le cas d'une adoption rapide, c'est à compter du second trimestre 2016 que la DDR4 et la DDR3 seraient au même tarif, avec un écart réduit dès le quatrième trimestre 2015, par contre il faudrait attendre le premier trimestre 2017 en cas d'adoption lente, avec un écart réduit à compter de troisième trimestre 2016. Ensuite c'est la DDR4 qui serait la moins onéreuse, sous l'action combinée de volumes plus importants et de puces profitant d'une densité accrue et des avancées de process là ou la DDR3 devrait stagner.

Carte trèès grise très grise
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C'est beau
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