Actualités mémoires

Résultats Micron, pour quand la baisse de la DDR3 ?

Publié le 11/04/2014 à 09:57 par
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Micron a présenté ses résultats pour son dernier trimestre fiscal qui prenait fin le 27 février dernier, l'occasion de faire le point sur le marché de la mémoire en général. Pour ce trimestre, Micron a réalisé 4,107 milliards de $ de ventes avec une marge opérationnelle à 34,2% et un bénéfice net de 731 millions de $. Un an auparavant, les ventes étaient de 2,078 milliards seulement avec une marge de 17,6% et une perte nette de 286 millions de $.


Du côté de la DRAM la marge brute est dans l'intervalle 35-40%, en hausse de 5 points par rapport au trimestre précédent, Micron profitant de la montée des prix depuis l'incendie de l'usine de SK Hynix de Wuxi début septembre. Cette usine est désormais de nouveau opérationnelle mais les prix restent élevés, il faut par exemple compter 3,656$ pour une puce DDR3-1600 de 512 Mo contre 3,143$ début septembre mais 4,268$ au plus fort de la hausse.

Micron explique cette situation par des stocks qui restent faibles chez les OEM et fournisseurs et une baisse de la production par ailleurs, avec par exemple chez Micron un passage des lignes de production de Singapour de la DRAM vers la NAND. Micron semble confiant dans l'avenir avec notamment cette phrase :
Our outlook for memory industry conditions remains favorable. We believe the current industry structure is fundamentally changed and we can now manage our business focused on return based capital and supply decisions which was not always possible in the past.
On peut clairement en déduire que les niveaux de marges des années passées sur la mémoire, parfois il est vrai trop faibles, font pour Micron partie du passé à ce jour et qu'il est désormais possible pour la société de se concentrer sur son retour sur investissement du fait de la "structure" de l'industrie – il est a priori question ici de la concentration du marché DRAM dont 90% de la production est entre les mains de Micron - qui a racheté Elpida - SK Hynix et Samsung.

Pour les 5 années à venir, Micron estime que la production de DRAM devrait être stable en termes de wafer, avec une hausse de 20 à 30% par an du volume de bit du fait de l'amélioration des procédés de fabrication. Pour la NAND Micron prévoit une hausse de 35 à 45% par an sur la même période, avec une hausse plus importante sur 2014 et 2015 (40-45%).

Sur le dernier trimestre Micron a augmenté de 35% ses ventes de NAND, avec une hausse de 35% en unités compensées par une baisse de 18% des prix de vente moyen. Contrairement à la DRAM, la marge brute est en baisse de 5 points sur ce marché et s'établie entre 25 et 30%, sans plus de précisions. La baisse de la marge est donc contenue par rapport à la baisse de prix du fait d'une réduction du coût par bit produit du fait de la hausse de la part du 20nm ainsi que de réduction de coûts liés à l'augmentation de la production de NAND à Singapour.

Kingston lance les HyperX FURY

Publié le 11/04/2014 à 09:08 par
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Kingston lance une nouvelle gamme de mémoires, les HyperX FURY qui remplacent la gamme HyperX blu. Ces nouvelles mémoires se distinguent notamment par un radiateur décliné en 4 couleurs et au design plus agressif mais qui reste d'une hauteur mesurée afin de limiter les incompatibilités avec les ventirads et un PCB qui passe du vert au noir.


Les HyperX FURY sont déclinées en barrettes de 4 et 8 Go et en kit de 2x4 et 2x8 Go, avec des vitesses de DDR3-1333, DDR3-1600 et DDR3-1866 alors que les HyperX blu se limitaient au mieux à la DDR3-1600. On notera l'absence de la DDR3-2133 alors que les latences sont assez élevées :

- 10-11-10 à 1.5V en DDR3-1866
- 10-10-10 à 1.5V en DDR3-1600
- 9-9-9 à 1.5V en DDR3-1333

Les Kingston HyperX blu fonctionnaient pour leur part de la sorte :

- 9-9-9 à 1.65V en DDR3-1600
- 9-9-9 à 1.5V en DDR3-1333

On note donc un sacrifice sur la latence au profit de la tension, mais alors que beaucoup de concurrents proposent des barrettes DDR3-1600 9-9-9 à 1.5V voire 1.35V Kingston semble clairement avoir fait le choix de puces moins chères et moins performantes afin de tirer les prix vers le bas. Quelque chose d'assez logique pour sa gamme ValueRAM mais qui l'est moins avec des HyperX FURY qui sont - je cite - destinées aux "gamers et enthusiats".

128 Go en DDR4 chez SK Hynix

Tags : DDR4; SK Hynix;
Publié le 08/04/2014 à 09:56 par
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SK Hynix vient d'annoncer avoir développé une barrette mémoire DDR4 d'une capacité de... 128 Go ! Ce module Registered fait toujours appel à des die DDR4 de 1 Go chacun fabriqués en 20nm, la densité doublée par rapport aux modules précédents étant obtenus via l'utilisation du TSV (Through Silicon Via) pour empiler les die.


Cette barrette fonctionne en DDR4-2133 à 1.2v, actuellement en cours d'échantillonnage sa production en volume ne devrait toutefois pas démarrer avant le premier semestre 2015. Pour rappel Intel supportera la DDR4 à compter des Haswell-E, EP et EN prévus pour le second semestre 2014.

Accord de licence Nanya-Rambus

Tags : Nanya; Rambus;
Publié le 24/03/2014 à 18:01 par
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Après Hynix et Micron, Nanya annonce aujourd'hui - par un communiqué de presse - avoir signé également un accord de licence de brevets avec Rambus. Le fabricant taiwanais de mémoire avait été un temps partenaire de Micron, entre 2008 et 2013 via la joint-venture Inotera (que Micron avait récupéré à Qimonda/Infineon) avant de s'en séparer en 2013.

La marque continue à opérer sa propre usine de wafers 300mm en 30nm et est numéro quatre du marché de la mémoire derrière les mastodontes que sont Samsung, Micron et Hynix. La part de marché de Nanya s'élevait à 4.3% au quatrième trimestre 2013 selon nos confrères de DRAMexchange.

Les termes de l'accord entre Nanya et Rambus sont confidentiels (on se souvient qu'avec Hynix et Micron le montant des accords avait été très fortement réduit par rapport aux prétentions de Rambus), on sait simplement que l'accord couvre l'utilisation des « technologies » de Rambus jusqu'en 2018.

Samsung produit la DDR3 en 20nm

Tag : Samsung;
Publié le 11/03/2014 à 15:31 par / source: Samsung
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Samsung vient d'annoncer qu'il produisait en volume de nouvelles puces mémoires DDR3 de 512 Mo gravées en 20nm. Un communiqué qui n'est pas sans rappeler celui de l'an passé concernant de la DDR3 utilisant un process de "classe" 20nm, soit entre 20 et 29nm inclus selon Samsung.


Cette fois Samsung parle donc de 20nm "tout court", et annonce que la productivité augmente de 30% par rapport aux DDR3 précédentes (du fait de la baisse de la taille de la puce), qui ne sont désormais plus en "classe" 20nm, mais en 25nm. Cette évolution s'est fait en améliorant le processus de production mais en conservant les mêmes machines. L'annonce aura au moins le mérite de préciser la dénomination du process utilisé précédemment !


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