Actualités mémoires

Samsung produit la DDR3 en 20nm

Tag : Samsung;
Publié le 11/03/2014 à 15:31 par / source: Samsung
Envoyer Imprimer

Samsung vient d'annoncer qu'il produisait en volume de nouvelles puces mémoires DDR3 de 512 Mo gravées en 20nm. Un communiqué qui n'est pas sans rappeler celui de l'an passé concernant de la DDR3 utilisant un process de "classe" 20nm, soit entre 20 et 29nm inclus selon Samsung.


Cette fois Samsung parle donc de 20nm "tout court", et annonce que la productivité augmente de 30% par rapport aux DDR3 précédentes (du fait de la baisse de la taille de la puce), qui ne sont désormais plus en "classe" 20nm, mais en 25nm. Cette évolution s'est fait en améliorant le processus de production mais en conservant les mêmes machines. L'annonce aura au moins le mérite de préciser la dénomination du process utilisé précédemment !

Hybrid Memory Cube Gen2 en développement

Publié le 25/02/2014 à 19:05 par
Envoyer Imprimer

L'Hybrid Memory Cube Consortium (fondé par Micron et Samsung en 2011, rejoint ensuite par Hynix et 120 sociétés donc ARM, IBM, Microsoft et Xilinx) vient de publier un communiqué indiquant le développement d'une seconde génération de cette mémoire. Pour rappel, le concept de l'HMC est de superposer plusieurs dies de mémoire DRAM par-dessus une die de logique, le tout étant relié par des TSV (Through Silicon Vias, des fils qui traversent les dies).


Nous avions parlé un peu plus en détail de la première version de cette spécification en septembre dernier, nous vous renvoyons vers cet article si vous souhaitez plus de détails.

La nouvelle spécification est encore au statut de « draft » (en préversion) et n'a été pour l'instant partagé qu'avec les membres du consortium dans le but d'être finalisé en mai 2014. La nouvelle version de la spec évoque des augmentations de bande passante, en doublant à 480 Go/s la bande passante totale des puces pour le modèle 4 liens, et 480 Go/s également pour le modèle huit liens (contre 320 dans la spec version 1.0).

Si Samsung et Hynix sont impliqués dans le développement du standard, Micron reste pour l'instant le seul constructeur à avoir produit des échantillons commerciaux.

Fabrication des mémoires en image chez Crucial

Tags : Crucial; Micron;
Publié le 21/02/2014 à 15:44 par
Envoyer Imprimer

La marque de mémoire Crucial (filiale de Micron) a mis en ligne une vidéo montrant les différentes étapes de fabrication de sa mémoire. Si l'on passe au-delà du contenu marketing, la vidéo permet de voir en image les différentes étapes nécessaires, de la photolithographie des wafers (annoncée comme demandant « plus d'un mois ») à leur découpe en dies individuels puis à l'assemblage des barrettes.



Une initiative originale qui n'est pas une première pour la marque qui avait déjà proposée une vidéo de ce type l'année dernière sur l'assemblage des SSD. Une vidéo dans laquelle on retrouvera des plans communs avec celle ci-dessus.



Si les 30 premières secondes de cette vidéo sont là encore très axées sur le marketing, la suite permet de voir des étapes beaucoup plus techniques sur la découpe et l'interconnexion des dies sur leur support.

ReRAM rapide chez Micron et Sony

Tags : Micron; ReRam; Sony;
Publié le 18/02/2014 à 11:28 par
Envoyer Imprimer

Micron et Sony ont profité de l'ISSCC pour annoncer avoir produit un prototype de ReRAM (Resistive RAM) qui sur le papier semble particulièrement intéressant. Pour rappel, la ReRAM est un nouveau type de mémoire non-volatile, basée sur le Memristor d'Hewlett Packard qui permet en théorie de faire le lien en terme de coûts et de performances entre la mémoire classique (DRAM) et celle utilisée dans les SSD (NAND).


Côté caractéristiques, la puce de Micron/Sony est assez alléchante sur le papier. Fabriquée en 27nm, cette puce utilise une surface de 168mm2 et propose 16 Gbit de stockage - parmi les plus grosses annoncées jusqu'ici (Sandisk et Toshiba avaient annoncé l'année dernière une puce 32 Gbit). C'est en prime l'une des plus rapides avec des taux de transferts de 1 Go/s en lecture et 200 Mo/s en écriture et des latences très basses (2 et 10 microseconde).


Produire des puces ReRAM qui soient à la fois de large capacité et rapides était jusqu'ici un challenge, la plupart des puces rapides présentées jusqu'ici ayant une densité en Mbit plutôt qu'en Gbit. Micron et Sony n'ont pas donné de détails sur l'éventuelle arrivée de ces puces sur le marché, qui pourraient par exemple trouver leur place dans un premier temps comme cache dans un SSD pour améliorer les performances.

Modules DDR3 16 Go en approche

Tag : DDR3;
Publié le 12/02/2014 à 15:00 par
Envoyer Imprimer

Nos confrères d'Anandtech rapportent le développement de modules mémoires assez originaux par une nouvelle société baptisée Intelligent Memory. Ces derniers finalisent actuellement des modules mémoires DDR3 unregistered (c'est-à-dire de la mémoire DDR3 « classique ») de 16 Go. Actuellement, on ne trouve dans cette catégorie au maximum que des modules de 8 Go, composés de seize dies de 4 Gbit (la capacité maximale proposée actuellement par die sur le marché).


IM contourne le problème en utilisant une technique de die stacking pour transformer deux dies 4 Gbit classiques en un 8 virtuel qui reste malgré tout conforme à la spécification JEDEC. La société compte proposer à la fois ses doubles dies à d'autres constructeurs, mais aussi proposer directement des modules à la vente. Le prix risque cependant d'être prohibitif pour le grand public puisque sauf erreur, nos confrères annoncent environ 320 dollars pour une barrette de 16 Go. Des déclinaisons serveurs (registered/ECC, et versions low profile) seront également proposées.

L'information la plus intéressante de l'article concerne cependant le support des plateformes pour les modules 8 Gbit en général. Si les plateformes AMD (AM3 et FM2) ne posent aucun problème avec ces modules, ce n'est pas le cas des plateformes Intel, et plus particulièrement les Haswell et Baytrail qui ne supportent pas les dies de 8 Gbit. Selon IM, seuls les SoC Avoton et Rangeley (déclinaisons serveur/réseau des Atom Silvermont) supportent effectivement les dies de 8 Gbit. Une information assez étonnante et qui peut expliquer le peu d'intérêt des constructeurs comme Hynix, Micron et Samsung à proposer des dies 8 Gbit aujourd'hui à leur catalogue.


Top articles