Actualités mémoires

CES: Nouveau design pour les HyperX Predator

Publié le 13/01/2016 à 21:24 par
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Kingston se prépare à migrer sa gamme de mémoires DDR3 et DDR4 HyperX Predator vers un nouveau design. Il conservera la même capacité de dissipation selon le fabricant, mais sera moins élevé de manière à assurer une meilleure compatibilité avec un maximum de combinaisons de cartes-mères et de ventirads CPU.


Le nouveau design (en bas), est actuellement prévu en noir/noir, noir/rouge et rouge/noir, mais Kingston précise qu'au départ seule la version noir/noir devrait être proposée sur la plupart des marchés, les revendeurs et grossistes étant toujours réticents face à une multiplication des références.

Le JEDEC pose les bases de la HBM 2

Tags : HBM; JEDEC;
Publié le 13/01/2016 à 18:12 par
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Le JEDEC vient d'annoncer la publication d'une mise à jour de son standard concernant la HBM. Le document JESD235A, daté en fait de novembre 2015 remplace donc le JESD235 d'octobre 2013. Ce document pose les bases nécessaires à la HBM de seconde génération, avec des capacités par puce pouvant atteindre 8 Go via 8 dies empilés pour une bande passante de 256 Go /s via un bus 1024 bits. Pour rappel la HBM SK Hynix utilisée par AMD sur Fury est constituée de puces 1 Go à 128 Go /s.


Le standard intègre également un nouveau mode d'adressage qui permet de subdiviser les canaux 128 bits interne à la puce en sous-canaux de 64 bits ce qui permet de réduire la taille du prefetch et d'augmenter la bande passante effective. Ce mode de fonctionnement est optionnel pour les canaux de 1 à 4 Gb mais obligatoire en 8 Gb.

SK Hynix et Samsung sont sur les rails pour produire en volume de la HBM de seconde génération en 2016 afin d'offrir aux futurs GPU haut de gamme 14nm la bande passante qu'ils méritent.

64 Go en DDR4-3200 chez G.Skill

Tags : DDR4; G.Skill;
Publié le 21/12/2015 à 08:49 par
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Si votre cœur balance entre vitesse et capacité, G.Skill a pensé à vous et lance 2 kits de 64 Go en DDR4-3200. Egalement déclinés en versions 16 Go (2x8) et 32 Go (2x16 ou 4x8), ils comportent 4 barrettes de 16 Go et fonctionnent à 1.35V pour des latences de 15-15-15-35 pour le Ripjaws V et 14-14-14-34 pour le Trident Z. Ces kit sont destinés aux cartes mères Z170, l'annonce de G.Skill ne donne par contre aucune indication côté tarif…

 
 

128 Go en RDIMM DDR4 chez Samsung

Tags : DDR4; Samsung;
Publié le 26/11/2015 à 11:51 par
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Samsung vient d'annoncer la production en volume de barrette DDR4 de 128 Go Registered ECC. Pour atteindre une telle capacité, la barrette intègre 36 packaging intégrant chacun 4 die DDR4 de 1 Go gravés en 20nm empilés via la technologie TSV, soit 144 puces au total (mais 128 Go utiles du fait de l'ECC).


A noter que si Samsung annonce qu'il s'agit d'une première, SK Hynix avait annoncé l'échantillonnage d'une barrette similaire en avril 2014, avec à l'époque une production en volume prévue pour le premier semestre 2015. SK Hynix semble toutefois avoir un peu de retard puisqu'aux dernières nouvelles la disponibilité n'était pas prévue avant ce dernier trimestre.

Mémoire 20nm en production chez SK Hynix

Tags : 3D NAND; SK Hynix;
Publié le 16/10/2015 à 16:28 par
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SK Hynix a annoncé  avoir lancé la production en masse de mémoire 20nm. La société n'a pas précisé quel type de mémoire était concerné mais l'annonce fait suite à Samsung qui avait en mars annoncé la production de DDR3, puis de Micron durant l'été, mais uniquement sur de la GDDR5 pour ce dernier (la production de DDR3/4 devant être migrée en fin d'année).


Interrogé sur le marché de la mémoire, le président de SK Hynix n'était pas très confiant, voyant un marché difficile pour le monde du PC et un peu plus favorable sur la mobilité. Avec dans tous les cas des prix qui continueraient à baisser de manière continue. En début de mois, nous notions la nouvelle chute de la mémoire avec des prix bas pour la DDR3 et la DDR4. Une situation qui ne s'est pas arrangée puisqu'en 10 jours, le prix des puces 512 Mo de DDR3 et DDR4 ont perdus encore respectivement 2 et 4.6%.

En parallèle, Hynix a confirmé qu'il produira une petite quantité de 3D NAND 36 couches avant la fin de l'année, et des modules 48 couches en 2016. On sait que Samsung a déjà commencé la production de sa V-NAND 48 couches durant l'été, et que Toshiba et Sandisk ont également annoncé des puces de ce type, mais pour une mise en production en 2016.


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