Actualités mémoires

Mémoire 20nm en production chez SK Hynix

Tags : 3D NAND; SK Hynix;
Publié le 16/10/2015 à 16:28 par
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SK Hynix a annoncé avoir lancé la production en masse de mémoire 20nm. La société n'a pas précisé quel type de mémoire était concerné mais l'annonce fait suite à Samsung qui avait en mars annoncé la production de DDR3, puis de Micron durant l'été, mais uniquement sur de la GDDR5 pour ce dernier (la production de DDR3/4 devant être migrée en fin d'année).


Interrogé sur le marché de la mémoire, le président de SK Hynix n'était pas très confiant, voyant un marché difficile pour le monde du PC et un peu plus favorable sur la mobilité. Avec dans tous les cas des prix qui continueraient à baisser de manière continue. En début de mois, nous notions la nouvelle chute de la mémoire avec des prix bas pour la DDR3 et la DDR4. Une situation qui ne s'est pas arrangée puisqu'en 10 jours, le prix des puces 512 Mo de DDR3 et DDR4 ont perdus encore respectivement 2 et 4.6%.

En parallèle, Hynix a confirmé qu'il produira une petite quantité de 3D NAND 36 couches avant la fin de l'année, et des modules 48 couches en 2016. On sait que Samsung a déjà commencé la production de sa V-NAND 48 couches durant l'été, et que Toshiba et Sandisk ont également annoncé des puces de ce type, mais pour une mise en production en 2016.

La DRAM continue de chuter

Tags : DDR3; DDR4;
Publié le 06/10/2015 à 17:58 par
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Nous notions en juin dernier la baisse continue de la mémoire DDR3 depuis l'incendie de l'usine SK Hynix en 2013. A l'époque, le cout d'une puce mémoire de 512 Mo de DDR3-1600 se négociait à 2.672$.


Les prix ont continué de chuter durant l'été et en septembre, le prix contractuel pour les modules SO-DIMM 4 Go (nécessitant huit puces de 512 Mo) est tombé sous la barre des 18.50$, une première que rapporte TrendForce. Côté puces le prix des puces 512 Mo de DDR3-1600 est au moment où nous écrivons ces lignes de 2.122$, ce qui représente une baisse de plus de 20% par rapport au mois de juin.

La mémoire DDR4 a également vu ses prix chuter puisque sur le mois de septembre, un module SO-DIMM 4 Go DDR4-2133 se négociait à 20$. L'écart sur les prix instantané est un peu plus élevé puisqu'il faut compter aujourd'hui 2.716$ pour une puce 512 Mo. Si l'on ramène cela au cout des puces pour un kit de 16 Go, il faut compter 67,904$ de puces pour de la DDR3, et 86,912$ pour de la DDR4. Un surcout brut de 28% (contre 38% en juin !) qui semble être atténué en prime par un effet de stock important sur la DDR4. TrendForce pointe du doigt que Windows 10 n'a pas eu l'effet escompté par beaucoup, et a peut-être même eu un effet inverse sur les ventes de portables au troisième trimestre, généralement une période de vente faste.

IDF: Samsung parle de l'après DDR4, pour 2020

Tags : IDF 2015; Samsung;
Publié le 21/08/2015 à 17:40 par / source: ComputerBase
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Alors que la DDR4 commence à peine à se démocratiser avec l'arrivée de Skylake, Samsung a profité de l'IDF pour parler de l'après DDR4. D'après les projections de Samsung, cette mémoire devrait faire son apparition aux alentours de 2020, en premier lieu sur serveurs.

 
 

Côté vitesse cette mémoire pourrait atteindre un débit de 3.2 à 6.4 Gbps (soit "DDRx-6400"), avec une capacité par puce de 8 à 32 Gb, le tout gravé en moins de 10nm. Samsung indique au passage qu'une bande passante de 51,2 Go /s par canal en 64-bit nécessitera probablement un nouvel interfaçage, évoquant un passage à des connexions optiques. Cela ne serait pas sans conséquence sur les coûts, si bien qu'on peut se demander si cette future mémoire ne serait alors pas réservée aux serveurs, les PC "classiques" se contentant d'une mémoire HBM très rapide mais non upgradable intégrée au sein du packaging CPU.

Enfin Samsung a rapidement évoqué les mémoires intermédiaires entre DRAM et NAND telles que la TT-MRAM, la PRAM et la Re-RAM, indiquant toujours travailler sur le sujet mais que les technologies manquaient encore de maturité.

IDF: Samsung lancera sa HBM en 2016

Publié le 21/08/2015 à 17:23 par / source: ComputerBase
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Lors de l'IDF, Samsung a annoncé qu'il allait lancer en 2016 de la mémoire HBM. Pour rappel ce type de mémoire a été co-développée par AMD et Hynix et est devenu un standard ratifié par le Jedec, il a fait sa première apparition sur les R9 Fury X.

 
 

A l'instar de la seconde génération de HBM Hynix prévue également pour l'an prochain, la HBM de Samsung sera basée sur des dies de 8 Gb qui seront empilés par 2, 4 ou 8 au sein de puces capables de fournir une bande passante de 256 Go /s chacune.

Cela permettra d'envisager de nombreuses configurations, de 2 Go à 256 Go /s à 48 Go à 1.5 To /s, les GPU haut de gamme devant probablement se "contenter" de 8 à 16 Go à 1 To /s, une bande passante doublée par rapport à la Fury X qui devrait être la bienvenue avec le passage des GPU au 14/16nm.

Alors que certaines rumeurs indiquaient qu'AMD allait avoir les faveurs d'Hynix en ce qui concerne l'approvisionnement en HBM de seconde génération du fait de leur passif, l'arrivée de Samsung sur ce marché devrait donc faire les affaires de Nvidia qui prévoit également d'utiliser ce type de mémoire avec sa prochaine architecture Pascal.

IDF: Roadmap mémoire Micron

Publié le 21/08/2015 à 04:51 par
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Le partenaire d'Intel sur la mémoire 3D XPoint était présent sur l'IDF avec un stand ou l'on pouvait apercevoir un wafer de NAND 16nm, ainsi qu'un module 3D NAND de 256 Gbits.


La société a également effectué une présentation ou elle a évoqué ses technologies mémoires. Le constructeur continue de travailler sur l'Hybrid Memory Cube (HMC), une technologie qui supperpose des dies de mémoires avec une couche de contrôleurs logiques. La troisième génération est en cours de développement même si l'on ne sait pas encore ce qu'elle apportera.

Micron est également revenu sur la complexité de la fabrication de la mémoire DRAM a 20nm et au dela. L'augmentation des coûts via les masques et les opérations rend de plus en plus difficile chaque passage à un nouveau node. Malgré tout le fabricant s'est felicité de ses yields atteint en 20nm et a indiqué travailler sur le 15nm et au delà.

 
 

Côté NAND, Micron a confirmé que le 16nm serait son dernier node « traditionnel » et qu'il passait au delà à une gamme 100% 3D NAND. Cette variante de la NAND permet pour rappel de construire les cellules verticalement pour les empiler en augmentant la densité. Un avantage important qui permet d'utiliser des process plus anciens, et mieux maitrisés, autour de 50nm pour la première génération de Micron. La seconde génération de 3D NAND apparaitra en 2016.

3D XPoint a été peu évoqué, si ce n'est sur le fait qu'il y aura une seconde génération de cette mémoire en 2016. On notera que Micron parle toujours sur ses roadmaps d'une seconde nouvelle mémoire qui arriverait en 2017. Une variante de STTRAM (Spin Transfer Torque RAM) semble être l'une des possibilités, il faudra attendre un peu avant d'en savoir plus !


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