Actualités mémoires

GDDR5 1 Go et 8 Gbps chez Samsung

Tags : GDDR5; Samsung;
Publié le 15/01/2015 à 11:17 par
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Samsung vient de lancer la production en volume d'une nouvelle puce mémoire GDDR5 de 1 Go, la K4G80325FB-HC25. Gravée en 20nm, elle offre une capacité doublée par rapport aux versions précédentes.


La vitesse est également au rendez-vous puisque comme chez Hynix, mais sur des puces de 512 Mo, la puce fonctionne à 8 Gbps. Interfacée en 32 bits chaque puce offre une bande passante de 32 Go /s. En plaçant 8 de ces puces sur un bus 256 bits on obtiendra donc 8 Go de mémoire vidéo à 256 Go /s, et on peut même envisager sur un bus 512 bits 16 Go à 512 Go /s.

Jusqu'alors les GDDR5 les plus rapides utilisées sur des GPU sont à 7 Gbps (GTX 970/980), le gain est donc de 14%.

CES: Un kit DDR4-3400 à 999$ chez Corsair

Tags : CES 2015; Corsair; DDR4;
Publié le 08/01/2015 à 05:05 par
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L'arrivée d'un nouveau type de mémoire est souvent l'occasion de relancer la course progressive à la montée en fréquence. La DDR4 n'y échappe pas et après les kits à 3000 MHz, 3200 MHz et 3300 MHz, nous avons droit à la DDR4 poussée à 3400 MHz chez Corsair.

 
 

Proposé au tarif record de 999$, ce nouveau kit 4x 4 Go prend place dans la gamme Dominator Platinum sous la référence CMD16GX4M4B3400C16. Il s'agit grossièrement de la même mémoire que pour le kit de DDR4-3300 de la marque, les timings restent les mêmes (16-18-18-36, tCCD-L 7) tout comme la tension poussée à 1.35V.

En démonstration sur la Gigabyte X99 SOC Champion, tout juste annoncée, le kit était timidement poussé par Corsair à 3500 MHz, mais sans toucher aux timings. Vu son tarif, il est bien entendu destiné aux overclockeurs qui sont en bons termes avec leur banquier.

La ReRAM toujours aussi prometteuse...

Publié le 24/12/2014 à 16:40 par
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La Resistive RAM (RRAM ou ReRAM) a refait parler d'elle lors de l'IEEE International Electron Devices Meeting qui a eu lieu en cette fin d'année à San Francisco. Pour rappel cette mémoire non volatile est une des candidates à la succession de la Flash pour le stockage, avec entre autre des accès aléatoires bien plus rapides, une endurance accrue et la possibilité à termes d'être gravée avec une finesse de 4-5nm. D'autres technologies sont en concurrence comme la Phase-change RAM (PRAM) ou la Spin-Torque-Transfer RAM (STT RAM).


Micron et Sony, qui avaient annoncé avoir produit une puce de 2 Go en février dernier, ont donné quelques résultats obtenus en pratique sur leur puce. En pratique ils ont pu atteindre les 900 Mo /s en lecture avec une latence de 2,3 µs, là où le design permet en théorie d'atteindre 1 Go et 2 µs. En écriture la vitesse est de 180 Mo /s contre 11,7 µs, le design permettant au maximum d'atteindre 200 Mo /s et 10 µs.



La start-up Crossbar, qui avait fait parler d'elle l'an passé, a également indiqué avoir effectué des avancées qui lui permettront à terme de produire de la RRAM "3D". La première implémentation pourrait arriver en 2017 sous la forme d'une puce de 128 Go sur 16 couches fabriquée en 28nm.

GDDR5 8 Gbps et HBM 128 Go /s chez Hynix

Tags : AMD; GDDR5; HBM; HMC; Nvidia; SK Hynix;
Publié le 27/11/2014 à 09:41 par
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Dans son dernier catalogue destiné aux mémoires pour les puces graphiques, SK Hynix introduit une nouvelle GDDR5 à 8 Gbps soit 2000 MHz. La puce H5GQ4H24AJR-R4C est disponible en version 512 Mo et 32 bits, et offre seule une bande passante de 32 Go /s. Interfacée en 256 bits elle permet d'atteindre une bande passante de 256 Go /s contre 224 Go /s pour la GDDR5 7 Gbps qui prend place dans les GTX 970/980 par exemple.

Bien entendu une autre possibilité pour augmenter la bande passante mémoire disponible pour un GPU est d'augmenter la taille du bus, comme le fait AMD sur les R9 290/290X qui combinent de la mémoire à 5 Gbps et un bus 512 bits pour atteindre 320 Go /s.

On note également la présence de mémoire HBM (High Bandwith Memory), avec cette fois une puce de... 128 Mo seulement (1 Gbits) ! A l'instar de la mémoire HMC (Hybrid Memory Cube), ce type de mémoire est composé d'un die logique de contrôleurs mémoire avec de multiples dies de mémoire, ici 4, le tout étant relié les uns aux autres par des TSV (Through Silicon Vias). Cette mémoire fonctionne a seulement 1 Gbps mais avec un bus 1024 bits, ce qui lui permet d'atteindre une bande passante pour une seule puce de 128 Go /s, 4 fois plus que la GDDR5 la plus rapide donc.


Si certains voient dans l'arrivée de la HBM au catalogue d'Hynix les prémices d'une association de la HBM avec des GPU AMD dès le 1er trimestre 2015, il faut temporiser ces ardeurs. Premièrement, la mémoire HBM n'est en fait pas nouvelle dans le catalogue Hynix, elle était déjà présente au troisième trimestre.

De plus, si AMD a effectivement collaboré avec SK Hynix au développement de la HBM, une puce de 128 Mo n'est pas assez dense pour être utilisée sur des GPU qui ont besoin de beaucoup plus de mémoire - il est plus qu'improbable d'avoir 16 à 32 puces HBM 1024 bits intégrées sur le packaging GPU ou sur le PCB ! Nvidia a déjà fait une présentation de sa génération de GPU Pascal prévue pour 2016 qui utilisera un type de mémoire proche, on pouvait voir 4 puces intégrées sur le packaging du GPU ce qui fait déjà un bus 4096-bit.

 
 

Toutefois la capacité annoncée pour cette puce HBM est en fait très étrange, SK Hynix a probablement fait une typo d'autant que la présence d'un "8G" dans la désignation fait penser à une capacité de 1 Go / 8 Gbits. C'est d'ailleurs de la HBM de 1 Go (4 die de 2 Gbits), atteignant également une bande passante de 128 Go /s avec un bus 1024 bits, qui a été qualifiée en septembre 2014 auprès des clients de SK Hynix, avec une production en volume devant débuter au cours du premier trimestre 2015 - on est donc loin de la disponibilité "Now" indiquée dans les catalogues des deux derniers trimestres. Courant 2016, une nouvelle génération de HBM doublera les débits alors que la capacité passera à 4 voir 8 Go (4 ou 8 die de 8 Gbits), mais on ne sait pas encore comment les fabricants de GPU utiliseront ces deux générations de HBM... est-ce qu'ils attendrons comme Nvidia le fait la seconde ou alors est-ce que AMD sautera le pas dès la première en 2015 ? L'avenir nous le dira !


Reste que si la puce de 128 Mo HBM qui est au catalogue de SK Hynix existe, elle sera pour sa part plutôt utile sur des APU en tant que cache externe, comme le fait déjà Intel sur les Haswell GT3e / Iris Pro 5200 qui intègrent sur leur packaging une puce d'eDRAM maison de 128 Mo interfacée en 512 bits et offrant une bande passante de 50 Go /s dans chaque sens, ce qui permet un gain de performance net vu la faible bande passante de la mémoire centrale (25,6 Go /s en DDR3-1600 sur deux canaux).

1 Go de DDR4 en 20nm chez Samsung

Tags : DDR4; Samsung;
Publié le 21/10/2014 à 16:14 par
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Samsung vient d'annoncer qu'il avait lancé la production en volume de puces mémoires de 1 Go en DDR4 gravées en 20nm. Pour rappel la production de la DDR4 avait débutée il y a un peu plus d'un an, à l'époque il s'agissait d'une puce de 512 Mo gravée avec un process de "classe 20nm", soit entre 20 et 29nm, probablement dans l'intervalle haute. Cette fois Samsung est donc nettement plus précis...


Cette nouvelle puce va entre-autre être utilisée sur des barrettes Registered de 32 Go qui sont déjà en production, mais Samsung vise à terme les 128 Go par barrettes en empilant les die grâce à la technologie TSV. Sur les barrettes plus classiques (Unbuffered), cette puce de 1 Go permet de mettre au point des barrettes de 16 Go.

En sus de puces 1 Go en DDR4, Samsung produit également en 20nm des puces 512 Mo en DDR3 et 768 Mo en LPDDR3.


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