Actualités mémoires

Computex: Corsair: DDR4 Vengeance LED et Dominator PSE

Publié le 10/06/2016 à 13:16 par
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Cet automne, Corsair lancera deux nouvelles déclinaisons de sa mémoire DDR4, à commencer par une version LED de ses modules Vengeance. Ceux-ci seront proposés avec des LED blanches ou rouges avec des capacités de 2x 8 Go, 2x 16 Go, 4x 8 Go, 4x 16 Go et des fréquences qui iront de 2400 à 4333 MHz, avec dans ce derniers cas des puces Samsung triées sur le volet.

 
 

Ensuite, Corsair prévoit de la DDR4 Dominator Platinum Special Edition qui profitera d'un radiateur à la finition améliorée disponible en versions chrome et noire satinée. Si Corsair se contentera d'une fréquence de 3200 MHz pour ces kits 2x 16 Go et 4x 8 Go, il s'agira pourtant des meilleurs puces Samsung issues des tris effectués par la marque. Cette fréquence réduite est liée au support du quad channel sur plateforme X99, mais la marge d'overclocking est annoncée très importante.

Il s'agit de kits qui seront exclusifs et probablement très onéreux même si Corsair n'a pas pu nous communiquer de tarif à ce point. Seuls 500 kits de chaque couleur seront produits.

IBM met au point de la PCM en TLC

Tags : IBM; PRAM;
Publié le 18/05/2016 à 13:00 par / source: IBM
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A l'instar de la ReRAM qui devrait prochainement pointer le bout de son nez avec la 3D Xpoint, la PCM (ou PRAM) est une mémoire dite "universelle", c'est-à-dire une mémoire qui est censée combiner les avantages de la DRAM (vitesse, endurance) et celles de la Flash (densité, rétention, coût). Attention, cela ne veut pas dire pour autant que ce type de mémoire remplacera l'une ou l'autre des technologies, la DRAM ou la Flash restant un peu meilleure chacune dans leurs domaines de prédilection, il s'agira plutôt d'un compromis répondant à certains besoins.

Concernant la PCM, IBM vient de franchir une étape importante puisqu'après avoir réussi à stocker en 2011 2-bit par cellules, des chercheurs ont cette-fois réussi à stocker de manière fiable 3-bit par cellules. Cette densité accrue permettrait selon IBM d'avoir un coût significativement inférieur à la DRAM, plus proche de la Flash. Les données stockées ont pu l'être sur des cellules ayant au préalable été "usées" par un millions de cycles d'endurance, et les lectures se sont avérées fiable malgré des cycles de température variant entre 30 et 80°C.

On est bien sûr encore loin d'une production en volume, ce prototype ne comporte ainsi que 4 millions de cellules et est gravé en 90nm. Reste donc à voir si les nombreuses étapes nécessaires avant la commercialisation pourront être franchies et dans quel délai.

La GDDR5X produite en volume

Tags : GDDR5X; Micron;
Publié le 12/05/2016 à 11:02 par
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Micron a indiqué dans un billet de blog  que sa GDDR5X était déjà produit en volume, étape qui devait initialement se faire durant l'été. Le fabricant est donc en avance, chose assez logique vu l'annonce par Nvidia de la GTX 1080 dont la disponibilité interviendra dès ce 27 mai.

Pour rappel cette carte embarquera 8 Go de GDDR5X à 10 Gb/s sur un bus 256-bit, ce qui permettra d'obtenir une bande passante maximale de 320 Go/s, à comparer aux 336 Go/s et 224 Go/s des GTX 980 Ti et 980 en GDDR5 7 Gb/s sur 384 et 256-bit.

A noter que sur la page catalogue , si cette GDDR5X 10 Gb/s n'est plus annoncée comme étant en "Sampling" elle est en "Contact Factory", il faut peut-être y voir une exclusivité pour Nvidia. Les versions 11 et 12 Gb/s restent pour leur part en phase d'échantillonnage.

GTC: HBM 2 SK Hynix : quelques détails

Tag : GTC;
Publié le 08/04/2016 à 14:27 par
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Bien que Nvidia ait dans un premier temps opté pour la mémoire HBM 2 de Samsung, de toute évidence parce qu'elle est la première disponible, SK Hynix avait comme chaque année fait le déplacement à la GTC. L'occasion de poser quelques questions au fabricant.

Concernant l'estimation de la disponibilité de cette mémoire, nous n'en saurons pas plus par rapport aux dernières rumeurs qui parlent du troisième trimestre. SK Hynix nous a par contre confirmé que ce serait bien le module 4Hi de 4 Go qui serait lancé en premier lieu, suivi par la version 8Hi de 8 Go et enfin par la version 2Hi de 2 Go. Le fabricant nous a expliqué que cette organisation de la production n'est par contre en rien liée à des challenges supplémentaires pour passer à 8 couches de DRAM ou pour condenser les canaux dans le cas de la version 2Hi. Ces choix auraient été effectués uniquement par rapport aux commandes fermes qui lui ont été passées.

Cette arrivée tardive de la version 2 Go, que l'on pourrait plutôt imaginer pour les solutions d'entrée de gamme démontre une fois de plus que ce type de technologie va prendre du temps à apparaître sur ce segment.

A noter que concernant la différence de consommation en passant d'un module 4Hi à 8Hi, SK Hynix n'a pas voulu communiquer de nombre précis mais après insistance nous a indiqué qu'il s'agissait d'un nombre à un chiffre, et que la différence n'aurait ainsi qu'un impact limité au vu de la consommation des GPU haut de gamme qui y seront associés. Ce ne serait donc pas un frein pour doubler la mémoire d'un Tesla P100 par exemple.

La mémoire HBM 2 Samsung exploitée par Nvidia sur le Tesla P100 a la particularité d'être de hauteur identique à celle du GPU GP100, ce qui facilite le refroidissement de l'ensemble. Pour cela, l'épaisseur de la dernière couche de DRAM a été adaptée à celle du GPU en prenant en compte tous les éléments de la chaîne d'assemblage, comme vous pouvez l'observer ci-dessous (le spacer est en fait la dernière couche de DRAM) :

Pour la mémoire HBM 2, et contrairement à la HBM 1, SK Hynix fait de même et propose une production personnalisée avec épaisseur variable des modules. Pour le fabricant ce n'est pas un souci dans un premier temps puisque cette mémoire correspond de toute manière à des commandes spécifiques. Par contre à l'avenir, SK Hynix s'attend à ce que le JEDEC standardise ce point ou tout du moins en limite les variantes à 2 ou 3 chaînes de production.

Samsung grave la DRAM en 1xnm

Tags : DDR4; Samsung;
Publié le 05/04/2016 à 15:40 par / source: Samsung
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Samsung annonce qu'il a débuté en volume la production de puces DDR4 de 1 Go gravées avec un procédé de "classe 10nm". Samsung a déjà utilisé ce terme par le passé pour le 20nm, cela signifie en fait que le procédé se situe entre 10 et 19nm, bien entendu plus proche de cette dernière borne mais sans plus de précision. Le passage au 20 s'est pour rappel fait à partir de mars 2014.

Il indique avoir fait appel au quadruple patterning pour la gravure de la puce qui serait plus économe en énergie de 10 à 20% par rapport à la version 20nm. De plus alors que les puces 20nm étaient officiellement certifiées jusqu'en DDR4-2400, celles-ci peuvent désormais atteindre le mode DDR4-3200.

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