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Des Corsair Force LS moins rapides

Publié le 15/04/2015 à 16:22 par
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Si nous évoquions hier l'arrivée des Corsair Force LS en version 480 et 960 Go, un autre détail nous avait échappé, relevé par nos confrères lesnumériques. Nous ne l'avions pas remarqué, mais courant mars, Corsair a également « mis à jour » sa gamme Force Series LS de plus basse capacité (60/120/240 Go) en introduisant une version « B » de leurs modèles. Si l'on regarde le site du constructeur (en version Globale), on note pour chacune des trois capacités inférieures la présence de versions « b », moins chères, mais aux performances différentes.


L'ancienne version, sans "b" à la fin de la référence

Ainsi, sur les performances en écritures annoncées on passe de 450 à 320 Mo/s sur les modèles 240 Go, de 450 à 440 sur les modèles 120 Go, et de 450 à 440 Mo/s sur les modèles de 60 Go pour les données fournies « comparables », à savoir le meilleur résultat obtenu sous ATTO.

Pour les modèles « b » Corsair ajoute des performances en écriture sous CrystalDiskMark qui expliquent en partie l'aberration du modèle 240 Go plus lent que les capacités inférieures, les performances en écriture respectives des trois capacités sont alors de 320, 140 et 140 Mo/s. Des chiffres, bien évidemment, fort faibles.

Si Corsair se justifiera en indiquant que les nouveaux modèles disposent d'une référence différente (CSSD-F120GBLSB contre CSSD-F120GBLS), en pratique les noms des produits restent les mêmes chez les revendeurs (ou sur le site de Corsair) qui proposent encore en parallèle les deux versions avec des noms identiques, l'un étant simplement moins cher que l'autre. Pire, certains revendeurs dans leurs fiches produits ont gardé la description (et les débits) de la version précédente. Dans tous les cas, la confusion pour l'acheteur éventuel, même éclairé qui tenterait de regarder des tests de performances dans la presse spécialisée sera totale, les produits étant généralement testés lors de leur sortie, sur la première version.


La fiche produit de la version « B » chez un marchand en ligne. Si les spécifications techniques plus bas dans la page sont conformes, la description ne l'est pas.

Remplacer des modèles par d'autres en cours de vie n'est bien entendu pas une nouveauté dans l'informatique, particulièrement sur l'entrée de gamme, et si Corsair n'est pas le seul à pratiquer cela, il est tout de même coutumier du fait, nous l'avions vu également sur les clefs USB 3.0.

Combiné au fait de ne fournir que des chiffres de performances opaques (les scores ATTO, le benchmark le plus généreux car utilisant des données fortement compressibles, et pour lequel de nombreux contrôleurs sont optimisés - là encore une pratique qui touche largement les constructeurs) et un strict minimum de caractéristiques techniques (on ne sait pas si le contrôleur utilisé est toujours un Phison comme annoncé en 2013, ou s'il s'agit d'une autre marque/modèle qui peut avoir un impact net sur les performances pratiques) ne fait qu'ajouter au flou pour les clients, pour un changement silencieux, quasi invisible, et probablement négatif qui n'aura même pas été mentionné dans le communiqué de presse du constructeur annonçant les nouvelles capacités (ni dans un autre).

Samsung SM951-NVMe en production

Publié le 15/04/2015 à 11:55 par
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Nous vous avions parlé en début d'année du SM951 de Samsung. Ce SSD au format M.2 utilise le bus PCI Express 3.0 sur 4 lignes, permettant de dépasser théoriquement les 2 Go/s (par rapport aux modèles PCIe 2.0). En pratique Samsung annonçait à l'époque atteindre les 2.15 Go/s en lecture, et 1.55 Go/s en écriture.


On notera sur l'étiquette que l'on est passé de 1A à 2.7A, laissant pense qu'il y avait bien un erreur sur l'étiquette photographiée dans notre actualité précédente

Si à l'origine le SM951 avait été présenté à la fois comme compatible avec les standards AHCI et NVMe, l'annonce de Samsung en janvier ne mentionnait que l'AHCI. On ne sera donc pas surpris de voir arriver aujourd'hui le SM951-NVMe, déclinaison compatible NVMe du même modèle qui est lui aussi entré en production d'après le communiqué du constructeur.

On notera que Samsung annonce des performances en pointe légèrement plus hautes, 2.26 Go/s en lecture et 1.6 Go/s en écriture. La grosse différence se présente au niveau des IOPS puisque l'on passe de 130K pour la version AHCI en lecture à 300K pour la version utilisant le protocole NVMe.

Ce disque reste pour l'instant réservé aux OEM et il est annoncé dans des capacités de 128, 256 et 512 Go.

Corsair Force LS en 480 et 960 Go

Publié le 14/04/2015 à 16:14 par
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Corsair avait lancé durant l'été 2013 une série de SSD visant plus particulièrement l'entrée de gamme, les Force Series LS. Des modèles qui se distinguaient notamment par l'utilisation d'un contrôleur Phison, mêlé à de la mémoire flash NAND Toggle Toshiba.


A l'époque, trois capacités étaient disponibles, 60, 120 et 240 Go. Corsair ajoute aujourd'hui deux capacités supplémentaires de 480 et 960 Go. La marque ne donne par contre aucun détail sur les composants qui sont utilisés pour composer ces nouvelles versions, se contentant de mentionner des débits maximums sous ATTO de 560 et 540 Mo/s respectivement en lecture et écriture (contre 560 et 535 Mo/s pour les modèles précédents), ce qui en pratique ne veut pas dire grand-chose, nous vous renvoyons à nos comparatifs de SSD pour plus de détails sur leur fonctionnement.

Côté prix, ces modèles commencent à être référencés et disponibles chez les revendeurs avec des prix aux alentours de 220 et 440 euros respectivement pour les modèles 480 et 960 Go.

Intel lance ses SSD 750 NVMe 400 Go et 1.2 To

Publié le 02/04/2015 à 18:00 par
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Oubliant un peu son compteur, c'est finalement en ce 2 avril qu'Intel a décidé de lancer officiellement sa nouvelle gamme de SSD PCI Express, les SSD 750. Nous vous avions déjà dévoilé les grandes lignes de ce que proposeraient ces produits dans cette actualité, il s'agit pour rappel d'une déclinaison « grand public » de sa dernière gamme professionnelle lancée l'année dernière.

 
 

Côté connectique, ces disques se retrouvent à la fois au format carte PCI Express 3.0 x4 et 2.5" utilisant un connecteur SFF-8639, Intel mettant en avant ce format pour des mini-PC haute performance de chez ASUS, Digital Storm et Falcon Northwest.

Côté performances on s'approche de ce que proposait le P3500 avec des débits séquentiels annoncés de 2,4 Go/s en lecture et 1,2 Go/s en écriture (contre 2,5 et 1,7 pour le P3500). On notera cependant une différence importante sur les écritures aléatoires 4K : le constructeur annonce 440K IOPS en lecture (contre 450K) mais surtout 290K en écriture, un chiffre largement en hausse puisqu'il n'était que de 35K sur le P3500, dépassant pour le coup toute la gamme pro (le P3700 2 To culmine à 175K IOPS en écritures aléatoires 4K). Des niveaux de performances qui font baver sur le papier, mais en pratique à ce jour seuls de très rares usages permettront d'avoir une différence visible par rapport un SSD 2.5" SATA classique.

Deux capacités, 400 Go et 1.2 To sont annoncées, utilisant toutes deux de la mémoire flash NAND MLC 20nm Intel. Les chiffres de performances du modèle 400 Go sont un peu inférieures à celles du modèle 1.2 To mais restent élevées comme vous pouvez le voir sur ce tableau :


On notera que les performances sont mesurées sur un segment de seulement 8 Go dans le tableau. La consommation annoncée n'est pas anodine : 4 watts au repos, 22 watts en écriture et 10 watts en lecture pour le modèle 1.2 To (4, 12, 9 pour le 400 Go), mais Intel a au moins intégré un radiateur qui devrait permettre de maintenir les performances en cas de charge continue ce qui n'est pas forcément le cas de certains SSD M.2 PCIe qui consomment moins et en sont dépourvus. Remarquons enfin que côté endurance, Intel annonce 5 années à 70 Go d'écriture par jour quelque soit la capacité (alors qu'en théorie le chiffre devrait être triplé sur le 1.2 To) tout en donnant un maximum à 219 To au total soit 71% de plus.

L'autre particularité technique de ces disques est qu'ils utilisent le NVMe, un protocole standard qui permet de réaliser des pilotes pour SSD PCI Express, à la manière de l'AHCI. Par rapport à ce dernier il améliore significativement les performances en réduisant la latence, augmentant le nombre de commandes qui peuvent être placées en queue (l'AHCI est limité à 32, le NVMe à 65536) et en supprimant les problèmes de synchronisations qui permettent de réaliser des pilotes multithreads efficaces. Un support natif de NVMe est disponible sous Windows 8.1 ou sous Linux (et Windows 7 via Hotfix), mais Intel fournit également son propre pilote pour Windows.

Côté tarif il faut compter 389$ pour le modèle 400 Go et 1029$ pour la version 1.2 To pour accéder aujourd'hui à cet avant-goût de ce que seront les SSD "classiques" dans quelques années. A quand une version 800 Go ?

Intel et Micron annoncent aussi leur 3D NAND

Tags : 3D NAND; Intel; Micron;
Publié le 27/03/2015 à 13:32 par
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Après l'annonce de Toshiba hier, Micron et Intel ont également annoncés leur version de mémoire NAND verticale, également appelée plus généralement 3D NAND.

Le principe de base de la 3D NAND est de changer la structure des cellules mémoires en transformant la structure planaire classique en une structure verticale que l'on empiler pour augmenter massivement la densité (plus de détails ici. En contrepartie, les fabricants utilisent des processus de fabrications plus anciens (40 nm par exemple pour la V-NAND de Samsung), mieux maitrisés ce qui permet d'envisager des perspectives d'évolution pour les années à venir.

 
 

Intel et Micron - comme Toshiba hier - n'ont pas été très précis sur le process de fabrication utilisé, même si l'on croit lire entre les lignes qu'il s'agit de 50nm. Par rapport à la NAND 50nm, la 3D NAND d'Intel augmente par 16 la densité (et par 2 par rapport à la NAND dernière génération). On retrouve chez Intel et Micron 32 couches superposées (identique a Samsung, 48 pour Toshiba) ce qui se concrétise par une densité de 256 Gbits pour des dies MLC, et 384 Gbits pour des dies TLC. Un pas en avant important en densité, pour rappel, la V-NAND TLC de première génération de Samsung ne propose « que » 128 Gbits (tout comme l'annonce de Toshiba d'hier). Samsung devrait entre cependant proposer sous peu de nouvelles densités.

Des premiers échantillons ont été produits et les deux sociétés devraient lancer la production en volume au quatrième trimestre, indiquant que les SSD 3D NAND dans les deux sociétés arriveront plutôt en 2016. En pratique, Intel et Micron annoncent pouvoir atteindre avec ces puces 3.5 To dans un format M.2, et 10 To dans un format 2.5 pouces. Pour atteindre cette densité, les sociétés empilent 16 dies dans un même package.


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