4 bits par cellule Flash chez Toshiba

Toshiba a indiqué lors du Flash Memory Summit qu'il travaillait à la mise au point de NAND 3D en technologie BiCS en version MLC, TLC mais aussi QLC, c'est-à-dire avec respectivement 2, 3 et 4 bits stockés dans une cellule. Pour arriver à un tel niveau il faudra une programmation très fine puisque sur le même intervalle il y'aura 16 plages de tension correspondant à 16 états différents (de 0000 à 1111) contre 4 en MLC.

Sandisk, avec lequel Toshiba est partenaire sur la Flash, avait annoncé en 2009 une première puce Flash avec 4 bits par cellule. A l'époque gravée en 43nm elle affichait une capacité record de 8 Go pour un die, mais s'était vu cantonnée à des cartes mémoires. Depuis à notre connaissance Sandisk n'a pas renouvelé l'expérience.

Il faut dire que la programmation d'une cellule Flash de ce type est plus lente et usera plus la cellule. Toshiba se veut toutefois rassurant en précisant que si on donne à la MLC 15nm actuelle un niveau d'endurance de 1, la TLC 15nm est à 0.5 alors que la BiCS MLC est à 6, la BiCS TLC à 3 et la BiCS QLC à 1.5. D'après le constructeur la NAND 3D avec 4 bits par cellule serait donc plus endurante que la NAND 2D 15nm actuelle avec 2 bits par cellule. Dans le même temps il indique pourtant que la QLC devrait être réservée aux SSD destinés à l'archivage, bien qu'il faille prendre certaines précautions pour cet usage. L'avenir nous dira ce qu'il en est vraiment !