La V-NAND Samsung en 48 couches et 32 Go

Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de sa troisième génération de V-NAND, le nom maison pour sa NAND 3D. Le gros changement est le passage à 48 couches, contre 32 pour la seconde génération lancée il y a un an et 24 pour la première qui a deux ans.

Le géant coréen en profite pour doubler la capacité qui passe à 32 Go par die en TLC (3 bits par cellule), contre 16 Go à l'heure actuelle, alors que la consommation serait réduite de 30% pour un même volume de données stockées. De quoi doubler la capacité des SSD Samsung V-NAND, alors que le 850 EVO atteignent déjà 2 To avec des die 16 Go ! En attendant Samsung a déjà annoncé que les 850 EVO allaient désormais être équipés de telles puces, reste à voir si cela aura une influence négative sur les performances des modèles aux plus petites capacités.

Cette nouvelle arrive quelque jours après celle de SanDisk et Toshiba qui ont annoncé une puce similaire il y a quelques jours, mais qui ne sera pas produite avant l'an prochain.