Micron : NAND 3D 64 couches pour cette année

Tags : 3D NAND; Micron;
Publié le 07/02/2017 à 11:19 par / source: AnandTech
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Lors d'une conférence donnée en fin de semaine dernière, Micron a fournit un aperçu de ce que sera son activité durant l'année 2017. Après Samsung et Toshiba, Micron promet aussi de la NAND 3D à 64 couches.

D'après la firme, ce passage à 64 couches va permettre d'accroître la densité de données de 80%, tout en réduisant le coût par bit de 30%, dans le cadre de la NAND TLC.

Plus intéressant encore, Micron semble décidé à jouer sur plusieurs tableaux, en optant pour deux tailles de die différentes. Dans le cadre du stockage "classique", l'entreprise vise des die de 512 Gb de mémoire TLC. Mais Micron a également en tête un format réduit à 59 mm², pour une capacité de 256 Gb. Ce qui en ferait le die de 256 Gb le plus compact sur le marché.

Micron pense évidemment au marché de la mobilité, dont les besoins en termes de capacité de stockage sont de plus en plus importants, toujours avec la même exigence sur la compacité. Un marché sur lequel Micron ambitionne de meilleurs résultats commerciaux que ceux réalisés actuellement.

Après cette NAND 3D de seconde génération, Micron espère débuter la confection de la troisième génération dès la seconde partie de l'année. Sans le dire, la firme évoque probablement la NAND 3D à 96 couches, à même d'augmenter la densité de données par wafer de plus de 40%, chiffre avancé lors de la conférence.

Parallèlement à ces avancées, Micron dit travailler également sur la mémoire QLC (quatre bits par cellule). La firme n'apporte toutefois aucune précision dans le domaine et relativise en précisant qu'elle ne fait, pour l'heure, qu'étudier le marché, afin de savoir quand il sera pertinent de se lancer sur le sujet. La QLC, du fait de sa faible endurance théorique, devra en effet être associée à une gestion fine de l'écriture, afin de rendre ces dernières aussi peu nombreuses que possible.

Enfin, Micron a indiqué vouloir débuter la transition du 20 nm vers le "1X" nm pour la DRAM, pour des économies espérées à la production de l'ordre 20%. La GDDR5 16 nm, notamment, devrait faire son apparition cette année.

Les procédés en 1Y et 1Z nm, plus fins mais sans plus de précisions, sont également prévus : le premier doit être testé dès la seconde partie de cette année (comme c'est le cas chez SK Hynix), avant une commercialisation espérée à horizon fin 2018.

Micron a été assez discret concernant 3D Xpoint, se contentant d'indiquer que cette mémoire était prête pour la commercialisation, et a précisé travailler sur une nouvelle technologie.

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