1x nm et NAND 3D 72 couches chez SK Hynix
A l'occasion de la présentation de ses résultats financiers, SK Hynix a réaffirmé sa volonté de voir 2017 comme l'année de la DRAM en 1x nm et de la NAND 3D 72 couches.
Il y a un peu plus de 5 ans, SK Hynix évoquait déjà sa "Middle-1x nm", qui supposait le passage à une gravure inférieure à 20 nm dès 2012 pour sa mémoire volatile. Nous sommes en 2017, et le coréen confirme : ça arrive !
Désormais nommée "1x nm", cette finesse de gravure (en réalité sans doute du 18 nm) sera, selon SK Hynix, prête à être utilisée dans ses usines dès la seconde partie de cette année, pour le lancement d'une production en masse. Pour rappel, Samsung grave déjà de la DRAM en 1x nm depuis avril dernier.
Parallèlement à la DRAM, SK Hynix a également évoqué la NAND 3D. Il prévoit de donner rapidement un successeur à son procédé 48 couches éprouvé depuis l'an dernier. La NAND 3D-V4 à 72 couches devrait ainsi faire son apparition cette année, via des modules de 256 Gb en TLC, tout d'abord, avant d'attaquer une déclinaison 512 Gb (toujours en TLC) en fin d'année. De quoi accroître la capacité des SSD actuels, même quand ces derniers sont contraints par un format de petite taille (M.2).
SK Hynix a enfin confirmé l'information selon laquelle il allait consacrer un second étage de son usine M14 pour produire davantage de NAND 3D, en réponse à la demande croissante du marché concernant ce type de mémoire et à la pénurie actuelle en la matière.
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