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OCZ lance le Vector 180

Publié le 25/03/2015 à 12:09 par
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Présenté au Computex l'année dernière puis de nouveau au CES, le nouveau SSD d'OCZ, le Vector 180, est officiellement lancé aujourd'hui.


Techniquement les caractéristiques de ce SSD sont proches de celles du Vector 150 avec un contrôleur Indilinx Barefoot 3 mêlé toujours à de la mémoire flash MLC Toshiba en 19nm, la révision mémoire changeant pour de la « A19nm » (Advanced 19nm), la seconde génération de mémoire flash NAND de Toshiba qui réduit la taille des puces d'environ 17%. Le disque introduit également des condensateurs afin de pouvoir sauver la mapping table qui est stockée dans la mémoire du contrôleur en cas de perte de courant et éteindre proprement le disque.

Pour le reste on retrouve des capacités théoriques identiques à celles du Vector 150, à savoir 550 et 530 Mo/s respectivement en lecture et écriture séquentielles pour les modèles 240 et 480 Go (seulement 450 Mo/s en écriture pour le modèle 120 Go). Un modèle 960 Go est également présenté, il diffère par l'utilisation de puces NAND de 128 Gbit (contre 64 pour les trois capacités inférieures).

Les premiers tests (chez nos confrères de Tech Report ou Anandtech) montrent un niveau de performance équivalent, voir légèrement au-dessus de ce que propose le Vector 150.

Côté prix les modèles sont annoncés respectivement 90, 150, 275 et 500 dollars pour les quatre capacités (120, 240, 480 et 960 Go) avec une garantie de cinq années.

Test d'endurance SSD, clap de fin à 2.4 Pétaoctets

Publié le 13/03/2015 à 10:03 par
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En août 2013, nos confrères de The TechReport ont lancé un test d'endurance sur 5 modèles de SSD, un sacerdoce qui aura duré 18 mois :

- Corsair Neutron GTX 240 Go
- Intel 335 240 Go
- Kingston HyperX 3K 240 Go
- Samsung 840 250 Go
- Samsung 840 Pro 256 Go

Le Kingston était présent deux fois dans le test, le premier étant testé avec des données incompressibles et l'autre avec des données compressibles. Les Kingston HyperX 3K, Intel 335, Samsung 840 et Corsair Neutron GTX ont craqué à environ 728, 750, 900 et 1200 To de données écrites, mais après deux lots d'erreurs incorrigibles pour le Samsung 840, dont une dès 300 To.


Il ne restait que le Samsung 840 Pro et le Kingston HyperX avec une charge compressible en course lors du dernier point à 2 Pétaoctets, mais ils ont également rendu les armes. Le second HyperX est mort après une coupure du courant qui a eu lieu alors qu'il en était à 1500 To d'écritures en Flash (pour 2100 To demandées par le système), soit un peu plus du double du premier exemplaire ce qui est la preuve d'une grande variabilité même si le SSD a subi deux erreurs incorrigibles à environ 750 To. Après cette coupure le disque est devenu inaccessible.

Dernier SSD en lice, le Samsung 840 Pro s'est pour sa part éteint après 2400 To écrits. Il en était alors à plus de 7000 secteurs ré-alloués soit 10,7 Go de Flash tout de même, seuls 20% des blocs en réserve étaient encore disponibles. C'est un peu après 400 To que la durée de vie officielle du SSD, visible via l'information SMART wear leveling count, a été atteinte mais ce n'est qu'au-delà de 700 To que les blocs ont commencé à être ré-alloués en masse avant donc d'atteindre cette panne à 2400 To. L'amplification en écriture étant très faible vu que la charge est purement séquentielle, ces chiffres correspondent respectivement à environ 1500, 2700 et 9300 cycles d'écritures.


Bien entendu vu la taille de l'échantillon et la variabilité de ce genre de test il n'est pas opportun de tirer de conclusions individuelles, néanmoins ce test démontre si il le fallait encore que ces SSD sont capables d'encaisser des volumes d'écritures bien supérieurs à ceux nécessaires pour un usage standard, ce dernier se situant à 10-20 Go par jour soit 18 à 36 To sur 5 ans. L'endurance n'est toutefois pas la seule problématique que doivent gérer les SSD modernes et leur Flash, pour preuve le souci de performance en lecture sur des données anciennes sur les Samsung 840 n'est pas mis en évidence par ce genre de test.

Firmware MU02 pour le Crucial MX100

Publié le 12/03/2015 à 08:31 par
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Crucial vient de mettre en ligne la première mise à jour du firmware pour le MX100 lancé il y a 9 mois. La mise à jour vers ce firmware MU02 est optionnelle, voici la liste des améliorations :

- Improved stability, Efficiency, and Performance during power state transitions
- Improved handling of environments with unstable power supplies
- Improved handling of environments with SATA interface signal integrity issues
- Improved response time for SMART read commands
- Corrected error handling NCQ Trim Commands
- Corrected reporting of SMART Attribute 5

Pour la mise jour il y a deux possibilités sont offertes, la première sous la forme d'une ISO téléchargeable sur cette page, la seconde via l'outil Crucial Storage Executive pour Windows 7 / 8. Notez toutefois que la mise à jour n'est pas encore disponible sous l'outil, on imagine que ce sera le cas dans les jours qui viennent.

Intel SSD 750 le 1er avril, sans poisson

Publié le 09/03/2015 à 10:36 par
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Intel a mis en ligne un compte à rebours qui se termine du fait du décalage horaire le 1er avril chez nous. Il est question de la prochaine révolution dans le domaine du SSD et cette vidéo de Newegg TV enregistrée à l'occasion du salon PAX East 2015 en dit un peu plus puisqu'on peut voir deux SSD, l'un au format carte fille et l'autre en 2.5" 15mm, annoncés comme disposant du protocole NVMe et tirant partie du PCIe Gen3.


Il s'agit sans aucun doute des Intel SSD 750 dont nous vous avions déjà parlé mi-février et qui sont des déclinaisons "enthusiast" des Intel SSD DC P3500 qui atteignent 2.5/1.7 Go /s et 450K/35K IOPS en lecture/écriture.

Micron affûte ses armes pour la NAND 3D

Tags : 3D NAND; IMFT; Intel; Micron;
Publié le 03/03/2015 à 16:28 par
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Micron vient d'annoncer que les travaux visant à doubler la capacité de production de sa Fab10 de Singapour avaient débutés. Avec 23 700m² supplémentaires, cette extension nommée F10X permettra à elle-seule de graver de la NAND 3D Micron de 2nde génération sur 140 000 wafers par mois, soit le niveau actuel de production de la Fab 10 qui produit pour l'instant de la NAND 16nm.


Micron a également donné quelques détails supplémentaires sur ses avancées côté NAND lors d'une conférence destinée aux analystes en février. On a notamment appris à cette occasion de la 16nm TLC était actuellement produite à Singapour et que le fabricant avait pour intention de lancer des SSD l'utilisant au second semestre. Pour la suite Micron mise à 100% sur la NAND 3D et la première génération devrait pour sa part être produite à compter de la mi-2015, pour une introduction sur des SSD en toute fin d'année.

 
 

Micron travaille pour rappel conjointement avec Intel sur cette NAND 3D, un domaine dans lequel ils accusent du retard sur Samsung. Ils ont toutefois l'intention de le rattraper ce retard avec une puce 256 Gb 32 couches qui offrira une meilleure densité par mm² que Samsung et un coût inférieur. On notera que si les projections de coût font état de versions MLC et TLC pour la NAND 3D 32 couches, pour les futures versions générations 48, 64 et 96 couches seule la TLC est mentionnée. Actuellement en développement, la NAND 3D de 2nde génération qui sera produite dans l'extension de F10X débarquera un an après la 1ère, suivie un an plus tard de la 3è génération.


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