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Corsair Force LS en 480 et 960 Go

Publié le 14/04/2015 à 16:14 par
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Corsair avait lancé durant l'été 2013 une série de SSD visant plus particulièrement l'entrée de gamme, les Force Series LS. Des modèles qui se distinguaient notamment par l'utilisation d'un contrôleur Phison, mêlé à de la mémoire flash NAND Toggle Toshiba.


A l'époque, trois capacités étaient disponibles, 60, 120 et 240 Go. Corsair ajoute aujourd'hui deux capacités supplémentaires de 480 et 960 Go. La marque ne donne par contre aucun détail sur les composants qui sont utilisés pour composer ces nouvelles versions, se contentant de mentionner des débits maximums sous ATTO de 560 et 540 Mo/s respectivement en lecture et écriture (contre 560 et 535 Mo/s pour les modèles précédents), ce qui en pratique ne veut pas dire grand-chose, nous vous renvoyons à nos comparatifs de SSD pour plus de détails sur leur fonctionnement.

Côté prix, ces modèles commencent à être référencés et disponibles chez les revendeurs avec des prix aux alentours de 220 et 440 euros respectivement pour les modèles 480 et 960 Go.

Intel lance ses SSD 750 NVMe 400 Go et 1.2 To

Publié le 02/04/2015 à 18:00 par
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Oubliant un peu son compteur, c'est finalement en ce 2 avril qu'Intel a décidé de lancer officiellement sa nouvelle gamme de SSD PCI Express, les SSD 750. Nous vous avions déjà dévoilé les grandes lignes de ce que proposeraient ces produits dans cette actualité, il s'agit pour rappel d'une déclinaison « grand public » de sa dernière gamme professionnelle lancée l'année dernière.

 
 

Côté connectique, ces disques se retrouvent à la fois au format carte PCI Express 3.0 x4 et 2.5" utilisant un connecteur SFF-8639, Intel mettant en avant ce format pour des mini-PC haute performance de chez ASUS, Digital Storm et Falcon Northwest.

Côté performances on s'approche de ce que proposait le P3500 avec des débits séquentiels annoncés de 2,4 Go/s en lecture et 1,2 Go/s en écriture (contre 2,5 et 1,7 pour le P3500). On notera cependant une différence importante sur les écritures aléatoires 4K : le constructeur annonce 440K IOPS en lecture (contre 450K) mais surtout 290K en écriture, un chiffre largement en hausse puisqu'il n'était que de 35K sur le P3500, dépassant pour le coup toute la gamme pro (le P3700 2 To culmine à 175K IOPS en écritures aléatoires 4K). Des niveaux de performances qui font baver sur le papier, mais en pratique à ce jour seuls de très rares usages permettront d'avoir une différence visible par rapport un SSD 2.5" SATA classique.

Deux capacités, 400 Go et 1.2 To sont annoncées, utilisant toutes deux de la mémoire flash NAND MLC 20nm Intel. Les chiffres de performances du modèle 400 Go sont un peu inférieures à celles du modèle 1.2 To mais restent élevées comme vous pouvez le voir sur ce tableau :


On notera que les performances sont mesurées sur un segment de seulement 8 Go dans le tableau. La consommation annoncée n'est pas anodine : 4 watts au repos, 22 watts en écriture et 10 watts en lecture pour le modèle 1.2 To (4, 12, 9 pour le 400 Go), mais Intel a au moins intégré un radiateur qui devrait permettre de maintenir les performances en cas de charge continue ce qui n'est pas forcément le cas de certains SSD M.2 PCIe qui consomment moins et en sont dépourvus. Remarquons enfin que côté endurance, Intel annonce 5 années à 70 Go d'écriture par jour quelque soit la capacité (alors qu'en théorie le chiffre devrait être triplé sur le 1.2 To) tout en donnant un maximum à 219 To au total soit 71% de plus.

L'autre particularité technique de ces disques est qu'ils utilisent le NVMe, un protocole standard qui permet de réaliser des pilotes pour SSD PCI Express, à la manière de l'AHCI. Par rapport à ce dernier il améliore significativement les performances en réduisant la latence, augmentant le nombre de commandes qui peuvent être placées en queue (l'AHCI est limité à 32, le NVMe à 65536) et en supprimant les problèmes de synchronisations qui permettent de réaliser des pilotes multithreads efficaces. Un support natif de NVMe est disponible sous Windows 8.1 ou sous Linux (et Windows 7 via Hotfix), mais Intel fournit également son propre pilote pour Windows.

Côté tarif il faut compter 389$ pour le modèle 400 Go et 1029$ pour la version 1.2 To pour accéder aujourd'hui à cet avant-goût de ce que seront les SSD "classiques" dans quelques années. A quand une version 800 Go ?

Intel et Micron annoncent aussi leur 3D NAND

Tags : 3D NAND; Intel; Micron;
Publié le 27/03/2015 à 13:32 par
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Après l'annonce de Toshiba hier, Micron et Intel ont également annoncés leur version de mémoire NAND verticale, également appelée plus généralement 3D NAND.

Le principe de base de la 3D NAND est de changer la structure des cellules mémoires en transformant la structure planaire classique en une structure verticale que l'on empiler pour augmenter massivement la densité (plus de détails ici. En contrepartie, les fabricants utilisent des processus de fabrications plus anciens (40 nm par exemple pour la V-NAND de Samsung), mieux maitrisés ce qui permet d'envisager des perspectives d'évolution pour les années à venir.

 
 

Intel et Micron - comme Toshiba hier - n'ont pas été très précis sur le process de fabrication utilisé, même si l'on croit lire entre les lignes qu'il s'agit de 50nm. Par rapport à la NAND 50nm, la 3D NAND d'Intel augmente par 16 la densité (et par 2 par rapport à la NAND dernière génération). On retrouve chez Intel et Micron 32 couches superposées (identique a Samsung, 48 pour Toshiba) ce qui se concrétise par une densité de 256 Gbits pour des dies MLC, et 384 Gbits pour des dies TLC. Un pas en avant important en densité, pour rappel, la V-NAND TLC de première génération de Samsung ne propose « que » 128 Gbits (tout comme l'annonce de Toshiba d'hier). Samsung devrait entre cependant proposer sous peu de nouvelles densités.

Des premiers échantillons ont été produits et les deux sociétés devraient lancer la production en volume au quatrième trimestre, indiquant que les SSD 3D NAND dans les deux sociétés arriveront plutôt en 2016. En pratique, Intel et Micron annoncent pouvoir atteindre avec ces puces 3.5 To dans un format M.2, et 10 To dans un format 2.5 pouces. Pour atteindre cette densité, les sociétés empilent 16 dies dans un même package.

3D NAND 48 couches chez Toshiba

Publié le 26/03/2015 à 14:54 par
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Toshiba vient d'annoncer avoir produit des puces mémoires flash (NAND) à construction verticale (souvent appelée 3D NAND) à 48 couches. Pour rappel, en 2007 Toshiba avait été le premier à produire une technologie de mémoire ou l'organisation des cellules se fait non plus de manière horizontale comme traditionnellement, mais cette fois ci de manière verticale.


La mémoire NAND traditionnelle au milieu en haut peut être empilée (Stack), la stratégie classique que l'on voit à droite, ou bien transposée verticalement (le chemin de gauche) pour réaliser une structure appelée BiCS par Toshiba qui peut être vue comme le pendant du FinFET pour la NAND

En 2007, Toshiba ne précisait pas le nombre de couches qu'il avait réussi à superposer dans sa structure mais évoquait dans son communiqué de presse le nombre de 32 pour expliquer les difficultés de l'empilement. Presque huit années après, le constructeur indique aujourd'hui avoir produit des puces 48 couches de 128 Gbits (16 Go) qui sont disponibles dès aujourd'hui sous la forme d'échantillons.

Toshiba indique également qu'il commercialisera cette mémoire à partir de 2016, elle sera fabriquée en volume dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon. En 2014, Toshiba avait annoncé remplacer cette ancienne usine par une nouvelle qui serait capable de produire de la mémoire NAND classique et « 3D » à compter de 2016. Le communiqué de la marque indique que la Fab2 devrait être opérationnelle durant la première moitié de 2016.

Cette structure de mémoire permet théoriquement d'augmenter fortement la densité même si pour l'instant, il faut se contenter de puces 128 Gbits pour ce premier échantillon. On rappellera que si Toshiba a été pionnier de cette technologie, Samsung avait été le premier à lancer la production de sa propre version de mémoire NAND verticale, baptisée V-NAND en 2013. Si l'agencement technique semblait légèrement différent du BiCS de Toshiba (voir notre article), le principe de base reste le même.

Cette V-NAND s'est ainsi retrouvée dans les SSD 850 Pro du constructeur sous la forme de puces fabriquées dans un process 40 nanomètres et empilant 32 couches. De son côté, si Toshiba met en avant l'empilement de 48 couches, on ne connait pas encore la finesse de gravure qui sera utilisée. Plus de détails seront probablement dévoilés d'ici à l'année prochaine. Pour le reste de la concurrence, Intel et Micron devraient proposer leur version 3D NAND 32 couches au second semestre 2015, tandis qu'il faudra attendre 2016 pour Hynix.

Kingston lance ses SSD HyperX Predator M.2

Publié le 25/03/2015 à 14:18 par
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Le constructeur Kingston vient d'annoncer la disponibilité de ses nouveaux SSD PCI Express HyperX Predator. Au format M.2, ces disques avaient été présentés lors du dernier CES.

 
 

Ces disques utilisent un contrôleur Marvell 88SS9293 qui s'interface en PCI Express 2.0 x4. Outre la compacité du format M.2, l'interfaçage direct par le PCI Express permet de dépasser les limites du SATA 6 Gbps, l'HyperX Predator annonçant des débits maximums de 1.4 Go/s en lecture et 1 Go en écriture.

Ces disques sont disponibles nus, ou avec une carte optionnelle adaptatrice PCI Express/M.2. Comme indiqué dans notre actualité du CES, seuls les modèles 240 et 480 Go sont introduits aujourd'hui, un modèle 960 Go suivra un peu plus tard. Côté prix, il faudra compter 280 euros pour le modèle 240 et près de 600 pour le modèle 480 Go, la carte adaptatrice engendrant un surcoût d'une cinquantaine d'euros environ.


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