Actualités ssd

Adaptateur M.2 vers U.2 chez MSI

Publié le 15/09/2015 à 09:28 par
Envoyer Imprimer

Après ASUS il y a quelques mois déjà c'est au tour de MSI de lancer un adaptateur M.2 vers U.2. U.2 est le nouveau nom du connecteur anciennement connu comme SFF-8639, il permet à l'instar du M.2 d'utiliser jusqu'à 4 lignes PCIe soit 4 Go /s en Gen3. Le SATA Express, qui reste orphelin de disque, se limite pour rappel à 2 lignes et les connecteurs sont plus gros du fait de la compatibilité SATA.


La présence d'un packaging montre que MSI compte vendre cet adaptateur séparément, mais on ne sait pas encore si il sera distribué en France et à quel tarif. Il est également possible qu'il soit livré avec des cartes mères haut de gamme. Le premier SSD "grand public" utilisant un connecteur U.2 est l'Intel SSD 750 2.5".

IDF: Revodrive 400 chez OCZ

Publié le 20/08/2015 à 02:24 par
Envoyer Imprimer

De nombreuses sociétés disposent de stands pendant l'IDF et nous avons pu croiser sur celui d'OCZ leur prochain Revodrive 400. Il s'agit d'un disque au format M.2/NVMe (PCIe 3.0 x4) qui utilise à la fois un contrôleur et de la NAND en provenance de chez Toshiba.


Le firmware est actuellement en cours de finalisation, les spécifications devraient arriver d'ici au mois d'octobre mais des débits séquentiels aux alentours de 2 Go/s sont attendus. Le modèle présenté était une version 512 Go même si un modèle 1 To est au programme.

4 bits par cellule Flash chez Toshiba

Tag : Toshiba;
Publié le 12/08/2015 à 15:38 par / source: Custom PC Review
Envoyer Imprimer

Toshiba a indiqué lors du Flash Memory Summit qu'il travaillait à la mise au point de NAND 3D en technologie BiCS en version MLC, TLC mais aussi QLC, c'est-à-dire avec respectivement 2, 3 et 4 bits stockés dans une cellule. Pour arriver à un tel niveau il faudra une programmation très fine puisque sur le même intervalle il y'aura 16 plages de tension correspondant à 16 états différents (de 0000 à 1111) contre 4 en MLC.

Sandisk, avec lequel Toshiba est partenaire sur la Flash, avait annoncé en 2009 une première puce Flash avec 4 bits par cellule. A l'époque gravée en 43nm elle affichait une capacité record de 8 Go pour un die, mais s'était vu cantonnée à des cartes mémoires. Depuis à notre connaissance Sandisk n'a pas renouvelé l'expérience.

 
 

Il faut dire que la programmation d'une cellule Flash de ce type est plus lente et usera plus la cellule. Toshiba se veut toutefois rassurant en précisant que si on donne à la MLC 15nm actuelle un niveau d'endurance de 1, la TLC 15nm est à 0.5 alors que la BiCS MLC est à 6, la BiCS TLC à 3 et la BiCS QLC à 1.5. D'après le constructeur la NAND 3D avec 4 bits par cellule serait donc plus endurante que la NAND 2D 15nm actuelle avec 2 bits par cellule. Dans le même temps il indique pourtant que la QLC devrait être réservée aux SSD destinés à l'archivage, bien qu'il faille prendre certaines précautions pour cet usage. L'avenir nous dira ce qu'il en est vraiment !

SSD de 15,36 To chez Samsung !

Tags : 3D NAND; Samsung;
Publié le 12/08/2015 à 10:07 par / source: PC Perspective
Envoyer Imprimer

Samsung vient d'annoncer un SSD d'une capacité record, le PM1633a qui atteindra une capacité de 15,36 To. Utilisant la dernière V-NAND de 3è génération en TLC offrant 32 Go par die, il dépasse au passage la capacité du plus gros disque dur, 10 To, le tout dans un format 2.5" avec certes 9,5mm de hauteur. Il est possible d'intégrer 48 de ces SSD dans 2U, ce qui permet d'atteindre les 737 To ! Le tarif n'est pas précisé, il sera forcément très élevé, mais on n'a rien sans rien…

 
 

La V-NAND Samsung en 48 couches et 32 Go

Tags : 3D NAND; Samsung;
Publié le 11/08/2015 à 13:32 par
Envoyer Imprimer

Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de sa troisième génération de V-NAND, le nom maison pour sa NAND 3D. Le gros changement est le passage à 48 couches, contre 32 pour la seconde génération lancée il y a un an et 24 pour la première qui a deux ans.


Le géant coréen en profite pour doubler la capacité qui passe à 32 Go par die en TLC (3 bits par cellule), contre 16 Go à l'heure actuelle, alors que la consommation serait réduite de 30% pour un même volume de données stockées. De quoi doubler la capacité des SSD Samsung V-NAND, alors que le 850 EVO atteignent déjà 2 To avec des die 16 Go ! En attendant Samsung a déjà annoncé que les 850 EVO allaient désormais être équipés de telles puces, reste à voir si cela aura une influence négative sur les performances des modèles aux plus petites capacités.

Cette nouvelle arrive quelque jours après celle de SanDisk et Toshiba qui ont annoncé une puce similaire il y a quelques jours, mais qui ne sera pas produite avant l'an prochain.


Top articles