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Seagate et Micron viennent d'annoncer un accord stratégique visant d'une part à collaborer sur de nouveaux SSD SAS et d'autre part à sécuriser l'approvisionnement en Flash de Seagate auprès de Micron. L'accord porte sur plusieurs années, mais aucun autre détail n'est donné.

Ce type de partenariat n'est pas une nouveauté en soit, puisque Hitachi GST et Intel avaient annoncé leur collaboration pour les SSD professionnels dès 2008 alors que Seagate, déjà lui, s'était associé à Samsung en 2010 afin de développer un contrôleur.

A l'instar de Western Digital, Seagate essaie de se positionner tant bien que mal sur le marché du SSD, notamment au travers d'investissements et de rachats. En 2013 Seagate a ainsi investit dans eASIC, un développeur de contrôleurs, avant de racheter SandForce en 2014. Il manque néanmoins à ces deux géants du disque dur la production de la Flash pour vraiment peser sur ce marché.

La Resistive RAM (RRAM ou ReRAM) a refait parler d'elle lors de l'IEEE International Electron Devices Meeting qui a eu lieu en cette fin d'année à San Francisco. Pour rappel cette mémoire non volatile est une des candidates à la succession de la Flash pour le stockage, avec entre autre des accès aléatoires bien plus rapides, une endurance accrue et la possibilité à termes d'être gravée avec une finesse de 4-5nm. D'autres technologies sont en concurrence comme la Phase-change RAM (PRAM) ou la Spin-Torque-Transfer RAM (STT RAM).

Micron et Sony, qui avaient annoncé avoir produit une puce de 2 Go en février dernier, ont donné quelques résultats obtenus en pratique sur leur puce. En pratique ils ont pu atteindre les 900 Mo /s en lecture avec une latence de 2,3 µs, là où le design permet en théorie d'atteindre 1 Go et 2 µs. En écriture la vitesse est de 180 Mo /s contre 11,7 µs, le design permettant au maximum d'atteindre 200 Mo /s et 10 µs.



La start-up Crossbar, qui avait fait parler d'elle l'an passé, a également indiqué  avoir effectué des avancées qui lui permettront à terme de produire de la RRAM "3D". La première implémentation pourrait arriver en 2017 sous la forme d'une puce de 128 Go sur 16 couches fabriquée en 28nm.

Lors d'une conférence destinée aux investisseurs, Intel a dévoilé quelques informations sur sa prochaine génération de NAND 3D qui verra le jour en 2015. Le constructeur prévoit une densité par die de 256 Gbits en MLC, le double des puces "2D actuelles" et quasi 3x plus que la dernière génération de V-NAND Samsung 40nm qui atteint 86 Gbits en MLC.

Pour ce faire Intel, qui travaille sur le sujet avec Micron au sein de leur joint-venture IMFT, utilise probablement une finesse de gravure plus fine puisque dans les deux cas le nombre de couches est de 32. On ne connait par contre pas la taille du die en comparaison de celui de Samsung, mais Intel met en avant une percée en termes de coût de production par rapport à la V-NAND Samsung. Ce dernier devrait toutefois répondre au second semestre 2015 avec une nouvelle génération de V-NAND.


Intel profite de cette densité accrue pour annoncer qu'il serait possible d'obtenir une capacité de stockage de 1 To sur seulement 2mm de hauteur, logiquement en empilant 32 de ces die, et qu'il sera également possible d'utiliser ce type de puce pour atteindre des capacités supérieures à 10 To des SSD (professionnels, même si ce n'est pas précisé).

Les autres constructeurs ont également dans leur carton de la NAND 3D, mais il faudra a priori attendre 2016 chez SanDisk/Toshiba comme chez Hynix.

Micron vient d'annoncer un nouveau SSD, le M600. Pour l'instant réservé aux OEM et à l'intégration en attendant d'être probablement décliné sous la marque Crucial, ce M600 fait appel comme le M550 à un contrôleur Marvell 88SS9189 mais le combine cette fois avec de la mémoire MLC 16nm au lieu de la 20nm. Ce type de mémoire a initialement été introduit sur les MX100 256 et 512 Go.

Le M600 sera disponible en versions 128 Go à 1 To en 2.5", et 128 Go à 512 Go en mSATA et M.2, l'interface étant dans tous les cas de type SATA 6 Gb/s. Côté performances Micron annonce juste des chiffres maximums sans préciser la capacité, avec :

- 560 Mo /s en lecture séquentielle
- 510 Mo /s en écriture séquentielle
- 100 000 IOPS en lecture séquentielle
- 88 000 IOPS en écriture séquentielle

On est donc très légèrement au-dessus de ce qu'offrent les plus gros M550 (550/500/95K/85K). L'endurance est de 100 To sur la version 128 Go (55 Go / jours pendant 5 ans), 200 To en 256 Go, 300 To en 512 Go et 400 To en 1 To (bizarrement ce devrait plutôt être 400 et 800 pour ces deux derniers). Les Crucial M500, M550 et MX100 étant pour leur part tous certifiés pour 72 To quelle que soit leur capacité, on note une amélioration sur ce point ou tout du moins des caractéristiques plus logiques.

On notera l'apparition d'une nouvelle fonctionnalité dénommée Dynamic Write Acceleration, qui n'est ni plus ni moins que l'implémentation du "Mode SLC" implémenté par OCZ depuis quelques années déjà et que nous avions entre autre pointé du doigt sur cette page. Cette fonction est activée en 2.5" sur les versions 128 et 256 Go, et sur toutes les capacités en mSATA et M.2.

Pour faire simple, les données sont d'abord écrites de la manière la plus rapide possible sur la Flash, c'est-à-dire en ne stockant que le premier bit sur chaque cellule MLC. Cela permet ainsi d'accélérer grandement les écritures sur environ la moitié de l'espace disponible, la contrepartie étant que dans un second temps il faut réécrire toutes ces données de manière classique (deux bits par cellule) afin d'avoir de nouveau droit à ce mode Turbo.

L'avantage pour Micron est évident, il permet au constructeur d'afficher même sur le Crucial M600 en version 128 Go un débit séquentiel maximal en écriture élevé, 466 Mo /s, là ou un M500 était à 130 Mo /s, un M510 à 187 Mo /s et un M550 à 350 Mo /s (grâce à l'utilisation de 64 Gb sur ce dernier), ce qui lui permet de rejoindre OCZ, Toshiba ainsi que Samsung et même Sandisk (nous y reviendront ce jour) dans ce domaine. Les contreparties sont de plusieurs niveaux.


La première et comme le montre le graphique ci-dessus issue de la documentation Micron, si on écrit un gros volume de donnée d'une traite, les données n'ont pas le temps d'être réécrites de manière classique et au-delà de 46% de l'espace disponible le débit chute au niveau classique de la MLC, 160 Mo /s, alors qu'après 58% on tombe à 50 Mo /s, un niveau très bas puisqu'en sus d'écrire les données le contrôleur doit en même temps libérer de l'espace en réécrivant les données initialement écrites en "SLC".

Bien entendu dans la majorité des cas on n'écrit pas un volume si important d'une traite, mais l'autre contrepartie impacte tout le monde puisque les données sont écrites deux fois en flash. Une fois de manière rapide (2 bits = 2 cellules), puis on a droit à une opération de lecture de ces deux cellules puis une écriture des 2 bits dans 1 cellule. Dans le pire des cas, au lieu d'écrire une cellule, on va donc écrire 3 cellules et en lire 1, même si il faut noter que l'écriture initiale use nettement moins la cellule qu'une écriture classique.

Micron indique que les SSD disposant de Dynamic Write Acceleration disposent pour compenser ceci d'algorithmes de gestion de NAND augmentant de 50% son endurance par rapport aux SSD sur lesquels la fonction n'est pas activée. On se demande surtout pourquoi les SSD classiques n'y ont pas droit.

L'autre contrepartie c'est bien entendu le surplus de consommation entrainé par ces opérations supplémentaires. Ironiquement le document de Micron sur la DWA  met en avant le contraire, en ne parlant que de l'écriture initiale et en omettant purement les opérations de lectures et réécritures qui suivront. C'est pour cette raison que la fonction DWA est activée quelle que soit la capacité sur M.2 et mSATA, alors que la version 512 Go est épargnée en 2.5", ce qui parait pour le moins incohérent.

Il parait clair que Micron a avant tout cédé ici aux sirènes du marketing et que DWA est là pour permettre d'afficher, comme le font malheureusement d'autres concurrents, de gros débits en écritures sur les petites capacités mais qui ne sont ni soutenus ni sans contrepartie. Une situation très regrettable qui n'a rien de nouveau, puisqu'avant ce type de mécanisme il se posait déjà le problème des débits affichés sur les SSD en SandForce. A défaut d'un retour en arrière, le minimum serait que les constructeurs ne communiquent plus un débit maximal pour ce type de SSD mais un intervalle !

Nos confrères de VR-Zone ont publié un slide  indiquant que la prochaine génération de contrôleurs de SSD SandForce, la famille SF3700 annoncée en 2013, pourrait arriver au quatrième trimestre. Fabriquée en 40nm, la famille SF3700 comporte quatre déclinaisons qui ont pour particularité de proposer à la fois une interface Serial ATA 6 Gb/s et une interface PCI Express 2.0 (x2 ou x4 selon les modèles).

Quelques nouvelles avaient filtrées en juin lors du Computex (voir cette actualité) où les livraisons étaient estimées quelque part dans le second semestre.

Selon nos confrères, la révision B0 des contrôleurs a déjà effectué son « tape-out  » et la livraison des premiers échantillons commencerait la semaine prochaine. Le début des commandes de la version finale (G.1.0) est prévu au quatrième trimestre, ce qui laisse penser que l'on verra au mieux arriver ces SSD en 2015 chez les divers clients de SandForce.

On notera au passage que la compatibilité avec la mémoire A19 de Toshiba (MLC utilisée par Plextor pour ses M6) ainsi que la Micron L95B (16nm, voir notre test du Crucial MX100) est évoquée pour une version beta à venir du firmware.

On rappellera que SandForce, division de LSI est actuellement en cours de rachat par Seagate (la finalisation de l'acquisition étant prévue pour le troisième trimestre). Les SF3700 ne seront cependant pas exclusifs au nouveau repreneur.