3D NAND en 2015 chez Intel / Micron

Lors d'une conférence destinée aux investisseurs, Intel a dévoilé quelques informations sur sa prochaine génération de NAND 3D qui verra le jour en 2015. Le constructeur prévoit une densité par die de 256 Gbits en MLC, le double des puces "2D actuelles" et quasi 3x plus que la dernière génération de V-NAND Samsung 40nm qui atteint 86 Gbits en MLC.

Pour ce faire Intel, qui travaille sur le sujet avec Micron au sein de leur joint-venture IMFT, utilise probablement une finesse de gravure plus fine puisque dans les deux cas le nombre de couches est de 32. On ne connait par contre pas la taille du die en comparaison de celui de Samsung, mais Intel met en avant une percée en termes de coût de production par rapport à la V-NAND Samsung. Ce dernier devrait toutefois répondre au second semestre 2015 avec une nouvelle génération de V-NAND.


Intel profite de cette densité accrue pour annoncer qu'il serait possible d'obtenir une capacité de stockage de 1 To sur seulement 2mm de hauteur, logiquement en empilant 32 de ces die, et qu'il sera également possible d'utiliser ce type de puce pour atteindre des capacités supérieures à 10 To des SSD (professionnels, même si ce n'est pas précisé).

Les autres constructeurs ont également dans leur carton de la NAND 3D, mais il faudra a priori attendre 2016 chez SanDisk/Toshiba comme chez Hynix.