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La ReRAM toujours aussi prometteuse...
Divers Mémoires
Publié le Mercredi 24 Décembre 2014 par Marc Prieur

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La Resistive RAM (RRAM ou ReRAM) a refait parler d'elle lors de l'IEEE International Electron Devices Meeting qui a eu lieu en cette fin d'année à San Francisco. Pour rappel cette mémoire non volatile est une des candidates à la succession de la Flash pour le stockage, avec entre autre des accès aléatoires bien plus rapides, une endurance accrue et la possibilité à termes d'être gravée avec une finesse de 4-5nm. D'autres technologies sont en concurrence comme la Phase-change RAM (PRAM) ou la Spin-Torque-Transfer RAM (STT RAM).


Micron et Sony, qui avaient annoncé avoir produit une puce de 2 Go en février dernier, ont donné quelques résultats obtenus en pratique sur leur puce. En pratique ils ont pu atteindre les 900 Mo /s en lecture avec une latence de 2,3 µs, là où le design permet en théorie d'atteindre 1 Go et 2 µs. En écriture la vitesse est de 180 Mo /s contre 11,7 µs, le design permettant au maximum d'atteindre 200 Mo /s et 10 µs.



La start-up Crossbar, qui avait fait parler d'elle l'an passé, a également indiqué  avoir effectué des avancées qui lui permettront à terme de produire de la RRAM "3D". La première implémentation pourrait arriver en 2017 sous la forme d'une puce de 128 Go sur 16 couches fabriquée en 28nm.

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