Les contenus liés au tag Micron

Intel et Micron viennent d'annoncer conjointement une nouvelle technologie de mémoire baptisée « 3D XPoint » (à prononcer « 3D Crosspoint »). Les deux sociétés ont présenté cette technologie comme une nouvelle classe de mémoire, à mi-chemin entre la DRAM et la NAND. Il s'agit d'une technologie mémoire non volatile (comme la NAND) mais annoncée comme significativement plus rapide.

Les deux sociétés ont été relativement muettes sur les détails mais on peut tirer quelques informations des grandes lignes qui ont été révélées. Techniquement on peut considérer 3D XPoint comme une « variante » de la NAND dont elle modifie les deux éléments principaux, le switch et la cellule de stockage.

Au niveau de la cellule de stockage, et contrairement à de la NAND, on ne retrouve plus de transistor : les données ne sont plus stockées sous forme d'électrons mais en utilisant le changement de propriétés des matériaux utilisés pour créer les cellules (les blocs jaunes/verts sur le schéma). Le type de matériaux utilisés (deux, étant donné les deux couleurs ?) n'est malheureusement pas précisé et l'on n'aura pas eu plus de détails sur le fonctionnement exact durant la présentation, même si Intel a confirmé à nos confrères d'EETimes  qu'il s'agissait bien de "changement de résistance", ce qui permet de classer 3D XPoint comme une variante de ReRAM. On sait que Micron s'intéresse à la ReRAM depuis un moment, par exemple avec cette recherche avec Sony, mais a l'époque le concept utilisé était différent, utilisant des transistors. D'un point de vue structurel, on semble s'approcher un peu plus de ce que proposait Crossbar, même si là encore l'absence de transistors est l'une des différences principale.

L'autre innovation se situe au niveau du switch qui permet de sélectionner les cellules auxquelles on souhaite accéder en faisant varier la tension, un mécanisme là aussi dénué de transistor. En pratique, exit le concept de blocs de la NAND, on peut lire et écrire les bits de données individuellement ! Qui plus est, il est possible de superposer ces structures switch/cellules en hauteur pour améliorer la densité.


Les deux sociétés se félicitent de gros chiffres qui malheureusement ne sont pas expliqués, avançant des performances 1000x supérieures à la mémoire NAND, sans préciser de quelle NAND il s'agit, ou même tout simplement du type d'opération concerné ! On suppose, à la lecture de certains documents qu'Intel ne parle pas de débits mais de latence puisqu'il annonce que contrairement à la NAND dont la latence est mesurée en microsecondes, la latence de XPoint est mesurée en nanosecondes (une affirmation bien floue !) [MAJ : Un document dédié aux équipes marketing d'Intel - voir en commentaires - semble confirmer qu'il s'agit bien de la latence qui est utilisée pour le facteur de 1000x évoqué. Un facteur de 10x entre la latence XPoint et DRAM est également sous entendu. Le même document évoque, par rapport aux offres NVMe actuelles, un avantage de 10x sans plus de détails ce qui est déjà plus raisonnable]. On imagine en pratique que l'écart sera surtout le plus visible sur les écritures aléatoires - ce qui a été vaguement sous-entendu lors de la session de questions/réponses - ou l'écart avec la NAND parait le plus élevé d'un point de vue technique. La question de l'écart de performance sur les opérations de lectures a été écartée par les représentants des sociétés. On se félicitera tout de même (avec les mêmes réserves) du fait que l'endurance est annoncée comme 1000x supérieure à la NAND.

Par rapport à la mémoire DRAM, les sociétés ne qualifient cependant pas le niveau de performances, indiquant juste que la densité est 10 fois plus élevée.

Pour le reste les détails sont minces, aucune information sur le process de fabrication utilisé n'a été donnée par exemple (certains de nos confrères indiquent un process 20nm, mais nous n'avons pas pu confirmer l'information). Pour ce qui est de produits en pratiques, le premier sera une puce de 128 Gbit qui à l'intérieur superpose deux couches de cette nouvelle structure switch/cellule. Des échantillons de ces puces devraient être disponibles « cette année » tandis que côté produits finaux il faudra attendre 2016.


En pratique ces puces devraient pouvoir permettre de réaliser, côté grand public, des SSD PCI Express très rapides dans toutes les circonstances même si la question du prix a été éludée. Intel a cependant parlé de l'intérêt de cette mémoire pour le jeu en général, laissant penser qu'il y aura des applications grand public. Au-delà du stockage, c'est surtout côté serveur que cette mémoire devrait se présenter comme un tiers intermédiaire entre la DRAM classique et la NAND, autour des applications type « big data ». La manière dont ces produits se matérialiseront, ou s'interconnecteront, reste malgré tout floue. Intel et Micron proposeront chacun de leurs côté des produits issus de la technologie.

Sans plus de détails sur le cout de la technologie ou ses performances réelles il est difficile d'en tirer plus, d'autant que le représentant de Micron a indiqué que cette technologie ne remplacerait pas la NAND 3D en tant que produit (nous supposons que la NAND 3D gardera, au moins au début, un avantage de cout massif). Malgré tout, les innovations techniques semblent extrêmement intéressantes et pourraient remplacer à terme la NAND traditionnelle. Nous espérons qu'Intel dévoilera un peu plus de détails techniques lors son traditionnel Intel Developer Forum qui se tiendra cette année du 18 au 20 août.

Selon les estimations du cabinet IHS publiées par ZD Net , Samsung est resté de loin le numéro un du SSD en 2014 avec 34% du marché mondial. Il est suivi par Intel et Sandisk qui se partagent chacun 17%, puis de Micron à 8%, Toshiba à 7%, Lite-On à 6%, WDC à 5%, Kingston à 3% et Seagate et SK Hynix à 1% chacun.

Nous ne disposons pas des estimations d'IHS pour les années précédentes, mais selon un autre institut (Gartner) le géant coréen était à 28,5% en 2013 contre 23,2% en 2012. Intel serait également en progression si un compare ces données après une baisse de 14,7% en 2012 à 13,1% en 2013 alors que Sandisk poursuit une croissance forte puisqu'il était à 5% en 2012 et 11,7% en 2013. Micron était pour sa part à 3,3% en 2012 et 6,9% en 2013, contre 9,2% et 5,6% pour Toshiba.

Micron vient d'annoncer que les travaux visant à doubler la capacité de production de sa Fab10 de Singapour avaient débutés. Avec 23 700m² supplémentaires, cette extension nommée F10X permettra à elle-seule de graver de la NAND 3D Micron de 2nde génération sur 140 000 wafers par mois, soit le niveau actuel de production de la Fab 10 qui produit pour l'instant de la NAND 16nm.

Micron a également donné quelques détails supplémentaires sur ses avancées côté NAND lors d'une conférence destinée aux analystes en février . On a notamment appris à cette occasion de la 16nm TLC était actuellement produite à Singapour et que le fabricant avait pour intention de lancer des SSD l'utilisant au second semestre. Pour la suite Micron mise à 100% sur la NAND 3D et la première génération devrait pour sa part être produite à compter de la mi-2015, pour une introduction sur des SSD en toute fin d'année.


Micron travaille pour rappel conjointement avec Intel sur cette NAND 3D, un domaine dans lequel ils accusent du retard sur Samsung. Ils ont toutefois l'intention de le rattraper ce retard avec une puce 256 Gb 32 couches qui offrira une meilleure densité par mm² que Samsung et un coût inférieur. On notera que si les projections de coût font état de versions MLC et TLC pour la NAND 3D 32 couches, pour les futures versions générations 48, 64 et 96 couches seule la TLC est mentionnée. Actuellement en développement, la NAND 3D de 2nde génération qui sera produite dans l'extension de F10X débarquera un an après la 1ère, suivie un an plus tard de la 3è génération.