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Lors d'une conférence donnée en fin de semaine dernière, Micron a fournit un aperçu de ce que sera son activité durant l'année 2017. Après Samsung et Toshiba, Micron promet aussi de la NAND 3D à 64 couches.

D'après la firme, ce passage à 64 couches va permettre d'accroître la densité de données de 80%, tout en réduisant le coût par bit de 30%, dans le cadre de la NAND TLC.

Plus intéressant encore, Micron semble décidé à jouer sur plusieurs tableaux, en optant pour deux tailles de die différentes. Dans le cadre du stockage "classique", l'entreprise vise des die de 512 Gb de mémoire TLC. Mais Micron a également en tête un format réduit à 59 mm², pour une capacité de 256 Gb. Ce qui en ferait le die de 256 Gb le plus compact sur le marché.

Micron pense évidemment au marché de la mobilité, dont les besoins en termes de capacité de stockage sont de plus en plus importants, toujours avec la même exigence sur la compacité. Un marché sur lequel Micron ambitionne de meilleurs résultats commerciaux que ceux réalisés actuellement.

Après cette NAND 3D de seconde génération, Micron espère débuter la confection de la troisième génération dès la seconde partie de l'année. Sans le dire, la firme évoque probablement la NAND 3D à 96 couches, à même d'augmenter la densité de données par wafer de plus de 40%, chiffre avancé lors de la conférence.

Parallèlement à ces avancées, Micron dit travailler également sur la mémoire QLC (quatre bits par cellule). La firme n'apporte toutefois aucune précision dans le domaine et relativise en précisant qu'elle ne fait, pour l'heure, qu'étudier le marché, afin de savoir quand il sera pertinent de se lancer sur le sujet. La QLC, du fait de sa faible endurance théorique, devra en effet être associée à une gestion fine de l'écriture, afin de rendre ces dernières aussi peu nombreuses que possible.

Enfin, Micron a indiqué vouloir débuter la transition du 20 nm vers le "1X" nm pour la DRAM, pour des économies espérées à la production de l'ordre 20%. La GDDR5 16 nm, notamment, devrait faire son apparition cette année.

Les procédés en 1Y et 1Z nm, plus fins mais sans plus de précisions, sont également prévus : le premier doit être testé dès la seconde partie de cette année (comme c'est le cas chez SK Hynix), avant une commercialisation espérée à horizon fin 2018.

Micron a été assez discret concernant 3D Xpoint, se contentant d'indiquer que cette mémoire était prête pour la commercialisation, et a précisé travailler sur une nouvelle technologie.

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

Le Flash Memory Summit est l'occasion de voir les différents acteurs du marché présenter leurs dernières innovations, mais aussi leurs nouveaux produits. Chez Seagate  on a d'abord le droit à un SSD PCIe 10 Go/s, quelque chose qui avait été montré un peu plus tôt cette année lors de l'OCP Summit.

Le produit à désormais un nom, le Nytro XP7200 NVMe SSD et il s'agit comme nous le devinions a l'époque de l'assemblage de quatre SSD Nytro XM1440 M.2. Si l'on en croit nos confrères d'Anandtech  cependant, il y a une subtilité : la carte n'inclut pas de switch PCIe pour muxer les lignes, Seagate exploiterait les 16 lignes PCIe comme quatre groupes x4 indépendants. En clair, le système (pour peu que le BIOS le supporte correctement) verra quatre disques indépendants sur lesquels il faudra ajouter un RAID logiciel côté système d'exploitation.

Pour ce qui est des performances, Seagate annonce 10 Go/s en lecture et 3.6 Go/s en écriture séquentielle, et respectivement 940k et 160k IOPS en lecture/écriture aléatoires pour une consommation de 26 watts en charge. Des modèles 4 To et 8 To sont au programme et la disponibilité est attendue au quatrième trimestre.

L'autre "gros morceau" de Seagate est un SSD SAS double port d'une capacité de 60 To. Le disque est au format 3.5 pouces et il utilise de la 3D NAND TLC en provenance de chez Micron. Des ponts ONFI sont utilisés pour multiplexer les canaux vers le contrôleur, ce qui aura bien évidemment un impact sur les performances en fonction des données auxquelles on accède.

Les spécifications finales et le prix seront connus un peu plus tard, ce SSD restant une démonstration technologique. Seagate annonce cependant qu'il lancera une version de ce SSD 60 To courant 2017.

Spin-off de JMicron, Maxiotek est un nouveau venu qui va se concentrer sur les contrôleurs pour SSD, en commençant pour les modèles à bas coûts. La société proposé notamment le MK8115 qui a la particularité de pouvoir fonctionner sans DRAM, ce qui permet de faire quelques économies. Ce contrôleur supporte toutes les fonctionnalités devenues classiques telles que le TRIM ou encore un cache de type SLC, ainsi que toutes les méthodes de cryptage courantes.

 

 

L'un des premiers partenaires de Maxiotek est le Taïwanais ADATA qui propose avec sa série SU700 des SSD 2.5" qui associent au MK8115 de la 3D NAND Micron MLC ou TLC. Les performances affichées sont similaires, cache SLC oblige, mais elles seront évidemment meilleures en pratique sur le modèle MLC qui profitera également d'une meilleure endurance.

Ces SSD sans DRAM sont mis en avant comme des solutions de remplacement pour les disques durs. Ils ne visent donc clairement pas les performances mais bien les plus petits prix possibles pour des capacités allant de 128 Go à 1 To. A noter que cette capacité est la plus élevée supportée par Maxiotek sans DRAM. Pour monter à 2 To il faudra passer au Maxiotek MK8113 qui est, lui, associé à une puce de DRAM.

Nous l'indiquions il y a peu, la 3D NAND IMFT (Micron / Intel) semble prête puisque Intel a dégainé le premier avec une gamme de SSD professionnels l'utilisant. Micron affute également ses armes puisqu'il a indiqué hier lors d'un webcast  qu'un nouveau SSD 2.5" grand public utilisant la 3D NAND arriverait en avril, probablement sous la dénomination Crucial MX300. La 3D NAND sera également déclinée en juin sur une gamme de SSD OEM en 2.5", M.2 et mSATA.

Par ailleurs Micron a annoncé ses premiers SSD PCIe NVMe, les Micron 9100 et 7100 qui sont destinés aux professionnels. Tous deux sont basés sur de la NAND MLC 16nm et sont destinés au monde professionnel. Le 9100 sera disponible en versions carte fille et 2.5", pour le 7100 ce sera 2.5" et m.2. Pour le 7100 Micron a précisé que le contrôleur utilisé serait un Marvell 88SS1093 et que les capacités iraient de 400 Go à 1,92 To en 2.5", 400 à 960 Go en m.2. La 3D NAND devrait pour sa part être intégrée dans des solutions professionnelles à compter du second semestre.

Concernant la PRAM 3D Xpoint annoncée en juillet 2015, Micron a précisé qu'on devrait la "voir" cette année, ce qui n'est pas forcément très clair. Rappelons que lors de l'annonce Intel et Micron avaient indiqués qu'elle était en production, avant que Micron ne précise en janvier dernier qu'il faudrait encore 12 à 18 mois pour lancer la production en volume.