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Lors d'une conférence donnée en fin de semaine dernière, Micron a fournit un aperçu de ce que sera son activité durant l'année 2017. Après Samsung et Toshiba, Micron promet aussi de la NAND 3D à 64 couches.

D'après la firme, ce passage à 64 couches va permettre d'accroître la densité de données de 80%, tout en réduisant le coût par bit de 30%, dans le cadre de la NAND TLC.

Plus intéressant encore, Micron semble décidé à jouer sur plusieurs tableaux, en optant pour deux tailles de die différentes. Dans le cadre du stockage "classique", l'entreprise vise des die de 512 Gb de mémoire TLC. Mais Micron a également en tête un format réduit à 59 mm², pour une capacité de 256 Gb. Ce qui en ferait le die de 256 Gb le plus compact sur le marché.

Micron pense évidemment au marché de la mobilité, dont les besoins en termes de capacité de stockage sont de plus en plus importants, toujours avec la même exigence sur la compacité. Un marché sur lequel Micron ambitionne de meilleurs résultats commerciaux que ceux réalisés actuellement.

Après cette NAND 3D de seconde génération, Micron espère débuter la confection de la troisième génération dès la seconde partie de l'année. Sans le dire, la firme évoque probablement la NAND 3D à 96 couches, à même d'augmenter la densité de données par wafer de plus de 40%, chiffre avancé lors de la conférence.

Parallèlement à ces avancées, Micron dit travailler également sur la mémoire QLC (quatre bits par cellule). La firme n'apporte toutefois aucune précision dans le domaine et relativise en précisant qu'elle ne fait, pour l'heure, qu'étudier le marché, afin de savoir quand il sera pertinent de se lancer sur le sujet. La QLC, du fait de sa faible endurance théorique, devra en effet être associée à une gestion fine de l'écriture, afin de rendre ces dernières aussi peu nombreuses que possible.

Enfin, Micron a indiqué vouloir débuter la transition du 20 nm vers le "1X" nm pour la DRAM, pour des économies espérées à la production de l'ordre 20%. La GDDR5 16 nm, notamment, devrait faire son apparition cette année.

Les procédés en 1Y et 1Z nm, plus fins mais sans plus de précisions, sont également prévus : le premier doit être testé dès la seconde partie de cette année (comme c'est le cas chez SK Hynix), avant une commercialisation espérée à horizon fin 2018.

Micron a été assez discret concernant 3D Xpoint, se contentant d'indiquer que cette mémoire était prête pour la commercialisation, et a précisé travailler sur une nouvelle technologie.

A l'occasion de la présentation  de ses résultats financiers, SK Hynix a réaffirmé sa volonté de voir 2017 comme l'année de la DRAM en 1x nm et de la NAND 3D 72 couches.

Il y a un peu plus de 5 ans, SK Hynix évoquait déjà sa "Middle-1x nm", qui supposait le passage à une gravure inférieure à 20 nm dès 2012 pour sa mémoire volatile. Nous sommes en 2017, et le coréen confirme : ça arrive !

Désormais nommée "1x nm", cette finesse de gravure (en réalité sans doute du 18 nm) sera, selon SK Hynix, prête à être utilisée dans ses usines dès la seconde partie de cette année, pour le lancement d'une production en masse. Pour rappel, Samsung grave déjà de la DRAM en 1x nm depuis avril dernier.

Parallèlement à la DRAM, SK Hynix a également évoqué la NAND 3D. Il prévoit de donner rapidement un successeur à son procédé 48 couches éprouvé depuis l'an dernier. La NAND 3D-V4 à 72 couches devrait ainsi faire son apparition cette année, via des modules de 256 Gb en TLC, tout d'abord, avant d'attaquer une déclinaison 512 Gb (toujours en TLC) en fin d'année. De quoi accroître la capacité des SSD actuels, même quand ces derniers sont contraints par un format de petite taille (M.2).

SK Hynix a enfin confirmé l'information selon laquelle il allait consacrer un second étage de son usine M14 pour produire davantage de NAND 3D, en réponse à la demande croissante du marché concernant ce type de mémoire et à la pénurie actuelle en la matière.

Au début du printemps dernier, Samsung finalisait l'arrivée de son 850 Evo en version 4 To, plus de six mois après la déclinaison 2 To du SSD.

On attendait alors de la part du géant coréen qu'il fasse de même pour son 850 Pro, équipé de NAND MLC (le 850 Evo étant pourvu de puces TLC). Hélas, Samsung n'a pas profité du CES en début d'année pour faire l'annonce attendue, ce qui a intrigué nos confrères de Tom's Hardware.

Ces derniers ont interrogé le constructeur sur ce sujet, et ont obtenu la réponse suivante :

"En réponse à la pénurie mondiale de NAND, Samsung a décidé de se concentrer sur les produits qui répondent à la demande la plus forte. Nous vous ferons savoir quand nous aurons de nouvelles informations concernant le 850 Pro 4 To."

Le sort du 850 Pro 4 To est peut être symptomatique de ce qui attend le marché des SSD à mémoire NAND 3D. Et des modèles comme les 960 Pro et Evo, sortis un peu plus tard que prévus, sont d'ailleurs distillés avec une grande parcimonie chez les revendeurs.

Cette mémoire pâtit actuellement de sa relative jeunesse. En effet, jusqu'à l'arrivée de la NAND 3D, les constructeurs avaient mis en commun leurs lignes de production pour fabriquer RAM et NAND, avec la possibilité de passer simplement de l'un à l'autre.

Avec l'avènement de la NAND 3D, les lignes de production ont évolué, les constructeurs ont perdu cette flexibilité et ont dû, en plus, faire évoluer certaines lignes. Des facteurs qui peuvent en partie expliquer la pénurie actuelle, qui est à mettre directement en relation avec celle de la RAM (dont les prix ne cessent pas d'augmenter), dont les origines sont communes.

Espérons, pour les prix et les disponibilités de futurs SSD, que Samsung, Toshiba et consorts trouveront rapidement un moyen d'approvisionner le marché.

Comme nous l'écrivions récemment, Toshiba cherche à vendre une partie de son activité semi-conducteurs afin de faire face à des problèmes de trésorerie. Et si nous évoquions la piste Western Digital, une autre attire aujourd'hui l'attention des analystes.

Comme le rapporte Business Korea , la réaction de SK Hynix vis à vis de cette porte laissée ouverte par Toshiba est très attendue.

D'une part, parce que cela donnerait à SK Hynix l'occasion de quitter le pied du podium des fabricants de NAND. Au troisième trimestre 2016, Samsung était solide leader (36,6% du marché), Toshiba second (19,8%), alors que SK Hynix ne pointait qu'à la quatrième place (10,4%).

D'autre part, et malgré le rachat en 2012 de la société américaine Link A Media Devices (qui avait dessiné notamment les contrôleurs des Corsair Neutron), SK Hynix pourrait profiter du savoir faire de Toshiba en matière de contrôleurs.

SK Hynix a également loupé récemment l'occasion d'accroître son activité dans les semi-conducteurs : alors que la société convoitait une usine de capteurs mise en vente par... Toshiba, Sony a profité de l'hésitation du constructeur coréen pour lui couper l'herbe sous le pied. SK Hynix n'aurait probablement pas envie de renouveler son erreur.

Enfin, les deux protagonistes ont mis fin  il y a deux ans à un litige qui les opposait en matière de propriété intellectuelle et ont débuté une collaboration dans la technologie de lithographie par nano-impression, l'une des voies ouvertes vers le futur de la litographie.

Tous ces arguments mis bout à bout, rendent crédibles la participation de Hynix dans les activités de Toshiba. Aucune des deux entreprises n'a, pour l'heure, commenté cette hypothèse.

Alors que tous les constructeurs se positionnent autour des SSD M.2 PCIEe compatibles avec l'interface NVMe, Marvell n'oublie pas que l'écrasante majorité des utilisateurs en est restée, pour l'heure, au SATA.

La firme a ainsi annoncé le successeur du 88SS1074, contrôleur lancé au printemps 2014 et qui officie au sein des Kingston UV400, Crucial MX300, SanDisk X400 ou plus récent WD Blue.

Tout comme le 88SS1074, le 88SS1079 prend en charge la mémoire TLC comme la NAND 3D, et aux dires de Marvell, les performances resteront identiques.

Qu'apporte donc ce nouveau contrôleur dans ce cas ? Son atout réside dans sa conception, puisque le PCB qui lui est lié a été allégé de quelques composants, rendant son coût de fabrication moins élevé.

L'avantage stratégique du 88SS1079 est donc "uniquement" une histoire de prix. Mais si l'on considère la bataille tarifaire que se livrent les différents protagonistes du marché, et le nivellement des performances engendré par une interface SATA en fin de vie, cet argument est sans doute suffisant pour les partenaires habituels de Marvell.

Il y a donc fort à parier que les Western Digital, Crucial et autres Kingston sortiront cette année des SSD bâtis autour de ce contrôleur et de NAND TLC 3D. Des SSD dont le prix rapporté au gigaoctet devrait encore baisser.