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3D NAND 96 couches chez Toshiba et Western

Publié le 03/07/2017 à 14:28 par Marc Prieur

Même si ils sont en conflit ouvert côté juridique, Western Digital et Toshiba continuent de travailler en pratique au sein de leur joint-venture sur la NAND et viennent d'annoncer qu'ils avaient fini de développer avec succès leur nouvelle génération de NAND 3D 96 couches. L'échantillonnage aux clients doit commencer au cours de ce semestre, la production en volume étant prévue pour 2018. Dans un premier temps c'est une puce 32 Go qui sera produite, avant de passer à des capacités supérieures pouvant atteindre 128 Go. Des versions TLC comme QLC sont à l'ordre du jour.

Toshiba et Western Digital annoncent à cette occasion que la montée en puissance de leur 3è génération de NAND 3D 64 couches continue, confirmant l'objectif qui est que 75% de la production utilise cette technologie cette année. Les deux associés estiment même que leur joint-venture sera l'entité qui produira le plus de NAND 3D 64 couches cette année, devant Samsung ou IMFT (Intel / Micron).

Intel 545s, 1er SSD en NAND 3D 64 couches

Tags : 3D NAND; Intel;
Publié le 28/06/2017 à 17:21 par Marc Prieur

Avec le 545s, Intel est le premier à mettre sur le marché un SSD utilisant de la NAND 3D 64 couches. Au contraire du 540 pour lequel la mémoire était d'origine SK Hynix il s'agit ici bel et bien de mémoire Intel / Micron, plus précisément des die 32 Go en TLC, les 64 Go n'étant pas encore produits en volume.

Comme sur le 540, Intel reste fidèle à Silicon Motion pour le contrôleur qui passe en version SM2259. Seul le modèle 512 Go 2.5" SATA 6 Gbps est lancé à ce jour, il est annoncé comme atteignant 550/500 Mo/s en lecture/écriture séquentielle et 75K/90K IOPS en lecture/écriture aléatoire 4K. L'endurance est de 288 To, la garantie de 5 ans et le prix public de 179$.

Intel semble cibler clairement le Samsung 850 EVO avec ce modèle, on notera toutefois que le firmware initiale semble atteint d'un bug pouvant entrainer un plantage de la machine comme l'ont relevé nos confrères de Storage Review  !

La V-NAND Gen4 de Samsung produite en volume

Tags : 3D NAND; Samsung; TLC;
Publié le 15/06/2017 à 15:49 par Guillaume Louel

L'été dernier, Samsung avait annoncé sa quatrième génération de mémoire flash V-NAND (utilisée notamment pour les SSD), avec pas moins de 64 couches pour des dies qui pourraient atteindre jusque 512 Gbit (soit 64 Go).

Ce type d'annonce est souvent effectué très en amont par Samsung, qui vient d'annoncer seulement aujourd'hui la production en volume de cette V-NAND TLC 64 couches. Le communiqué précise explicitement qu'il s'agit de dies de 256 Gbit (32 Go, on peut en empiler jusque 16 dans un "package" pour des puces atteignant 512 Go), ce qui est assez surprenant. Le constructeur aurait pu simplement omettre ce détail ! On ne sait pas si les modèles 512 Gbit seront annoncés ultérieurement ou s'ils ont été annulés.

Par rapport à la génération précédente, Samsung annonce une consommation inférieure de 30% (la tension d'alimentation passe de 3.3V à 2.5V), et une fiabilité accrue de 20%.

Ces puces avaient commencées à être fabriquées en petites quantités en début d'année, Samsung indique qu'il s'attend à ce que cette nouvelle génération représente plus de la moitié de sa production d'ici à la fin de l'année. Les produits commerciaux basés sur cette V-NAND devraient être annoncés dans les mois qui viennent.

On notera qu'a la fin du communiqué, Samsung évoque déjà sa prochaine génération de V-NAND qui pourrait dépasser 90 couches pour des dies de 1 Tbit.

Toshiba et WD bientôt au point sur la NAND 3D

Publié le 23/05/2017 à 11:09 par Marc Prieur

En février dernier, Western Digital et Toshiba annonçaient la production d'échantillon de puces 64 Go de NAND 3D 64 couches TLC, en attendant le lancement de la production en volume au cours du second trimestre. Cette nouvelle NAND 3D devait être la bonne, puisqu'au contraire de Samsung et plus récemment Micron leur NAND 3D n'avait pas été vraiment intégrée en volume dans des produits tels que des SSD, Western qualifiant même la seconde génération 48 couches de learning platform.

Alors que les deux constructeurs se livrent bataille quant à l'avenir de leur joint-venture dédiée à la Flash, le sujet avance. Il y a une quinzaine de jours, Toshiba a en effet fait la démonstration d'un prototype de SSD NVMe de 1 To basé sur cette mémoire. De son côté HGST, filiale de Western Digital, vient d'annoncer l'Ultrastar SS3300 utilisant cette mémoire en version MLC 48 Go ou TLC 64 Go. En MLC les SSD supportent selon la gamme 3 ou 10 écritures complètes par jour pendant 5 ans, contre 0.5 ou 1 côté TLC.

WD a précisé lors de ses résultats financiers qu'il lui était déjà moins couteux de produire une puce 64 Go de NAND 3D 64 couches TLC que la capacité équivalente en NAND 2D en 15nm, et qu'il prévoyait de produire 75% de sa NAND 3D cette année en version 64 couches.

La NAND 3D 64 couches arrive aussi chez WD

Publié le 07/02/2017 à 17:44 par Frédéric Cuvelier

En juillet dernier, Western Digital évoquait l'arrivée d'un die de 512 Gb de NAND 3D 64 couches en TLC. Le constructeur confirme ses dires, puisque la production d'échantillons a débuté.

Western Digital et Toshiba, via la joint-venture Flash Forward, sont donc les premiers à mettre en production un tel die, alors même que la concurrence s'active en la matière : Micron a tout récemment annoncé prendre la même direction, tout comme Samsung.

C'est toujours la structure de type BiCS (Bit Cost Scalable) qui est de mise, et après les 48 couches en 2015, Western Digital/Toshiba était parvenu à une première réussite en 64 couches sur un die de 256 Gb en juillet dernier.

Le constructeur a décidé de passer directement à une densité de données plus importante encore avec ce die de 512 Gb, qui devrait passer en production de masse au cours du second semestre de cette année dans l'usine de Yokkaichi au Japon, usine qu'elle partage avec Toshiba.

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