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L'été dernier, Samsung avait annoncé sa quatrième génération de mémoire flash V-NAND (utilisée notamment pour les SSD), avec pas moins de 64 couches pour des dies qui pourraient atteindre jusque 512 Gbit (soit 64 Go).

Ce type d'annonce est souvent effectué très en amont par Samsung, qui vient d'annoncer seulement aujourd'hui la production en volume de cette V-NAND TLC 64 couches. Le communiqué précise explicitement qu'il s'agit de dies de 256 Gbit (32 Go, on peut en empiler jusque 16 dans un "package" pour des puces atteignant 512 Go), ce qui est assez surprenant. Le constructeur aurait pu simplement omettre ce détail ! On ne sait pas si les modèles 512 Gbit seront annoncés ultérieurement ou s'ils ont été annulés.

Par rapport à la génération précédente, Samsung annonce une consommation inférieure de 30% (la tension d'alimentation passe de 3.3V à 2.5V), et une fiabilité accrue de 20%.

Ces puces avaient commencées à être fabriquées en petites quantités en début d'année, Samsung indique qu'il s'attend à ce que cette nouvelle génération représente plus de la moitié de sa production d'ici à la fin de l'année. Les produits commerciaux basés sur cette V-NAND devraient être annoncés dans les mois qui viennent.

On notera qu'a la fin du communiqué, Samsung évoque déjà sa prochaine génération de V-NAND qui pourrait dépasser 90 couches pour des dies de 1 Tbit.

Au début du printemps dernier, Samsung finalisait l'arrivée de son 850 Evo en version 4 To, plus de six mois après la déclinaison 2 To du SSD.

On attendait alors de la part du géant coréen qu'il fasse de même pour son 850 Pro, équipé de NAND MLC (le 850 Evo étant pourvu de puces TLC). Hélas, Samsung n'a pas profité du CES en début d'année pour faire l'annonce attendue, ce qui a intrigué nos confrères de Tom's Hardware.

Ces derniers ont interrogé le constructeur sur ce sujet, et ont obtenu la réponse suivante :

"En réponse à la pénurie mondiale de NAND, Samsung a décidé de se concentrer sur les produits qui répondent à la demande la plus forte. Nous vous ferons savoir quand nous aurons de nouvelles informations concernant le 850 Pro 4 To."

Le sort du 850 Pro 4 To est peut être symptomatique de ce qui attend le marché des SSD à mémoire NAND 3D. Et des modèles comme les 960 Pro et Evo, sortis un peu plus tard que prévus, sont d'ailleurs distillés avec une grande parcimonie chez les revendeurs.

Cette mémoire pâtit actuellement de sa relative jeunesse. En effet, jusqu'à l'arrivée de la NAND 3D, les constructeurs avaient mis en commun leurs lignes de production pour fabriquer RAM et NAND, avec la possibilité de passer simplement de l'un à l'autre.

Avec l'avènement de la NAND 3D, les lignes de production ont évolué, les constructeurs ont perdu cette flexibilité et ont dû, en plus, faire évoluer certaines lignes. Des facteurs qui peuvent en partie expliquer la pénurie actuelle, qui est à mettre directement en relation avec celle de la RAM (dont les prix ne cessent pas d'augmenter), dont les origines sont communes.

Espérons, pour les prix et les disponibilités de futurs SSD, que Samsung, Toshiba et consorts trouveront rapidement un moyen d'approvisionner le marché.

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

Samsung vient d'annoncer  ses nouveaux SSD au format M.2 (2280), les 960 Pro et Evo. De nouvelles références qui viennent remplacer les 950 Pro et Evo lancés l'année dernière.

Ces SSD ont en commun une interface PCIe 3.0 sur quatre lignes et un nouveau contrôleur de Samsung, appelé Polaris. Il dispose de cinq coeurs et peut même embarquer la DRAM en mode PoP (la mémoire est superposée au contrôleur, permettant de gagner de la place sur le PCB). Il implémente notamment une nouvelle version de la technologie de cache SLC "TurboWrite" du constructeur.

On notera que Samsung a également vanté son nouvel autocollant qui intègre désormais une couche métallique de cuivre pour servir de "radiateur" et aider la dissipation !

Le 960 Pro embarque la "nouvelle" mémoire V-NAND de troisième génération... introduite l'année dernière (il faudra attendre l'année prochaine pour la Gen 4, annoncée cet été). Il s'agit de 3D NAND MLC 48 couches utilisant des dies de 32 Go.

Trois capacités sont annoncées, 512 Go, 1 To et 2 To avec des vitesses séquentielles de 3500 Mo/s en lecture et 2100 Mo/s en écriture. Côté aléatoire, sur des blocs de 4K en QD32 le modèle 512 Go atteint 330k IOPS en lecture et en écriture. Les deux autres modèles sont annoncés pour 440k en lecture et 360k en écriture.

Les prix annoncés en dollars sont de 329, 629 et 1299 pour les trois capacités, avec une garantie de 5 ans.

Les 960 Evo embarquent également de leur côté de la V-NAND troisième génération, mais cette fois ci il s'agit de 3D NAND TLC (toujours 48 couches/32 Go).

Trois capacités sont annoncées, 256 Go, 512 Go et 1 To. Les performances séquentielles sont de 3200 Mo/s en lecture. Pour ce modèle, Samsung annonce séparément les performances en écriture en mode TurboWrite (cache SLC) et en mode continu. On atteint 1500, 1800, et 1900 Mo/s lorsque l'on reste sur le cache SLC sur les trois capacités. Lorsque l'on sort du cache par contre, les performances en écriture descendent à 300, 600, et 1200 Mo/s en fonction là aussi de la capacité.

Du côté des opérations aléatoires, les modèles 256 et 512 Go sont annoncés pour 330k IOPS en lecture et écriture, et 380k/360k en lecture/écriture pour le modèle 1 To.

Les prix sont annoncés en dollars toujours, respectivement 129, 249 et 479 avec une garantie en baisse, seulement trois années comparé aux cinq proposés pour les 950 Evo. La disponibilité est annoncée pour le mois d'octobre pour toutes ces nouvelles références.