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Samsung 845DC Pro et EVO
Samsung 850 Pro avec V-NAND
Samsung améliore sa 3D V-NAND
La V-NAND débarque sur un SSD Samsung
Samsung 950 Pro, M.2 PCIe + NVMe = 2.5 Go/s
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Samsung lance une nouvelle gamme de SSD grand public dénommée 950 Pro. Au format M.2 2280, ces SSD déclinés en versions 256 et 512 Go utilisent, comme le SM951 réservé aux OEM, un contrôleur Samsung UBX interfacé en PCIe x4 Gen3 et utilisant le protocole NVMe. Au lieu de MLC 16nm, il est par contre équipé de V-NAND MLC de seconde génération à 32 couches.
Ce SSD de nouvelle génération n'étant plus limité par le SATA et disposant d'un protocole plus efficace que l'AHCI, il offre des performances annoncées impressionnantes puisque la version 512 Go atteint 2500/1500 Mo /s en lecture/écriture séquentielle contre 2200/900 Mo /s pour le 256 Go. En accès aléatoire 4 Ko en QD32 on est à 300K/110K IOPS pour le premier et 270/85K IOPS pour le second, on ne gagne donc "que" en lecture par rapport à un SSD SATA. Rappelons toutefois que rares sont les usages qui tireront réellement partie d'un tel niveau de performance.
La contrepartie se situe côté consommation puisqu'elle peut atteindre 6.4 à 7 watts en burst, ce qui vu l'absence de radiateur devrait empêcher le 950 Pro de maintenir le niveau de performance maximale sur une charge longue. Côté chiffrement on a droit à l'AES-256 et au TCG Opal 2.0.
Même si Windows 8.1 et 10 intègrent un pilote NVMe, Samsung fournira le sien alors qu'il prévoit l'an prochain de sortir une version 1 To, une fois que sa V-NAND 48 couches plus mature. La garantie est de 5 ans et l'endurance est annoncée à 200 To en 256 Go et 400 To en 512 Go, pour des tarifs respectifs d'environ 220 et 380 € TTC. Le surcoût face à un 850 Pro est loin d'être négligeable (+40% environ) et on est à un tarif double d'un 850 EVO, mais le positionnement est plus agressif que celui des SSD 750 d'Intel.
SSD de 15,36 To chez Samsung !
Samsung vient d'annoncer un SSD d'une capacité record, le PM1633a qui atteindra une capacité de 15,36 To. Utilisant la dernière V-NAND de 3è génération en TLC offrant 32 Go par die, il dépasse au passage la capacité du plus gros disque dur, 10 To, le tout dans un format 2.5" avec certes 9,5mm de hauteur. Il est possible d'intégrer 48 de ces SSD dans 2U, ce qui permet d'atteindre les 737 To ! Le tarif n'est pas précisé, il sera forcément très élevé, mais on n'a rien sans rien…
La V-NAND Samsung en 48 couches et 32 Go
Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de sa troisième génération de V-NAND, le nom maison pour sa NAND 3D. Le gros changement est le passage à 48 couches, contre 32 pour la seconde génération lancée il y a un an et 24 pour la première qui a deux ans.
Le géant coréen en profite pour doubler la capacité qui passe à 32 Go par die en TLC (3 bits par cellule), contre 16 Go à l'heure actuelle, alors que la consommation serait réduite de 30% pour un même volume de données stockées. De quoi doubler la capacité des SSD Samsung V-NAND, alors que le 850 EVO atteignent déjà 2 To avec des die 16 Go ! En attendant Samsung a déjà annoncé que les 850 EVO allaient désormais être équipés de telles puces, reste à voir si cela aura une influence négative sur les performances des modèles aux plus petites capacités.
Cette nouvelle arrive quelque jours après celle de SanDisk et Toshiba qui ont annoncé une puce similaire il y a quelques jours, mais qui ne sera pas produite avant l'an prochain.
3D NAND 48 couches chez Toshiba
Toshiba vient d'annoncer avoir produit des puces mémoires flash (NAND) à construction verticale (souvent appelée 3D NAND) à 48 couches. Pour rappel, en 2007 Toshiba avait été le premier à produire une technologie de mémoire ou l'organisation des cellules se fait non plus de manière horizontale comme traditionnellement, mais cette fois ci de manière verticale.
La mémoire NAND traditionnelle au milieu en haut peut être empilée (Stack), la stratégie classique que l'on voit à droite, ou bien transposée verticalement (le chemin de gauche) pour réaliser une structure appelée BiCS par Toshiba qui peut être vue comme le pendant du FinFET pour la NAND
En 2007, Toshiba ne précisait pas le nombre de couches qu'il avait réussi à superposer dans sa structure mais évoquait dans son communiqué de presse le nombre de 32 pour expliquer les difficultés de l'empilement. Presque huit années après, le constructeur indique aujourd'hui avoir produit des puces 48 couches de 128 Gbits (16 Go) qui sont disponibles dès aujourd'hui sous la forme d'échantillons.
Toshiba indique également qu'il commercialisera cette mémoire à partir de 2016, elle sera fabriquée en volume dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon. En 2014, Toshiba avait annoncé remplacer cette ancienne usine par une nouvelle qui serait capable de produire de la mémoire NAND classique et « 3D » à compter de 2016. Le communiqué de la marque indique que la Fab2 devrait être opérationnelle durant la première moitié de 2016.
Cette structure de mémoire permet théoriquement d'augmenter fortement la densité même si pour l'instant, il faut se contenter de puces 128 Gbits pour ce premier échantillon. On rappellera que si Toshiba a été pionnier de cette technologie, Samsung avait été le premier à lancer la production de sa propre version de mémoire NAND verticale, baptisée V-NAND en 2013. Si l'agencement technique semblait légèrement différent du BiCS de Toshiba (voir notre article), le principe de base reste le même.
Cette V-NAND s'est ainsi retrouvée dans les SSD 850 Pro du constructeur sous la forme de puces empilant 32 couches. De son côté, si Toshiba met en avant l'empilement de 48 couches, on ne connait pas encore la finesse de gravure qui sera utilisée. Plus de détails seront probablement dévoilés d'ici à l'année prochaine. Pour le reste de la concurrence, Intel et Micron devraient proposer leur version 3D NAND 32 couches au second semestre 2015, tandis qu'il faudra attendre 2016 pour Hynix.
Samsung lance son 850 EVO en V-NAND TLC
Samsung lance officiellement son Samsung 850 EVO, testé entre autre par nos confrères d'AnandTech . Pour rappel ce SSD attendu depuis quelques mois déjà utilise à l'instar du 850 PRO de la mémoire Flash V-NAND 32 couches, mais cette fois non plus en mode MLC (2 bits par cellule via 4 niveaux de tension) mais TLC (3 bits par cellule via 8 niveaux de tension).
Le Samsung 850 EVO est décliné en versions 120, 250, 500 Go et 1 To. Dans tous les cas on trouve au sein du SSD des puces intégrant 8 die de 128 Gbit, avec au total une à huit puces selon la capacité. La DRAM, de type LPDDR2, varie entre 256 et 1 Go selon le modèle alors que seule la version 1 To dispose d'un contrôleur 3 coeurs, les versions inférieures utilisant un contrôleur à deux coeurs.
Du côté des performances annoncées on est au limite du SATA 6 Gb/s avec 540 Mo /s en lecture et 520 Mo /s en écriture. Attention toutefois ce débit en écriture est obtenu en partie grâce au cache TurboWrite qui utilise selon la version 9 à 36 Go de mémoire TLC pour disposer de 3 à 12 Go de mémoire SLC très rapide. Une fois ce cache rempli, le débit en écriture est de 150, 300, 500 et 520 Mo /s sur les versions 120, 250, 500 et 1 To.
En lecture 4K aléatoire le Samsung 850 EVO est à 10K IOPS en QD1 et 94 à 98K IOPS selon la capacité en QD32, en écriture on obtient 40K IOPS en QD1 dans le cache TurboWrite, 33K IOPS hors TurboWrite. En QD32 on est à 88 à 90K IOPS dans le cache TurboWrite, mais on retombe à 35K et 66K IOPS sur les versions 120 et 250 Go alors que les SSD 500 Go et 1 To seraient capable de maintenir le même niveau de performances.
Au-delà des performances c'est bien entendu de l'endurance qu'on attendait la V-NAND TLC et de ce côté on n'est pas déçu puisque les Samsung 850 EVO sont garantis 5 ans avec des endurances respectives annoncées à 75 To pour les versions 120 et 250 Go et 150 To pour les versions 500 Go et 1 To.
Comme d'habitude il ne s'agit ici que d'un chiffre pessimiste avec une amplification en écriture élevée, et les données SMART relevées lors des tests par AnandTech montrent que Samsung a validé les cellules pour 2000 cycles d'écritures (de quoi atteindre 2000 To sur la version 1 To donc en conditions optimales !), soit le double de celles d'un Samsung 840 EVO. Un Samsung 850 Pro est pour sa part annoncé à 150 To quelle que soit sa capacité, avec une endurance à 6000 cycles d'après son réglage SMART contre 3000 pour un Samsung 840 Pro.
La V-NAND TLC ne semble donc pas avoir à rougir devant la MLC que ce soit du côté des performances comme de l'endurance, avec un gros avantage qui est celui de la densité puisque Samsung annonce l'avoir doublé par rapport à de la mémoire TLC 19nm classique. Attention cela ne veux pas dire que le coût de production est inférieur, la V-NAND étant probablement nettement plus chère à produire à densité égale... mais de ce côté nous n'en sauront pas plus.
Finalement la seule déception se situe côté tarif, puisque les prix annoncés outre-Atlantique sont les suivant :
- 100$ en version 120 Go
- 150$ en version 250 Go
- 270$ en version 500 Go
- 500$ en version 1 To
Si les 20% de plus par rapport aux Samsung 840 EVO sont justifiés, le problème c'est que Samsung n'est pas seul au monde... et que le 840 EVO n'était pas très bien placé face au Crucial MX100 qui est encore moins cher. Le 850 EVO aura pour lui la garantie de 5 ans et une endurance officielle accrue sur la version 500 Go (le MX100 n'existe pas en 1 To, il est annoncé à 72 To d'endurance quelle que soit la capacité alors qu'elle est logiquement 4 fois supérieure en passant de 128 à 512 Go), mais est-ce suffisant ? Quoi qu'il en soit nous verrons bien quels seront les prix réellement pratiqués lorsque les 850 EVO arriveront sur les étalages, ce qui devrait arriver dans les prochaines semaines.
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