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Samsung 850 EVO en approche
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Après le 850 Pro, Samsung devrait lancer un SSD basé sur de la V-NAND plus abordable, le SSD 850 EVO. Nos confrères de Les Numériques publient en effet une photo prise lors de l'IFA sur le stand de Samsung le montrant :
Pour le moment on sait juste qu'il stockera comme son prédécesseur 3 bits par cellules (TLC), contre 2 pour le 850 Pro qui est en MLC. Pour rappel cela a un impact sur les performances comme sur la durée de vie de la NAND, mais vu que la V-NAND est meilleure sur ce dernier point que la NAND le 850 EVO pourrait tirer son épingle du jeu, d'autant que la NAND TLC était déjà assez endurante pour un usage classique.
Notez au passage que notre comparatif de SSD 480-512 Go intègre les résultats du Samung 850 Pro, mais nous n'avons par contre pas encore eu le temps de mettre à jour le texte. Comme attendu les performances sont là, et il prend à l'Intel 730 le leadership pour ce qui est des performances dans notre stress-test. Il faudra toutefois vraiment en avoir besoin, pour un usage plus classique vu son tarif nous continuons de privilégier le Crucial MX100.
Samsung 845DC Pro et EVO
Début juin, Samsung a lancé une version professionnelle de son 840 EVO, le 845DC EVO qui est plus particulièrement destiné aux applications qui font plus appel à la lecture qu'à l'écriture, endurance moindre de la TLC oblige.
Par rapport à la version grand public, il se distingue de par l'intégration sur le PCB de condensateurs qui permettent au contrôleur d'avoir le temps d'écrire les données en Flash en cas de coupure de courant et des capacités utiles légèrement différentes laissant une place plus importante à la réserve de Flash : 240, 480 et 960 Go (contre 250, 500 et 1000 Go en 840 EVO).
Le TurboWrite n'est pas actif sur cette version et Samsung annonce 270 Mo /s en écriture pour la plus petite capacité et 410 Mo /s pour les deux autres, contre 12K et 14K IOPS en écriture 4K aléatoire QD32. Il s'agit ici d'une valeur soutenue et pas d'un maximal obtenu uniquement quand le SSD dispose d'un énorme stock de Flash considéré comme libre. Au final Samsung annonce sur le 845DC EVO des endurances de 150 To à 600 To selon la capacité, avec une garantie de 5 ans.
Le 850 Pro annoncé récemment a également droit à une version professionnelle, plus ciblée pour les usages ayant besoin de gros volumes en écritures cette fois. Le 845DC Pro fait également appel à la V-NAND, mais cette fois en version 24 couche, et reprend donc le même principe que le 845DC EVO avec des condensateurs pour protéger les données et un overprovisioning supplémentaire qui est cette fois plus important puisque les capacités utiles sont de 400 et 800 Go (au lieu de 512 et 1000 Go). Côté performances, on atteint 530/460 Mo/s en séquentiel contre 92K et 50K IOPS en 4K aléatoire (soutenu là encore). La garantie est toujours de 5 ans mais l'endurance explose avec 7300 à 14600 To.
L'écart est donc énorme par rapport au 850 Pro garanti pour 150 To seulement. Il y a bien entendu des justifications techniques, avec l'overprovisioning bien plus important qui permet de garantir cette endurance même en l'absence de TRIM et avec des écritures aléatoires, mais aussi tout simplement une endurance garantie volontairement minorée sur les SSD grands publics pour faire un effet de gamme. L'exemple le plus fragrant est que dans la gamme professionnelle l'endurance garantie double quand la capacité double, alors qu'un 850 Pro 1 To est tout comme un 128 Go annoncé à 150 To … et non pas 1200 To comme il devrait l'être !
Le Samsung 845DC EVO sera disponible ce mois, il faudra attendre début août pour le 845DC Pro.
Samsung 850 Pro avec V-NAND
Samsung lance une nouvelle gamme de SSD, les 850 Pro. Déclinés en versions 128, 256, 512 et 1 To, ces SSD embarquent respectivement 256, 512, 512 et 1024 Mo de cache. Côté sécurité on note le support de l'AES-256 et des normes TCG Opal 2.0 et IEEE-1667. L'interface SATA est toujours de mise, on retrouve donc les niveaux de performances habituels pour le haut de gamme :
Les performances sont de haut vol dès la version 128 Go. Là ou Samsung tape fort c'est côté endurance et garantie puisque le constructeur annonce pour toutes les versions une endurance de 150 To, soit beaucoup plus que d'autres SSD grands publics même si en pratique ce chiffre est facilement atteint, ainsi qu'une garantie de 10 ans (dans la limite des 150 To).
Le secret des 850 Pro se cache en fait au niveau de la mémoire Flash puisque qu'au lieu d'utiliser de la NAND classique, les 850 Pro sont les premiers SSD grand public faisant appel à la 3D NAND, appelée V-NAND chez Samsung.
Avec ce type de mémoire, l'augmentation de la densité au mm² ne se fait plus en réduisant la taille des cellules Flash sur les axes X et Y, avec les problèmes que cela pose en termes d'endurance notamment du fait de la réduction de la taille de la grille flottante, mais grâce à un empilement vertical des cellules.
La V-NAND MLC utilise ainsi des cellules plus larges, avec un espacement de 40nm entre les cellules, mais après avoir produit en volume la V-NAND sur 24 couches en 2013, la V-NAND est passée en 2014 à 32 couches. Du coup la densité d'information au mm² est supérieure à celle obtenue par Micron en 16nm par exemple. Bien entendu en contrepartie Samsung doit amortir des coûts lié à la R&D ainsi qu'aux équipements liés à la V-NAND, de plus le taux de rebuts et le nombre d'étapes nécessaires à la fabrication de la V-NAND sont probablement plus élevés.
Reste que si d'un point de vue coût au Go la V-NAND n'est probablement pas encore au niveau de la NAND "2D", Samsung est le premier à l'introduire en volume ce qui est à saluer. Ce type de mémoire devrait en effet être à terme un passage obligé pour continuer la marche en avant des SSD.
En attendant ce passage obligé, à l'instar des 840 Pro les 850 Pro ne seront pas donnés lorsqu'ils débarqueront en magasin, ce qui est prévu pour le 21 juillet. Il est en effet question de 130$ en 128 Go, 200$ en 256 Go, 400$ en 512 Go et 700$ en 1 To. Il n'est pas certain que les avantages actuels de la V-NAND suffisent à convaincre face à des SSD très compétitifs en terme de prix tels que le Crucial MX100.
Samsung améliore sa 3D V-NAND
Samsung vient d'annoncer le début de la production en volume d'une nouvelle version de 3D V-NAND introduite en août 2013. La densité est améliorée par un passage de 24 à 32 couches. Samsung annonce que les SSD basés sur ces puces sont 2x plus endurants et 20% plus économes en écriture que ceux utilisant des puces "2D".
Ce type de mémoire, plus onéreuses à produire que les NAND classiques, sont donc destinées dans un premier temps aux usages ayant besoin d'une endurance accrue mais alors que Samsung ciblait initialement les centre de données la seconde génération de SSD à base de V-NAND, dont la capacité varie entre 128 Go et 1 To, cible également les "high-end PC applications".
Le prix de ces SSD n'est toutefois pas connu, il reste probablement très élevé. Plus tard dans l'année Samsung indique qu'il lancera d'autres SSD basés sur cette seconde génération de V-NAND avec une endurance accrue et des capacités supérieures.
La V-NAND débarque sur un SSD Samsung
Après avoir annoncé la production de sa mémoire V-NAND il y a une semaine, Samsung annonce les premiers SSD l'utilisant. Les Samsung V-NAND SSD sont lancés en versions 480 et 960 Go. Destinés au monde professionnel, on ne connait pas grand-chose de leurs caractéristiques si ce n'est qu'ils sont au format 2.5" et utilisent une interface SATA 6 Gb/s.
Côté V-NAND on ne sait toujours pas quelle est la finesse de gravure utilisée, mais Samsung met en avant un gain de productivité côté production supérieur à x2 par rapport à une mémoire de classe 2xnm. Si la V-NAND venait à être déclinée sur des SSD plus grand publics, ces derniers pourraient donc voir leur prix au Go nettement abaissé. En attendant, l'endurance annoncée des cellules MLC V-NAND semble très importante puisque les V-NAND SSD sont annoncés comme pouvant supporter 35 000 cycles d'écriture, un chiffre très supérieur aux MLC 19 à 25nm qui sont à 3000-5000 cycles et aux eMLC 25nm qui sont à environ 25 000 cycles.
