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Avec le 545s, Intel est le premier à mettre sur le marché un SSD utilisant de la NAND 3D 64 couches. Au contraire du 540 pour lequel la mémoire était d'origine SK Hynix il s'agit ici bel et bien de mémoire Intel / Micron, plus précisément des die 32 Go en TLC, les 64 Go n'étant pas encore produits en volume.

Comme sur le 540, Intel reste fidèle à Silicon Motion pour le contrôleur qui passe en version SM2259. Seul le modèle 512 Go 2.5" SATA 6 Gbps est lancé à ce jour, il est annoncé comme atteignant 550/500 Mo/s en lecture/écriture séquentielle et 75K/90K IOPS en lecture/écriture aléatoire 4K. L'endurance est de 288 To, la garantie de 5 ans et le prix public de 179$.

Intel semble cibler clairement le Samsung 850 EVO avec ce modèle, on notera toutefois que le firmware initiale semble atteint d'un bug pouvant entrainer un plantage de la machine comme l'ont relevé nos confrères de Storage Review  !

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

Le site benchlife.info  a publié un extrait de la roadmap SSD grand public d'Intel. Après les modèles 600p lancés cet été, équipés de NAND 3D, Intel lancera l'année prochaine des 610p.

On ne sait pas encore grand chose de ces modèles, si ce n'est qu'ils seront équipés de la seconde génération de NAND 3D d'Intel.

Il s'agira là aussi de modèles M.2 de 80mm de long (M.2 2280) en PCIe/NVMe, ils seront proposés dans des capacités de 128, 256, 512 Go, ainsi que 1 et 2 To. Leur lancement est prévu d'après nos confrères au quatrième trimestre 2017.

Au troisième trimestre, on verra arriver deux autres nouveautés, avec d'abord une version "BGA" du 600p, il s'agira en pratique de M.2 compacts (M.2 1620). Cette version sera disponible en 128, 256 et 512 Go.

Enfin on notera que sur l'entrée de gamme, les actuels 540s seront eux aussi succédés par une version NAND 3D. Les 540s ont la particularité d'utiliser de la TLC 16nm SK Hynix contrairement à ses autres modèles. Le 545s utilisera donc de la NAND 3D et sera disponible à la fois au format SATA et M.2. Les capacités démarreront dans les deux cas à 256 Go et atteindront 2 To en SATA, et 1 To en M.2. Intel devrait tout de même selon la roadmap conserver les 540s dans sa gamme. Ces 545s devraient être lancés au troisième trimestre 2017.

Intel a annoncé  un nouveau SSD M.2 dédié plus spécifiquement aux serveurs. Ce P3100 vient compléter la gamme lancée fin aout. Il s'agit d'un M.2 2280 (80 mm de longueur) PCIe 3.0 x4/NVMe utilisant de la NAND 3D TLC. Le contrôleur utilisé n'est pour l'instant pas mentionné par le constructeur.

Côté performances on retrouve un profil très axé sur les lectures intensives avec jusque 1800 Mo/s en lecture et seulement 175 Mo/s en écriture. Les chiffres d'IOPS montrent la même asymétrie avec 114k en lecture et 10k en écriture.

L'endurance annoncée est de 580 To pour le modèle 1 To. A titre de comparaison, Samsung annonce 800 To pour son 960 Pro 1 To. Quatre capacités sont lancées, 128, 256, 512 et 1024 Go, ces SSD sont proposés par Intel avec une garantie de 5 années.

MAJ : Nous avons ajouté les performances, Intel ayant mis a jour son site.

Après les P3320 lancés en avril dernier, Intel élargit sa gamme de SSD basés sur des puces NAND 3D en lançant aujourd'hui plusieurs nouvelles références.

Côté client, le constructeur lance deux gammes de SSD NVMe au format M.2 (80mm), les 600p et Pro 6000p (que l'on avait croisés sur cette roadmap). Les deux gammes semblent identiques, Intel mettant simplement en avant la fonctionnalité d'effacement à distance de vPro sur la serie "Pro". Côté performances on atteint des débits en lecture/écriture séquentielle de 1.75 Go/s et 560 Mo/s pour le modèle 512 Go, et 128.5k et 128k IOPS en lecture/écriture aléatoire.

Caractéristiques annoncées par Intel pour les 600p et Pro 6000p

Ces SSD seront disponibles dans des capacités de 128 Go à 1 To. Côté prix, il faudra compter entre 69 et 359$ pour le 600p, et entre 79 et 364$ pour le Pro 6000p.

En parallèle, Intel lance également des modèles M.2 dédiés aux IoT. Les E 6000p seront disponibles en 128 et 256 Go pour le même prix que les versions clients, les caractéristiques sont identiques aux modèles ci dessus.

On notera enfin pour le marché serveur l'arrivée des DC P3520 qui viennent compléter les P3320. Côté performances on atteint 1.7 Go/s en lecture et 1.35 Go/s en écriture séquentielle. Pour les transferts aléatoires, Intel annonce 375k IOPS en lecture, et "seulement" 26k pour le modèle le plus haut de gamme. On retrouvait cette même différence pour rappel sur les P3320.

Caractéristiques annoncées par Intel pour les DC P3520

Les P3520 seront disponibles dans des capacités de 450 Go, 1.2 To et 2 To en 2.5 pouces et en carte PCI Express. Il faudra compter respectivement 294, 619 et 984$ pour les acquérir.