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Benchlife  a publié un extrait de roadmap Intel concernant les SSD. La prochaine sortie est prévue pour le troisième trimestre 2016, il s'agira des Pro 6000p et 600p qui seront des SSD au format M.2, interfacés en PCIe Gen3 x4 et utilisant un protocole NVMe. Ils utiliseront de la 3D NAND TLC.

Intel prévoit ensuite de décliner la technologie Optane, ayant pour base la mémoire 3D Xpoint, sur de nombreux SSD. Pas moins de 3 gammes seront lancées entre le dernier trimestre 2016 et le premier trimestre 2017. Tous utiliseront une interface PCIe Gen3 et un protocole NVMe, à commencer par Stony Beach au format m.2 (en PCIe x2) qui sera un accélérateur système : il s'agira donc d'un SSD de petite capacité faisant office de cache. Mansion Beach sera en PCIe x4 et il s'agira du haut de gamme, a priori sous forme de carte fille tout comme Brighton Beach qui lui se limitera au PCIe x2.

A plus long terme Intel prévoit ensuite de remettre à jour ces gammes pour la plate-forme Cannonlake fin 2017. Les Optane précédemment en PCIe x2 passeront au x4 et seront déclinés à la fois en m.2 et au format BGA, alors que côté NAND seule la 3D NAND TLC subsistera. Elle sera utilisée à la fois sur des SSD M.2 PCIe Gen3 x4 et des SSD M.2 et 2.5" SATA.

Alors que Samsung propose depuis quelques années maintenant de la 3D NAND, cette technologie se fait attendre chez les autres constructeurs. La puce de 256 Gbits MLC 32 couches développée par Intel et Micron et annoncée il y a un an vient enfin de faire son apparition sur une première gamme de SSD, les DC P3320.

Destinés aux serveurs et gérant le protocole NVMe, ils communiquent avec le système via un bus PCIe 3.0 x4 via un connecteur U.2 en version 2.5" (450 Go, 1.2 To et 2 To) mais sont également déclinés en carte fille pour les deux plus grosses capacités.

Côté performances ont a droit pour la version 2 To à 1600 Mo /s en lecture, 1400 Mo /s en écriture pour 365K IOPS en lecture mais "seulement" 22K IOPS en écriture, une valeur qui a toutefois le mérite d'être soutenue. Intel n'ayant rien communiqué sur l'endurance ou le positionnement tarifaire des SSD, il faudra attendre pour en savoir plus sur les apports concrets de cette 3D NAND.

Après l'annonce de Toshiba hier, Micron et Intel ont également annoncés  leur version de mémoire NAND verticale, également appelée plus généralement 3D NAND.

Le principe de base de la 3D NAND est de changer la structure des cellules mémoires en transformant la structure planaire classique en une structure verticale que l'on empiler pour augmenter massivement la densité (plus de détails ici. En contrepartie, les fabricants utilisent des processus de fabrications plus anciens (40 nm par exemple pour la V-NAND de Samsung), mieux maitrisés ce qui permet d'envisager des perspectives d'évolution pour les années à venir.

On retrouve chez Intel et Micron 32 couches superposées (identique a Samsung, 48 pour Toshiba) ce qui se concrétise par une densité de 256 Gbits pour des dies MLC, et 384 Gbits pour des dies TLC. Un pas en avant important en densité, pour rappel, la V-NAND TLC de première génération de Samsung ne propose « que » 128 Gbits (tout comme l'annonce de Toshiba d'hier). Samsung devrait entre cependant proposer sous peu de nouvelles densités.

Des premiers échantillons ont été produits et les deux sociétés devraient lancer la production en volume au quatrième trimestre, indiquant que les SSD 3D NAND dans les deux sociétés arriveront plutôt en 2016. En pratique, Intel et Micron annoncent pouvoir atteindre avec ces puces 3.5 To dans un format M.2, et 10 To dans un format 2.5 pouces. Pour atteindre cette densité, les sociétés empilent 16 dies dans un même package.

Toshiba vient d'annoncer avoir produit des puces mémoires flash (NAND) à construction verticale (souvent appelée 3D NAND) à 48 couches. Pour rappel, en 2007  Toshiba avait été le premier à produire une technologie de mémoire ou l'organisation des cellules se fait non plus de manière horizontale comme traditionnellement, mais cette fois ci de manière verticale.

La mémoire NAND traditionnelle au milieu en haut peut être empilée (Stack), la stratégie classique que l'on voit à droite, ou bien transposée verticalement (le chemin de gauche) pour réaliser une structure appelée BiCS par Toshiba qui peut être vue comme le pendant du FinFET pour la NAND

En 2007, Toshiba ne précisait pas le nombre de couches qu'il avait réussi à superposer dans sa structure mais évoquait dans son communiqué de presse le nombre de 32 pour expliquer les difficultés de l'empilement. Presque huit années après, le constructeur indique aujourd'hui avoir produit des puces 48 couches de 128 Gbits (16 Go) qui sont disponibles dès aujourd'hui sous la forme d'échantillons.

Toshiba indique également qu'il commercialisera cette mémoire à partir de 2016, elle sera fabriquée en volume dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon. En 2014, Toshiba avait annoncé  remplacer cette ancienne usine par une nouvelle qui serait capable de produire de la mémoire NAND classique et « 3D » à compter de 2016. Le communiqué de la marque indique que la Fab2 devrait être opérationnelle durant la première moitié de 2016.

Cette structure de mémoire permet théoriquement d'augmenter fortement la densité même si pour l'instant, il faut se contenter de puces 128 Gbits pour ce premier échantillon. On rappellera que si Toshiba a été pionnier de cette technologie, Samsung avait été le premier à lancer la production de sa propre version de mémoire NAND verticale, baptisée V-NAND en 2013. Si l'agencement technique semblait légèrement différent du BiCS de Toshiba (voir notre article), le principe de base reste le même.

Cette V-NAND s'est ainsi retrouvée dans les SSD 850 Pro du constructeur sous la forme de puces empilant 32 couches. De son côté, si Toshiba met en avant l'empilement de 48 couches, on ne connait pas encore la finesse de gravure qui sera utilisée. Plus de détails seront probablement dévoilés d'ici à l'année prochaine. Pour le reste de la concurrence, Intel et Micron devraient proposer leur version 3D NAND 32 couches au second semestre 2015, tandis qu'il faudra attendre 2016 pour Hynix.