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Disponible depuis la fin de l'été, l'ATIV Book 9 Lite de Samsung est bâti autour de l'APU d'entrée de gamme d'AMD, Temash, dans sa version A6-1450. Pour rappel, Temash est la version basse consommation de Kabini que nous avions testé ici et l'A6-1450 en est une déclinaison quadcore cadencée à 1 GHz (1.4 GHz en turbo), avec 2 Mo de cache L2 et un TDP de 8W.

Pour ce portable 13.3" d'entrée de gamme, Samsung semble étrangement avoir décidé qu'il n'était pas bienvenu d'insister sur l'intégration de ce composant, voir qu'il serait bénéfique de masquer toute trace de l'intégration d'un processeur AMD. La page produit de Samsung  par exemple mentionne vaguement un "Processeur Quatre Cœurs (jusqu'à 1.4 GHz)" alors que le descriptif processeur pour ses autres produits PC est de type "Processeur Intel® Core™ i5 4200U (1.6 GHz jusqu'à 2.6 GHz, 3 MB L3 Cache)". Seule la mention d'une carte graphique AMD Radeon HD 8250, qui est le nom du core graphique intégré à l'APU d'AMD permet d'en deviner la présence.

Les revendeurs français, eux aussi, ne semblent pas trop chercher à préciser le type de processeur intégré. Certains suivent la ligne de Samsung, d'autres parlent d'AMD Samsung Quad Core, d'autres d'un APU Série A, mais très peu mentionnent le modèle exact. Des fiches techniques non complètes, rien d'anormal ? C'est ce que nous aurions pu penser, jusqu'à recevoir cette photo :


Notre confrère Carsten Spille de PCGamesHardware.de, qui en tant que bon geek parcourt comme il se doit les rayons informatiques pendant ses vacances, nous a fait parvenir ce cliché assez surprenant. Comme sur la fiche technique de Samsung, il n'est fait mention nulle part du processeur utilisé et le fabricant a évité le traditionnel autocollant AMD au profit d'un modèle générique "x4 Quad-Core". Le détail surprenant est cependant ailleurs, observez le gestionnaire des tâches de Windows 8. Il devrait en principe reporter le type de CPU utilisé par la machine et donc mentionner "AMD A6-1450 APU with Radeon™ HD Graphics" (voir ci-contre pour un exemple normal), mais il n'en est rien : Samsung a été jusqu'à faire en sorte de modifier le nom du CPU reporté par Windows qui affiche "Quad-Core Processor (up to 1.4 GHz)".


Voilà ce qui devrait normalement être affiché
De quoi faire un parallèle avec la triste époque des cartes-mères pour CPU AMD vendues en marque blanche suite aux pressions d'Intel… La situation est cependant probablement différente dans ce cas et plutôt liée au fait qu'à force d'être cantonné à l'entrée de gamme, AMD a du mal à s'assurer que sa marque soit respectée et affichée. Samsung semble ici s'asseoir sur le respect du consommateur, ce qui passe par une communication claire, et estimer qu'indiquer le type de processeur embarqué serait néfaste sur le plan commercial. L'APU AMD, un détail honteux qu'il faudrait cacher ? Pas sûr que tout le monde soit d'accord avec la façon de penser de Samsung...

Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de puces DDR4 de 512 Mo. Gravées avec un process de "classe 20nm" (entre 20 et 29 donc), ces puces fonctionnent au mieux en mode DDR4-2667, soit 25% de mieux que la DDR3 "officielle" qui plafonne à la DDR3-2133 et pour une consommation en baisse de plus de 30%.

Le géant de la mémoire a notamment intégré ces puces sur un module ECC Registered de 32 Go, limité au mode DDR4-2133, qui devrait faire le bonheur de futurs serveurs. Rappelons toutefois qu'il faudra attendre 2014 pour que la DDR4 soit gérée sur ce type de plate-forme chez Intel (Ivy Bridge-EX et Haswell-E) ... c'est donc un peu tôt pour une production en volume !

Après avoir annoncé la production de sa mémoire V-NAND il y a une semaine, Samsung annonce les premiers SSD l'utilisant. Les Samsung V-NAND SSD sont lancés en versions 480 et 960 Go. Destinés au monde professionnel, on ne connait pas grand-chose de leurs caractéristiques si ce n'est qu'ils sont au format 2.5" et utilisent une interface SATA 6 Gb/s.

Côté V-NAND on ne sait toujours pas quelle est la finesse de gravure utilisée, mais Samsung met en avant un gain de productivité côté production supérieur à x2 par rapport à une mémoire de classe 2xnm. Si la V-NAND venait à être déclinée sur des SSD plus grand publics, ces derniers pourraient donc voir leur prix au Go nettement abaissé. En attendant, l'endurance annoncée des cellules MLC V-NAND semble très importante puisque les V-NAND SSD sont annoncés comme pouvant supporter 35 000 cycles d'écriture, un chiffre très supérieur aux MLC 19 à 25nm qui sont à 3000-5000 cycles et aux eMLC 25nm qui sont à environ 25 000 cycles.

Le géant coréen vient d'annoncer  la mise en production de sa technologie V-NAND, un nouveau type de mémoire flash conçu pour améliorer la densité. La V-NAND combine deux innovations par rapport à la mémoire flash NAND traditionnelle.

D'abord sur le fonctionnement même du stockage, la NAND traditionnelle utilise des transistors de type floating-gate pour stocker les informations. La V-NAND se distingue en utilisant un autre type de structure, dit charge-trap.


Schéma extrait de cette présentation  de Macronix
La floating-gate est ici remplacée par une couche de nitrure de silicium, ce qui donne l'avantage d'une structure planaire plus facile à produire. Il ne s'agit pas en soit d'une technologie nouvelle puisque le concept date des années 70 et avait été popularisé par AMD et Fujitsu avec la mémoire flash NOR MirrorBit. Son application à la NAND avait été étudiée à plusieurs reprises, son inconvénient principal dans les structures traditionnelles SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) étant qu'il est difficile de cumuler vitesse d'effacement rapide et rétention, bien qu'individuellement sur ces points la CT soit théoriquement plus intéressante que la NAND floating-gate. Depuis, des alternatives au SONOS utilisant par exemple des diélectriques high-k ont été mises au point.

L'autre innovation consiste à produire ces structures de manière verticale, plutôt que de manière planaire. Samsung n'est pas le seul à travailler sur le sujet puisque Toshiba , dès 2007, avait proposé une structure de ce type que vous pouvez voir en image ci-dessous (la couche en rouge du schéma au-dessus est ici en (tube) jaune) :


En utilisant des structures verticales, il est possible d'améliorer significativement la densité de données, sans pour autant faire exploser les coûts. Plusieurs types de structures verticales étaient d'ailleurs à l'étude, Toshiba privilégiant sur le schéma ci-dessus une structure BiCS (Bit Cost Scalable) tandis que Samsung travaillait sur deux alternatives. Tout d'abord le TCAT (Terrabit Cell Array Transistor), une version améliorée du BiCS qui permet l'utilisation de diélectriques high-k et le VG-NAND (Vertical Gate NAND) dont la structure est un peu plus complexe :


Bien que le communiqué ne le précise pas exactement, nous supposons d'après certains termes utilisés dans le communiqué que c'est l'approche TCAT qui a été retenue, il s'agit en prime de celle qui semblait la plus prometteuse en termes de coûts. Le communiqué indique que Samsung pourrait en théorie placer jusqu'à 24 couches en hauteur, sans préciser le nombre de couches utilisées dans les premières puces.

Côté performances et caractéristiques, là encore le communiqué est flou et il faudra probablement attendre de voir les fiches techniques des puces pour avoir des informations précises. Samsung indique simplement que la V-NAND permet par rapport à de la NAND classique gravée en 1xnm (19nm probablement) d'augmenter la longévité des puces par un facteur compris entre 2 et 10x, tandis que les performances en écritures seraient doublées. Samsung se garde par contre d'indiquer quelle est la finesse de gravure utilisée pour cette V-NAND.

Il sera important de voir quelles seront les caractéristiques commerciales des puces, mais également leur prix ! La première proposera une densité de "seulement" 128 Gbit, une taille déjà atteinte avec des technologies classiques, avec pour objectif d'atteindre le Terabit sur une seule puce à terme via cette technologie.