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Samsung vient d'annoncer qu'il produisait en volume de nouvelles puces mémoires DDR3 de 512 Mo gravées en 20nm. Un communiqué qui n'est pas sans rappeler celui de l'an passé  concernant de la DDR3 utilisant un process de "classe" 20nm, soit entre 20 et 29nm inclus selon Samsung.

Cette fois Samsung parle donc de 20nm "tout court", et annonce que la productivité augmente de 30% par rapport aux DDR3 précédentes (du fait de la baisse de la taille de la puce), qui ne sont désormais plus en "classe" 20nm, mais en 25nm. Cette évolution s'est fait en améliorant le processus de production mais en conservant les mêmes machines. L'annonce aura au moins le mérite de préciser la dénomination du process utilisé précédemment !

L'Hybrid Memory Cube Consortium (fondé par Micron et Samsung en 2011, rejoint ensuite par Hynix et 120 sociétés donc ARM, IBM, Microsoft et Xilinx) vient de publier un communiqué indiquant le développement d'une seconde génération de cette mémoire. Pour rappel, le concept de l'HMC est de superposer plusieurs dies de mémoire DRAM par-dessus une die de logique, le tout étant relié par des TSV (Through Silicon Vias, des fils qui traversent les dies).

Nous avions parlé un peu plus en détail de la première version de cette spécification en septembre dernier, nous vous renvoyons vers cet article  si vous souhaitez plus de détails.

La nouvelle spécification est encore au statut de « draft » (en préversion) et n'a été pour l'instant partagé qu'avec les membres du consortium dans le but d'être finalisé en mai 2014. La nouvelle version de la spec évoque des augmentations de bande passante, en doublant à 480 Go/s la bande passante totale des puces pour le modèle 4 liens, et 480 Go/s également pour le modèle huit liens (contre 320 dans la spec version 1.0).

Si Samsung et Hynix sont impliqués dans le développement du standard, Micron reste pour l'instant le seul constructeur à avoir produit des échantillons commerciaux.

IC insights a publié un résumé de l'activité en 2013 des entreprises de fabrication de semi-conducteurs ouvertes à des tiers (le concept des foundries). Dans ce marché en expansion massive (+14% en 2013) et qui représente un peu plus de 42.8 milliards de ventes au global, on retrouve deux type d'entreprises, les Pure Play et les IDM. Là où les premières ne disposent pas de produits propres - ils fabriquent uniquement pour des clients tiers - les IDM partagent leurs chaines de productions entre leurs produits et ceux de leurs clients.

Avec assez peu de surprise, TSMC écrase la concurrence avec 46.3% du marché, le second GlobalFoundries devant se contenter de 9.9%. UMC et Samsung se rapprochent également de la seconde place en étant quasi ex-aequo à 9.2%. On notera surtout que si Samsung et TSMC continuent de progresser au-delà de la moyenne de l'industrie, la croissance est un peu plus mesurée chez GlobalFoundries et UMC avec seulement 6%.

Le modèle IDM est également en passe d'être d'adopté par Intel qui annonçait en fin d'année sa volonté d'ouverture de ses usines à d'autres clients. Les ambitions du constructeur sur ce marché extrêmement concurrentiel visent avant tout les process dernier cri, là où les marges sont les plus importantes et les clients les plus volatiles. Intel a déjà signé un accord avec Altera pour la production d'un FPGA incluant un ARM 64 bits, même si Altera continue d'utiliser TSMC en parallèle. Intel souhaite pour rappel améliorer la rentabilité de ses usines qui tournent au ralenti, le constructeur ayant même annulé en janvier l'ouverture de sa Fab 42 à Chandler en Arizona. Cette fab devait pourtant être dédiée à la production de puces 14 nm que le constructeur souhaite ouvrir à des partenaires.

Samsung annonce aujourd'hui la déclinaison de son 840 EVO au format mSATA. Avec une épaisseur de 3,8mm et un poids de 8,5 grammes, il atteint une capacité record pour le mSATA de 1 To au maximum, des versions 120, 250 et 500 Go étant également au programme.

Cette capacité est atteinte par l'utilisation de 4 packaging mémoire intégrant chacun 16 die de Flash NAND MLC 19nm de 16 Go chacun. Cette mémoire Flash est contrôlée par un contrôleur maison S4LN045X01 associé à 256 (pour le 120 Go), 512 (250 et 500 Go) et 1 Go (1 To) de mémoire DRAM.


Les spécifications sont identiques aux versions SATA 2.5" en termes de performances :


Pour rappel TurboWrite est une fonctionnalité utilisant tout ou partie de l'overprovisionning en mémoire TLC pour faire office de de cache en l'utilisant comme de la SLC. Samsung réserve ainsi 36 Go, 18 Go et 9 Go de mémoire TLC pour disposer de 12, 6 et 3 Go de cache TurboWrite sur les versions 1 To, 500 Go et 250/120 Go.

Le codage AES 256 bits est de la partie, et Samsung annonce qu'il est compatible avec les standards TCG Opal et IEEE 1667 ce qui devrait permettre d'utiliser par exemple le chiffrement matériel sous BitLocker comme sur le Crucial M500. Ce support vient par ailleurs d'être activé via le dernier firmware du 840 EVO classique via le firmware EXT0BB6Q que vous pouvez télécharger sur cette page  ou via le logiciel Samsung Magician, il apporte également des améliorations non précisées à l'algorithme TurboWrite.

Les Samsung 840 EVO mSATA devraient être disponibles dans le courant du mois et viendront apporter un peu d'air frais au format mSATA, format sur lequel la concurrence est bien moins importante qu'en 2.5".

Nous venons de mettre à jour notre comparatif de SSD SATA 6G d'une capacité de 120 à 128 Go avec 5 nouvelles références, e qui porte le total à 37 ! Nous avons également ajouté de nouvelles pages afin de décrire les techniques destinées à augmenter plus ou moins temporairement les performances en écriture sur certains SSD. Et bien entendu c'est le débit en pointe qui est mis en avant dans les fiches produits...

Voici un rapide descriptif des SSD ajoutés et ce qu'il y a à en retenir :

OCZ Vector 150

OCZ lance une évolution du Vector, le Vector 150. Toujours associé à une garantie de 5 ans, il utilise non plus de la mémoire IMFT 25nm mais de la Toshiba 19nm, ce qui lui permet de gagner légèrement en écriture.

Au-delà du débit on note surtout que les capacités ne sont plus de 128/256/512 Go mais 120/240/480 Go, OCZ a fait le choix d'ajouter un overprovisionning afin d'enfoncer encore plus le clou dans la tenue des performances aléatoires même en conditions difficiles (sans TRIM), un domaine dans lequel le contrôleur Barefoot 3 est très à l'aise.

Malheureusement ce SSD au moins dans ses versions 120/240 Go conserve une technique visant à prioriser l'écriture sur les pages Flash les plus rapides, qui sont ensuite libérées dans un second temps. Les débits élevés en écriture mis en avant ne sont ainsi pas soutenu et cette technique est contre-productive du point de vue de l'usure des cellules Flash.

Autre problème, nous avons vu dans notre dernier point SAV que malgré les promesses initiales les SSD en Barefoot 3 ne sont pas au niveau de fiabilité attendu, même si une bonne partie des problèmes était lié à un bug dans le firmware initial du Vector corrigé depuis. Qu'en sera-t-il pour le Vector 150 ?

OCZ Vertex 450


Le Vertex 450 est une déclinaison plus abordable du contrôleur Barefoot 3, qui est cette fois associé à de la mémoire IMFT 20nm et à une garantie de 3 ans. Malgré l'utilisation d'une optimisation similaire à celle des Vector, à savoir l'utilisation prioritaire des pages Flash les plus rapides (mode "SLC"), les performances sont en net retrait en écriture bien que suffisantes pour un usage classique.

Le Vertex 450 conserve les avantages du Barefoot 3, à savoir une excellente tenue des performances en écriture aléatoires, mais également ses défauts donc, y compris le doute qui subsiste quant à la fiabilité. Dommage.

Samsung 840 EVO


Le Samsung 840 en TLC passe à la version EVO, qui est toujours garanti 3 ans. Si le contrôleur évolue légèrement, avec notamment une fréquence passant de 300 à 400 MHz, le gros changement se fait du côté de la mémoire Flash. Toujours de type TLC (3 bits par cellule) il s'agit désormais de puces 16 Go gravées en 19nm contre des puces 8 Go 21nm auparavant. Le niveau de tension à programmer sur les puces TLC étant plus précis, leur écriture est plus lente et use plus les cellules, d'où une endurance et des performances réduites mais qui restent largement suffisante à l'usage.

Les performances en écriture ne suffisait néanmoins pas à Samsung qui à décider de grimper les chiffres affichés sur les fiches produits via TurboWrite. Une partie de la Flash réservée avant à l'overprovisionning et au provisionning est utilisé cette fois comme un cache qui est écrit en mode "SLC", ainsi sur le 840 EVO 120 Go il y a 3 Go de de cache TurboWrite qui peut être écrit à 410 Mo /s alors que le reste du SSD est écrit à 140 Mo /s. Là encore c'est plutôt contre-productif du point de vue de l'usure des cellules, ce qui est d'autant plus dommageable sur de la TLC.

On apprécierait donc que TurboWrite soit débrayable, mais cela ne changerait pas le fait que Samsung positionne ces SSD TLC à des tarifs trop élevés puisqu'au même niveau que des SSD concurrents en MLC.

Sandisk Extreme II


Le Sandisk Extreme II est en quelque sorte un Sandisk Ultra Plus "Plus". Le cache DRAM est doublé, le contrôleur Marvell gère la Flash sur 8 canaux au lieu de 4, cette dernière étant toujours de type 19nm, alors que la garantie passe de 3 à 5 ans. C'est surtout sur ce dernier point qui fait la différence puisque si l'Extreme II est effectivement un peu plus rapide en écritures, sauf besoin spécifique cela ne se ressentira pas en pratique.

Un bon SSD donc dont le prix est très agressif pour une garantie de 5 ans, et qui est - c'est le seul des 5 ajoutés - sans surprise quand à la tenue des performances séquentielles qu'il annonce.

Toshiba Q Series


Surtout présent sur le marché de l'OEM, Toshiba tente avec le Q Series de se faire une place sur les ventes de SSD au détail. Acteur important de la Flash puisqu'il dispose de ses propres usines, Toshiba équipe le Q Series de ses mémoires Flash 19nm et l'associe à un contrôleur marqué du double sceau de Toshiba et Marvell. Chose unique pour un Marvell, il n'est pas associé à un cache DRAM.

En pratique les performances du SSD sont bonnes mais surprise, tout comme OCZ, Toshiba a implémenté un algorithme visant à utiliser prioritairement les pages Flash les plus rapide, et cette fois sans une libération de celles-ci dans un second temps. Les performances en écriture sont donc tout sauf stables, et là encore nous avons de gros doutes pour ce qui de l'impact sur l'usure des cellules.

Combiné à une garantie qui est la plus courte du comparatif, à savoir 2 ans, voilà qui n'est pas très engageant.