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Afficher sous forme de : Titre | FluxSamsung produit la DDR3 en 20nm
Hybrid Memory Cube Gen2 en développement
46% de parts de marché pour TSMC
1 To en mSATA avec le 840 EVO de Samsung
Test de 5 SSD SATA 6G 120 et 128 Go
Le 16nm en retard chez TSMC
TSMC a également publié ses résultats pour le second trimestre, avec un chiffre d'affaire de 6 milliards de dollars, en hausse de 17.4% par rapport à la même période sur l'année 2013. Le bénéfice net atteint 1.9 milliard, là aussi en hausse de 15.2%.
La conférence concernant ses résultats financiers a été l'occasion d'obtenir quelques détails supplémentaires. D'abord un rappel sur l'importance des SoC et Modems pour TSMC. Si tous les segments sont en hausse, la fabrication de SoC représente 54% du chiffre d'affaire sur le second trimestre. Une dépendance forte à des sociétés comme Qualcomm et Mediatek (et selon les rumeurs sur le 20nm, Apple) qui pourrait poser problème à l'avenir au fondeur taiwanais : Qualcomm ayant selon les rumeurs récentes choisi Samsung/GlobalFoundries pour le 16nm (tout comme Apple). A titre indicatif, la part « informatique » qui inclut les SoC x86 et les GPU est en baisse, passant de 13% à 11% du mix de produits fabriqués par TSMC.

Concernant le 20nm, Morris Chang a confirmé que les livraisons en volume ont commencé en juin, réitérant que le ramp-up (la montée des yields, massivement importante pour déterminer le cout final des puces) aura atteint un nouveau record. Selon les rumeurs, Qualcomm et Apple se sont accaparé la majorité de la production 20nm de TSMC pour les trimestres à venir pour la production de leurs SoC.
Le 16 nm devrait cependant être légèrement en retard si l'on en croit les commentaires légèrement cryptiques donnés durant la conférence. La production en volume ne débuterait que fin 2015, alors que TSMC laissait entendre plus tôt que le délai entre la production 20 et 16nm serait de 12 mois. Cela a valu au fondeur d'indiquer qu'il estime qu'un de ses concurrents (non nommé explicitement, mais il s'agit de Samsung) disposera d'une part de marché supérieure sur le 16nm en 2015, quelque chose de justifié en grande partie par le fait que Samsung ait choisi de passer directement au 16nm laissant de côté le 20nm. La perte de part de marché venant du fait que « certains clients » ait souhaité profiter du 16nm avant qu'il ne soit disponible chez TSMC, quelque chose qui semble aller dans le sens des rumeurs concernant Qualcomm et Apple.
TSMC estime que la situation s'équilibrera en 2016. L'allocation 16nm devrait être beaucoup moins problématique que celle en 20nm pour les acteurs du marché GPU dans tous les cas.
On notera que le 10nm a été évoqué et que l'EUV a - chose rare - été évoqué comme une possibilité pour une voir deux couches durant le process de fabrication. Les premiers tape-out seraient attendus sur la seconde moitié de 2015. La production en volume n'étant pas encore évoquée.
Samsung 845DC Pro et EVO
Début juin, Samsung a lancé une version professionnelle de son 840 EVO, le 845DC EVO qui est plus particulièrement destiné aux applications qui font plus appel à la lecture qu'à l'écriture, endurance moindre de la TLC oblige.
Par rapport à la version grand public, il se distingue de par l'intégration sur le PCB de condensateurs qui permettent au contrôleur d'avoir le temps d'écrire les données en Flash en cas de coupure de courant et des capacités utiles légèrement différentes laissant une place plus importante à la réserve de Flash : 240, 480 et 960 Go (contre 250, 500 et 1000 Go en 840 EVO).
Le TurboWrite n'est pas actif sur cette version et Samsung annonce 270 Mo /s en écriture pour la plus petite capacité et 410 Mo /s pour les deux autres, contre 12K et 14K IOPS en écriture 4K aléatoire QD32. Il s'agit ici d'une valeur soutenue et pas d'un maximal obtenu uniquement quand le SSD dispose d'un énorme stock de Flash considéré comme libre. Au final Samsung annonce sur le 845DC EVO des endurances de 150 To à 600 To selon la capacité, avec une garantie de 5 ans.

Le 850 Pro annoncé récemment a également droit à une version professionnelle, plus ciblée pour les usages ayant besoin de gros volumes en écritures cette fois. Le 845DC Pro fait également appel à la V-NAND, mais cette fois en version 24 couche, et reprend donc le même principe que le 845DC EVO avec des condensateurs pour protéger les données et un overprovisioning supplémentaire qui est cette fois plus important puisque les capacités utiles sont de 400 et 800 Go (au lieu de 512 et 1000 Go). Côté performances, on atteint 530/460 Mo/s en séquentiel contre 92K et 50K IOPS en 4K aléatoire (soutenu là encore). La garantie est toujours de 5 ans mais l'endurance explose avec 7300 à 14600 To.
L'écart est donc énorme par rapport au 850 Pro garanti pour 150 To seulement. Il y a bien entendu des justifications techniques, avec l'overprovisioning bien plus important qui permet de garantir cette endurance même en l'absence de TRIM et avec des écritures aléatoires, mais aussi tout simplement une endurance garantie volontairement minorée sur les SSD grands publics pour faire un effet de gamme. L'exemple le plus fragrant est que dans la gamme professionnelle l'endurance garantie double quand la capacité double, alors qu'un 850 Pro 1 To est tout comme un 128 Go annoncé à 150 To … et non pas 1200 To comme il devrait l'être !
Le Samsung 845DC EVO sera disponible ce mois, il faudra attendre début août pour le 845DC Pro.
Samsung 850 Pro avec V-NAND

Samsung lance une nouvelle gamme de SSD, les 850 Pro. Déclinés en versions 128, 256, 512 et 1 To, ces SSD embarquent respectivement 256, 512, 512 et 1024 Mo de cache. Côté sécurité on note le support de l'AES-256 et des normes TCG Opal 2.0 et IEEE-1667. L'interface SATA est toujours de mise, on retrouve donc les niveaux de performances habituels pour le haut de gamme :

Les performances sont de haut vol dès la version 128 Go. Là ou Samsung tape fort c'est côté endurance et garantie puisque le constructeur annonce pour toutes les versions une endurance de 150 To, soit beaucoup plus que d'autres SSD grands publics même si en pratique ce chiffre est facilement atteint, ainsi qu'une garantie de 10 ans (dans la limite des 150 To).
Le secret des 850 Pro se cache en fait au niveau de la mémoire Flash puisque qu'au lieu d'utiliser de la NAND classique, les 850 Pro sont les premiers SSD grand public faisant appel à la 3D NAND, appelée V-NAND chez Samsung.
Avec ce type de mémoire, l'augmentation de la densité au mm² ne se fait plus en réduisant la taille des cellules Flash sur les axes X et Y, avec les problèmes que cela pose en termes d'endurance notamment du fait de la réduction de la taille de la grille flottante, mais grâce à un empilement vertical des cellules.

La V-NAND MLC utilise ainsi des cellules plus larges, avec un espacement de 40nm entre les cellules, mais après avoir produit en volume la V-NAND sur 24 couches en 2013, la V-NAND est passée en 2014 à 32 couches. Du coup la densité d'information au mm² est supérieure à celle obtenue par Micron en 16nm par exemple. Bien entendu en contrepartie Samsung doit amortir des coûts lié à la R&D ainsi qu'aux équipements liés à la V-NAND, de plus le taux de rebuts et le nombre d'étapes nécessaires à la fabrication de la V-NAND sont probablement plus élevés.
Reste que si d'un point de vue coût au Go la V-NAND n'est probablement pas encore au niveau de la NAND "2D", Samsung est le premier à l'introduire en volume ce qui est à saluer. Ce type de mémoire devrait en effet être à terme un passage obligé pour continuer la marche en avant des SSD.
En attendant ce passage obligé, à l'instar des 840 Pro les 850 Pro ne seront pas donnés lorsqu'ils débarqueront en magasin, ce qui est prévu pour le 21 juillet. Il est en effet question de 130$ en 128 Go, 200$ en 256 Go, 400$ en 512 Go et 700$ en 1 To. Il n'est pas certain que les avantages actuels de la V-NAND suffisent à convaincre face à des SSD très compétitifs en terme de prix tels que le Crucial MX100.
Samsung améliore sa 3D V-NAND
Samsung vient d'annoncer le début de la production en volume d'une nouvelle version de 3D V-NAND introduite en août 2013. La densité est améliorée par un passage de 24 à 32 couches. Samsung annonce que les SSD basés sur ces puces sont 2x plus endurants et 20% plus économes en écriture que ceux utilisant des puces "2D".

Ce type de mémoire, plus onéreuses à produire que les NAND classiques, sont donc destinées dans un premier temps aux usages ayant besoin d'une endurance accrue mais alors que Samsung ciblait initialement les centre de données la seconde génération de SSD à base de V-NAND, dont la capacité varie entre 128 Go et 1 To, cible également les "high-end PC applications".
Le prix de ces SSD n'est toutefois pas connu, il reste probablement très élevé. Plus tard dans l'année Samsung indique qu'il lancera d'autres SSD basés sur cette seconde génération de V-NAND avec une endurance accrue et des capacités supérieures.
Partenariat Samsung-GlobalFoundries pour le 14nm
Samsung et GlobalFoundries viennent d'annoncer un nouveau partenariat stratégique autour de la technologie 14nm. Pour rappel, Samsung et GlobalFoundries sont déjà partenaires via la Common Platform , une alliance menée par IBM dans laquelle les trois entreprises partagent leurs travaux de recherche. On précisera au passage que depuis le début de l'année, une rumeur court sur la possible volonté d'IBM de se séparer de son activité « semi-conducteurs ». Un point à prendre en compte dans l'annonce sans précédent faite par les deux autres membres : un partage technologique complet autour du 14nm.

En effet, si les membres de la Common Platform utilisaient des process similaires dans les grandes lignes, dans l'implémentation ils n'étaient pas identiques. Un client souhaitant utiliser plusieurs fondeurs devant adapter son design aux particularités de chaque process. Cela change aujourd'hui avec cette annonce, quatre usines (trois appartenant à Samsung et une à GlobalFoundries) seront converties et synchronisées pour un process unique, développé principalement par Samsung, permettant aux clients d'utiliser un design unique chez ces deux fondeurs.

Deux versions distinctes du process 14nm seront proposées, une première baptisée LPE et pour laquelle Samsung et GlobalFoundries espèrent un début de production d'ici à la fin de l'année, et une version LPP plus optimisée sur laquelle aucun détail n'est ajouté.

Cette alliance est avant tout une aubaine pour GlobalFoundries, généralement en retard sur Samsung sur le développement de ses process, tout en étant positive pour Samsung qui permet à ses clients de disposer d'une seconde source d'approvisionnement en cas de besoin (un point de contention important pour certains de ses clients dont Apple). Obtenir de l'allocation sur les process dernier cri est généralement compliqué pour les différents acteurs du marché, certains gros clients comme Apple et Qualcomm tendant à accaparer une grande partie de l'allocation disponible. A l'heure ou Intel s'essaye aussi à entrer sur ce marché, il faudra voir si les deux sociétés arrivent à proposer - dans les temps - un partenariat qui pourrait proposer une alternative importante à TSMC, très largement numéro un du marché.


