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Depuis maintenant un mois, un fil de discussion sur le forum Overclock.net  regroupe des utilisateurs de Samsung 840 EVO rencontrant un problème assez étonnant. En effet, le SSD offre un débit en net retrait pour lire des données relativement anciennes, écrites depuis plus d'un mois. Voici par exemple les résultats obtenus avec HD Tach par un des participants :

Au-delà de la limite de 350 Go il s'agit de l'espace libre, en dessous les performances sont très variables alors qu'on devrait avoir une ligne droite à 450 Mo /s. Les débits descendent jusqu'à 100 Mo /s, très loin donc de ce qu'est censé produire un 840 EVO. Certains utilisateurs ont des performances encore inférieures.

Contacté à ce sujet par AnandTech , Samsung leur a indiqué être au courant du problème et avoir probablement trouvé l'origine du bug. Un firmware correctif est en cours de réalisation et sera rendu public après validation, mais aucune date estimative n'a été donnée. Voilà un bug aussi étonnant que gênant, il sera intéressant que Samsung donne plus de détails à ce son sujet.

Face à l'importance prise dans le monde du GPU mobile par des acteurs nouveaux, ou anciennement secondaires, Nvidia s'estime lésé et brandit l'arme des brevets.

Nvidia a annoncé en fin de semaine passée avoir déposé une plainte à l'encontre de Samsung et Qualcomm pour violation de plusieurs de ses brevets . Parmi son arsenal, Nvidia a choisi de mettre en avant 7 brevets qui concernent la mise en place dans un GPU du T&L, des shaders, du multithreading etc.

Compte tenu de leur histoire relativement longue dans un domaine qui bouge beaucoup et de leurs différentes acquisitions, il est difficile de concevoir aujourd'hui un GPU sans entrer en conflit avec l'un des brevets d'AMD ou de Nvidia. Ils ont alors la possibilité de ne rien faire, estimant que ce serait contreproductif, de négocier un accord ou de passer par la case justice. C'est ce qu'a décidé Nvidia après deux années de négociations infructueuses avec différentes parties.

Au cours de son histoire, Nvidia a dépensé énormément en R&D et n'a pas manqué d'investir en proportion dans la rédaction de brevets relativement généralistes et plus spécifiques. Depuis à peu près 2 ans, le mot "invention" et tous ses dérivés font partie des éléments de langage de la société, exploités à chaque opportunité. C'est particulièrement le cas avec le CEO de la société, Jen-Hsun Huang, qui pousse dans certaines situations le concept à l'extrême quitte à déformer la réalité, comme c'était le cas lors du dernier CES durant lequel il a par exemple déclaré "Nous avons inventé le GPU" ou encore résumé l'épisode des GeForce FX par "Nous avons inventé DirectX 9". De petites phrases qui résument bien la pensée de Nvidia : la société a été au cœur du développement des technologies graphiques, entend bien le faire savoir agressivement et en tirer le bénéfice.

Alors que les SoC Tegra de Nvidia peinent à prendre leur envol dans le monde des smartphones et tablettes, des produits concurrents voient leur volume de vente exploser. Ces produits intègrent tous un GPU sous une forme ou une autre, ce qui est difficilement acceptable pour Nvidia qui estime avoir développé des technologies qu'ils exploitent sans contrepartie. Ce dernier cite les GPU Mali d'ARM, PowerVR d'Imagination et bien sûr Adreno de Qualcomm.

Nvidia focalise dans un premier temps son action contre Samsung et Qualcomm, mais il nous paraît probable que c'est avant tout le second qui est visé. Pour rappel, Qualcomm fabrique les SoC Snapdragon équipés de GPU Adreno, des composants qui ont progressivement largement dominé le marché. Nvidia a probablement intégré Samsung dans sa démarche pour augmenter la pression sur Qualcomm qui n'entend pas céder si facilement. Samsung ayant été prévenu par Nvidia il y a plus de deux ans, la société ne pourra pas se justifier en disant n'y être pour rien et en renvoyant simplement la balle à Qualcomm.

Nvidia a ainsi demandé l'interdiction d'importation sur le sol américain de différents périphériques Samsung : Galaxy S4, Galaxy S5, Galaxy Note 3, Galaxy Note 4, Galaxy Note Edge, Gamaxy Tab S, Galaxy Note Pro. Bien entendu, après cet épisode, il sera difficile pour Nvidia d'obtenir des commandes du fabricant coréen, mais cette décision a probablement été prise parce que les liens commerciaux entre les deux sociétés étaient de toute manière insignifiants.

En débutant officiellement les poursuites, Nvidia accentue la pression sur Qualcomm, mais le but visé dans ce type de procédure est toujours de trouver un accord. Cela risque de prendre du temps, d'autant plus que la situation est complexe. Dans le cas d'un procès, il pourra être difficile à Nvidia de démontrer objectivement que ses brevets ne sont pas trop généralistes, ne représentent pas de petites évolutions évidentes et ont bel et bien été enfreints par l'implémentation de Qualcomm. Par ailleurs, si ce dernier est arrivé récemment dans le monde du GPU, il l'a fait en rachetant à AMD/ATI la division Imageon dont sont issus les GPU Adreno. Qualcomm profite ainsi probablement d'un accord par rapport à certains brevets d'AMD.

La capacité de Nvidia à obtenir un accord ou un jugement favorable pourra lui rapporter des revenus supplémentaires substantiels, et lui donner des arguments pour en faire de même avec d'autres acteurs de l'industrie. Par exemple, si Imagination fait la sourde oreille, Nvidia pourrait se retourner contre Apple, mais nul doute que ce dernier pourrait prendre très mal une action agressive de ce style et avoir par la suite quelques difficultés pour passer commande de GPU GeForce.

A noter que l'accord signé il y a quelques années entre Intel et Nvidia englobe l'accès à ces brevets. Intel est ainsi couvert, que ce soit pour ses propres GPU ou pour les GPU PowerVR qu'il intègre dans certains SoC. Dans sa démarche juridique, Nvidia exploite d'ailleurs cet accord en guise d'exemple.

Après le 850 Pro, Samsung devrait lancer un SSD basé sur de la V-NAND plus abordable, le SSD 850 EVO. Nos confrères de Les Numériques  publient en effet une photo prise lors de l'IFA sur le stand de Samsung le montrant :

Pour le moment on sait juste qu'il stockera comme son prédécesseur 3 bits par cellules (TLC), contre 2 pour le 850 Pro qui est en MLC. Pour rappel cela a un impact sur les performances comme sur la durée de vie de la NAND, mais vu que la V-NAND est meilleure sur ce dernier point que la NAND le 850 EVO pourrait tirer son épingle du jeu, d'autant que la NAND TLC était déjà assez endurante pour un usage classique.

Notez au passage que notre comparatif de SSD 480-512 Go intègre les résultats du Samung 850 Pro, mais nous n'avons par contre pas encore eu le temps de mettre à jour le texte. Comme attendu les performances sont là, et il prend à l'Intel 730 le leadership pour ce qui est des performances dans notre stress-test. Il faudra toutefois vraiment en avoir besoin, pour un usage plus classique vu son tarif nous continuons de privilégier le Crucial MX100.

La firme sud-coréenne Samsung vient d'annoncer  avoir lancé la production en masse de barrettes mémoires DDR4 composées de puces utilisant des TSV. Pour rappel, les TSV (Through Silicon Vias, des fils qui traversent le silicium) décrivent une méthode d'interconnexion utilisée pour connecter des dies superposés les uns aux entres en faisant passer de petits fils par des trous dans les puces (plutôt que de les faire passer par le côté).

Un exemple de dies superposés et de TSV chez Micron

Ce n'est pas la première fois que l'on parle de puces RAM utilisant des TSV, y compris chez Samsung qui avait déjà développé des échantillons de puces DDR2 et DDR3, mais il s'agit cette fois réellement d'une production en volume pour des produits étant voués à être commercialisés.

Techniquement, il s'agit de puces DDR4 de 4 Gb fabriquées dans un process « classe 20nm » (comprendre entre 20 et 29nm) en DDR4-2667. En utilisant ces puces, Samsung souhaite proposer des barrettes de 16 et 32 Go de DDR4, et même de 64 Go.


Ces barrettes seront destinées dans un premier temps plus particulièrement au marché des serveurs, aucune date de disponibilité n'est évoquée par le constructeur.

En marge de son annonce sur Broadwell-Y, Intel a partagé quelques détails sur son process 14nm. Comme vous le savez, le process 14nm d'Intel souffre de retards. Le constructeur avait annoncé qu'il décalerait la mise en production d'un trimestre en novembre dernier, tout en publiant des indications autour de ses yields qui laissaient entendre un retard de 6 mois.

En pratique, il est difficile de mesurer réellement le retard du process même si Intel a partagé ce nouveau graphique de yields :

Plusieurs choses à voir sur ce graph, d'abord, si vous vous souvenez du dernier graphique de yields présenté par Intel, celui-ci diffère fortement. Là où le premier était aligné par rapport au début du développement du process, les graphiques sont désormais alignés sur la qualification du premier produit (Ivy Bridge en 22nm, Broadwell-Y en 14nm), étape préalable à la mise en production. Intel indique sur ce graphique que la qualification de Broadwell-Y a eu lieu en fin de second trimestre et qu'il est actuellement en production en volume. Si l'on ne connait pas la date précise de qualification d'Ivy Bridge, on sait que la production en volume avait débuté au troisième trimestre 2011, ce qui met donc au minimum deux ans et neuf mois entre la mise en production en volume du 22nm et celle du 14nm.

L'autre point le plus important concerne (on passera sur l'échelle absente une fois de plus) l'écart de yields entre la mise en production d'Ivy Bridge et celle de Broadwell-Y. Le constructeur a choisi, comme nous le supposions en novembre dernier, de lancer la production avec des niveaux de yields inférieurs. En pratique, le décalage de yields pour la mise en production, si l'on prend en compte la prédiction pour les prochains mois est de quatre mois (voir la ligne violette que nous avons rajouté au graphique). Ce qui ne signifie pas quatre mois de retard pour ce process – rappelez-vous que les graphiques ne sont plus alignés ! – mais qu'Intel a anticipé la mise en production de quatre mois par rapport à celle d'Ivy Bridge. Il est probable que, plus que le niveau de yields, ce soit une date butoir qui ait été utilisée pour déterminer la mise en production afin de s'assurer qu'un produit soit « livré » cette année.

En soit, ce choix est logique : le constructeur peut ainsi proposer un peu plus tôt des produits quitte à sacrifier sur ses marges, tout en honorant - on l'imagine - des contrats auprès de ses partenaires et en pouvant montrer aux investisseurs qu'un produit en 14nm a bel et bien été lancé en 2014. En pratique, si Intel pourra effectivement « lancer » un premier produit cette année, le gros du volume en 14nm devra attendre. Le constructeur ne le cache pas en indiquant que ses yields devraient être acceptables au premier semestre 2015 pour la production en volume de produits vendus en plus larges quantités que les Broadwell-Y.

Intel est également revenu sur la compétition en proposant une nouvelle version de son graphique à propos de la densité qui avait largement fait débat :


Cette fois ci, le constructeur mélange IBM et TSMC parmi ses concurrents, et met de côté Samsung (pour rappel, Samsung et GlobalFoundries ont annoncé un partenariat sur le 14nm autour du process 14nm développé par Samsung, hors de la Common Platform – l'alliance qui liait Samsung et GlobalFoundries à IBM). Le constructeur a le mérite d'indiquer la formule qu'il utilise pour mesurer la densité ce qui n'était pas le cas auparavant.

La densité des puces est un sujet pour le moins complexe et si la formule annoncée par Intel (gate pitch – l'écart entre deux transistors multiplié par metal pitch – l'écart de la couche métallique la plus basse qui sert à l'interconnexion des transistors) est correcte, elle ne prend en compte qu'en partie la question de la densité.

Intel a par exemple toujours été en retard sur ses concurrents sur la question du metal pitch. Le 22nm d'Intel disposait d'un metal pitch de 90nm… tout comme le 28nm de TSMC. En pratique, pour le 14/16nm, voici les chiffres qui sont annoncés :


C'est sur cette formule (90x64 comparé à 70x52) qu'Intel annonçait un gain de 35% par rapport à TSMC. Bien sur, la densité finale d'une puce ne dépend pas que de cette formule, les règles de design, la taille des SRAM, et d'autres facteurs jouent de manière importante sur la densité « réelle » de transistors obtenus au mm2 sur une puce, la formule metal pitch x gate pitch n'indiquant que le cas « idéal ». C'est sur ces autres facteurs que TSMC estime gagner 15% de densité « réelle » au total entre son process 20 et 16nm. Si l'on ne peut pas reprocher à Intel de choisir la formule qui l'arrange le plus pour mettre ses produits en avant, on peut apprécier que cette fois ci, la formule choisie soit au moins précisée !

On notera par contre qu'Intel continue d'ignorer Samsung qui devrait pourtant être son plus sérieux concurrent sur le 14nm. Samsung pour rappel avait annoncé une production en volume de son process 14nm pour la fin de l'année 2014.


Sur le papier et comme indiqué plus tôt, le process d'Intel semble être supérieur aux autres process 16/14nm de première génération annoncés (on se souviendra que et TSMC, et Samsung ont annoncés une seconde version de leurs process), en partie par le choix fait d'obtenir une réduction forte sur la taille des interconnections atteignant un metal pitch de 52nm qui sera en avance pour la première fois depuis plusieurs process sur ce que proposeront ses concurrents.


Il s'agira également de la seconde génération de FinFet pour Intel. Outre l'apprentissage effectué par le premier, on peut noter sur les photos fournies par le constructeur quelques changements dans la forme des Fin. Là ou en 22nm les gates avaient une forme trapézoidale, les fins ont désormais une forme rectangulaire plus proche de la forme idéale attendue. On se souviendra qu'IBM et la Common Platform avaient soulevés les questions de forme et de variabilité du process d'Intel :


Il sera intéressant de voir si Samsung (et TSMC) aura comme le laissait entendre IBM à l'époque appris de la première version du process d'Intel.


On notera également une augmentation de la hauteur des fins (de 34nm à 42nm) qui devrait permettre une amélioration des performances, quelque chose qui devrait être très utile notamment sur les usages SoC pour limiter la consommation. Si Intel ne donne pas de chiffre de performances concernant les transistors, le constructeur donne quelques chiffres concernant Broadwell-Y. Sur cette puce, et par rapport à son équivalent Haswell, les courants de fuites seraient réduits par deux, avec un rapport performance par watt de 2x.

Pour résumer, Intel semble avoir fortement optimisé son process pour les usages mobiles qui sont aujourd'hui les marchés les plus porteurs (qu'il s'agisse des PC portables ou des tablettes/smartphones) et il sera intéressant de voir comment les gains (forts) annoncés sur Broadwell-Y se traduiront sur le reste des produits 14nm du constructeur. Si le retard d'Intel dans la mise au point de son process est conséquent, et que le lancement de Broadwell-Y se fait dans des conditions non optimales (yields plus faibles qu'attendus, et produits à fort volumes repoussés en 2015), le constructeur semble disposer sur le papier d'un process solide et ambitieux, qui semble corriger les problèmes de sa première génération FinFet. Reste que les délais dans sa mise au point ont permis à la concurrence de se rapprocher - au moins dans les annonces avec un Samsung qui devrait être particulièrement agressif. L'avantage technique apporté par ses process de fabrication reste toujours réel et important pour Intel, et sur le papier son 14nm devrait permettre à Broadwell-Y des avancées notables. Mais la domination d'Intel sur le sujet des process ne semble plus - si l'on s'en tient aux annonces respectives des uns des autres - aussi hégémonique qu'elle le fut ces dernières années.