DDR4 avec TSV en production chez Samsung

La firme sud-coréenne Samsung vient d'annoncer  avoir lancé la production en masse de barrettes mémoires DDR4 composées de puces utilisant des TSV. Pour rappel, les TSV (Through Silicon Vias, des fils qui traversent le silicium) décrivent une méthode d'interconnexion utilisée pour connecter des dies superposés les uns aux entres en faisant passer de petits fils par des trous dans les puces (plutôt que de les faire passer par le côté).

Un exemple de dies superposés et de TSV chez Micron

Ce n'est pas la première fois que l'on parle de puces RAM utilisant des TSV, y compris chez Samsung qui avait déjà développé des échantillons de puces DDR2 et DDR3, mais il s'agit cette fois réellement d'une production en volume pour des produits étant voués à être commercialisés.

Techniquement, il s'agit de puces DDR4 de 4 Gb fabriquées dans un process « classe 20nm » (comprendre entre 20 et 29nm) en DDR4-2667. En utilisant ces puces, Samsung souhaite proposer des barrettes de 16 et 32 Go de DDR4, et même de 64 Go.


Ces barrettes seront destinées dans un premier temps plus particulièrement au marché des serveurs, aucune date de disponibilité n'est évoquée par le constructeur.