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Samsung SSD 650, un 850 EVO allégé
Premières puces en 7nm pour… IBM !
Samsung 850 EVO et 850 Pro en version 2 To
4 To en 2.5'' 15mm chez Samsung / Seagate (MAJ)
Pascal sera produit en 16nm chez TSMC
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Selon Business Korea , c'est TSMC qui produira la prochaine génération de GPU de Nvidia dénommée Pascal. Nvidia conserverait donc son partenaire historique et son 16nm FinFET alors que des rumeurs indiquaient que Samsung était bien placé pour obtenir le contrat sur son 14nm FinFET. Il faut dire que Samsung semble en avance sur TSMC en termes de planning puisqu'il produit déjà en volume les SoC A9 équipant l'iPhone 6s.
On ne sait pas encore si AMD en fera de même ou s'il optera pour le 14nm Samsung qui est également déployé chez GlobalFoundries. Dans ce dernier cas on aurait droit à une bataille d'architecture combinée à une bataille de fondeurs sur le marché des GPU, ce qui n'est pas arrivé depuis belle lurette !
IDF: Samsung parle de l'après DDR4, pour 2020
Alors que la DDR4 commence à peine à se démocratiser avec l'arrivée de Skylake, Samsung a profité de l'IDF pour parler de l'après DDR4. D'après les projections de Samsung, cette mémoire devrait faire son apparition aux alentours de 2020, en premier lieu sur serveurs.
Côté vitesse cette mémoire pourrait atteindre un débit de 3.2 à 6.4 Gbps (soit "DDRx-6400"), avec une capacité par puce de 8 à 32 Gb, le tout gravé en moins de 10nm. Samsung indique au passage qu'une bande passante de 51,2 Go /s par canal en 64-bit nécessitera probablement un nouvel interfaçage, évoquant un passage à des connexions optiques. Cela ne serait pas sans conséquence sur les coûts, si bien qu'on peut se demander si cette future mémoire ne serait alors pas réservée aux serveurs, les PC "classiques" se contentant d'une mémoire HBM très rapide mais non upgradable intégrée au sein du packaging CPU.
Enfin Samsung a rapidement évoqué les mémoires intermédiaires entre DRAM et NAND telles que la TT-MRAM, la PRAM et la Re-RAM, indiquant toujours travailler sur le sujet mais que les technologies manquaient encore de maturité.
IDF: Samsung lancera sa HBM en 2016
Lors de l'IDF, Samsung a annoncé qu'il allait lancer en 2016 de la mémoire HBM. Pour rappel ce type de mémoire a été co-développée par AMD et Hynix et est devenu un standard ratifié par le Jedec, il a fait sa première apparition sur les R9 Fury X.
A l'instar de la seconde génération de HBM Hynix prévue également pour l'an prochain, la HBM de Samsung sera basée sur des dies de 8 Gb qui seront empilés par 2, 4 ou 8 au sein de puces capables de fournir une bande passante de 256 Go /s chacune.
Cela permettra d'envisager de nombreuses configurations, de 2 Go à 256 Go /s à 48 Go à 1.5 To /s, les GPU haut de gamme devant probablement se "contenter" de 8 à 16 Go à 1 To /s, une bande passante doublée par rapport à la Fury X qui devrait être la bienvenue avec le passage des GPU au 14/16nm.
Alors que certaines rumeurs indiquaient qu'AMD allait avoir les faveurs d'Hynix en ce qui concerne l'approvisionnement en HBM de seconde génération du fait de leur passif, l'arrivée de Samsung sur ce marché devrait donc faire les affaires de Nvidia qui prévoit également d'utiliser ce type de mémoire avec sa prochaine architecture Pascal.
SSD de 15,36 To chez Samsung !
Samsung vient d'annoncer un SSD d'une capacité record, le PM1633a qui atteindra une capacité de 15,36 To. Utilisant la dernière V-NAND de 3è génération en TLC offrant 32 Go par die, il dépasse au passage la capacité du plus gros disque dur, 10 To, le tout dans un format 2.5" avec certes 9,5mm de hauteur. Il est possible d'intégrer 48 de ces SSD dans 2U, ce qui permet d'atteindre les 737 To ! Le tarif n'est pas précisé, il sera forcément très élevé, mais on n'a rien sans rien…
La V-NAND Samsung en 48 couches et 32 Go
Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de sa troisième génération de V-NAND, le nom maison pour sa NAND 3D. Le gros changement est le passage à 48 couches, contre 32 pour la seconde génération lancée il y a un an et 24 pour la première qui a deux ans.
Le géant coréen en profite pour doubler la capacité qui passe à 32 Go par die en TLC (3 bits par cellule), contre 16 Go à l'heure actuelle, alors que la consommation serait réduite de 30% pour un même volume de données stockées. De quoi doubler la capacité des SSD Samsung V-NAND, alors que le 850 EVO atteignent déjà 2 To avec des die 16 Go ! En attendant Samsung a déjà annoncé que les 850 EVO allaient désormais être équipés de telles puces, reste à voir si cela aura une influence négative sur les performances des modèles aux plus petites capacités.
Cette nouvelle arrive quelque jours après celle de SanDisk et Toshiba qui ont annoncé une puce similaire il y a quelques jours, mais qui ne sera pas produite avant l'an prochain.
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