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Samsung Magician 4.6 et firmware 840 EVO dispos
Samsung 1er du SSD avec 1/3 du marché
Fix 840 EVO en approche, 840 abandonnés ?
Samsung SM951-NVMe en production
Un bug de TRIM sous Linux pour les SSD Samsung ? Non
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Mise à jour : Finalement il ne s'agissait pas d'un bug côté SSD mais d'un bug du noyau Linux pour lequel Samsung a soumis un patch . Tout est bien qui finit bien !
Spécialisée dans les moteurs de recherche, Algolia vient de publier un billet concernant une problématique qu'ils ont rencontrée sur leurs serveurs tournant sous Linux avec les SSD Samsung. La commande TRIM était en effet mal interprétée sur ces disques ce qui entrainait une corruption des fichiers.
Algolia utilise des Samsung 840 Pro, 850 Pro, ainsi que des SM843T et PM853T, tous présentent ce problème qui a contrario n'a pas été rencontré avec des Intel S3500, S3700 et S3710. Il est à noter qu'il ne s'agit pas du premier souci de TRIM rencontré sous Linux pour les SSD Samsung puisque libata avait été patché en mai par un développeur de chez Oracle afin d'empêcher l'utilisation du Queued Trim sur tous les Samsung SSD 8*, les Crucial/Micron M500, M550 et MX100 faisant également partis de la liste des bannis sauf si ils sont en firmware MU02 pour les deux derniers.
Pour rappel le Queued Trim a été introduit avec le SATA 3.1, cette fonction permet à la commande TRIM de faire partie d'une file d'attente de commande ce qui permet de réduire les pertes de performances lorsqu'elle intervient. Algolia précise pour sa part que le problème concerne bien la version classique (un-queued) de TRIM sous Linux, et être actuellement en contact avec Samsung afin de permettre une résolution du bug. En attendant, si vous avez des serveurs sous Linux tournant des SSD Samsung, il est donc plus prudent de désactiver le TRIM.
Samsung SSD 650, un 850 EVO allégé
Samsung a mis en ligne un nouveau modèle sur son site, le SSD 650 120 Go. Destinée aux entreprises dans le cadre de l'upgrade de machines, ce SSD est vendu nu par pack de 10. Comme le 850 EVO, il utilise de la V-NAND TLC mais est associé à un nouveau contrôleur MFX. On perd l'AES-256 et des performances :
- 540 Mo/s en lecture séquentielle (contre 540)
- 450 Mo/s en écriture séquentielle (520)
- 5 000 IOPS en lecture aléatoire 4K QD1 (10 000)
- 23 000 IOPS en lecture aléatoire 4K QD32 (94 000)
- 8 900 IOPS en écriture aléatoire QD1 (40 000)
- 9 000 IOPS en écriture aléatoire QD32 (88 000)
Notez que ces chiffres sont avec le cache TurboWrite (une partie de la Flash TLC est utilisée en SLC), hors de ce cache un 850 EVO retombe en écriture à 150 Mo /s, 35 000 et 66 000 IOPS.
Sur le papier c'est donc surtout en aléatoire que ce 650 EVO est en retrait, les plus gros écarts étant en QD32 mais sur un PC client la plupart des accès seront plutôt avec 1 commande que 32 simultanées. Aucune mémoire DRAM n'est annoncée, alors qu'elle est de 256 Mo sur le 850 EVO.
Côté garantie on passe par contre de 5 à 3 ans, cela va de pair avec un MTBF qui est annoncé à 1.5 millions d'heure au lieu de 2 et une endurance en écriture de 50 To au lieu de 75 To.
En contrepartie le Samsung SSD 650 devrait être positionné de manière agressive puisque outre-Atlantique le prix conseillé du SSD 650 est à 56$ contre 80$ pour le 850 EVO, soit respectivement 61.5 et 88 € TTC. Vu qu'en pratique on trouve le 850 EVO a un prix inférieur le 650 devrait être sous la barre des 60 € pièce si il arrive sur les étalages français.
Premières puces en 7nm pour… IBM !
Alors qu'IBM a revendu son activité fabrication de semi-conducteurs à Global Foundries en octobre dernier (un rachat qui s'est finalisé le premier juillet de cette année), IBM vient annoncer avoir produit une puce de test fonctionnelle en 7nm, une première que rapportent nos confrères d'EETimes .
Si IBM réalise l'annonce, en pratique la puce a été fabriquée dans un centre de recherche du SUNY Polytechnic Institute financé en partie par l'état de New York et divers partenariats privés. Virtuellement toutes les sociétés du milieu participent puisque l'on retrouve dans la liste des sociétés, outre IBM, Intel, TSMC, Samsung, GlobalFoundries ou encore ASML. C'est à cet endroit que l'on retrouve par exemple l'effort de recherche du Global 450mm Consortium qui travaille sur la future transition aux wafers de 450mm (contre 300 actuellement, un mouvement qui a pris un coup d'arrêt ces dernières années).
Avant son rachat, IBM avait annoncé participer à hauteur de 3 milliards (sur 5 années) au développement de futures puces, tandis qu'en début d'année, suite au rachat par GloFo, IBM avait regroupé ses 220 ingénieurs restants sur le site de SUNY sous l'égide « IBM Research ».
Historiquement, IBM a toujours aimé jouer au jeu des annonces et continue ici dans sa tradition. En pratique il s'agit d'une première puce de test qui inclut transistors, cellules SRAM et interconnexions, les blocs essentiels même si, évidemment, on reste cependant très loin de la production en volume.
Les transistors FinFet 7nm vus au microscope
Au-delà de l'effort, on s'intéressera surtout aux choix réalisés par IBM pour son process, qui repose cette fois sur l'EUV. Nous avions eu l'occasion d'en parler, l'EUV va mieux et si une introduction est possible en cours de node pour le 10nm, TSMC et les autres visent une introduction ferme pour le 7nm et de ce côté IBM ne déroge pas.
Plus surprenant, les choix réalisés autour des structures et des matériaux. Alors que l'on s'attend probablement à voir d'autres structures que le FinFet introduites à 10 ou 7nm par Intel, IBM utilise ici des structures FinFet également, la différence s'effectuant sur les matériaux avec le retour du silicium-germanium (SiGe) étiré pour le canal, sur substrat en silicium. Ce n'est pas la première fois que le germanium apparait dans les process, même si aujourd'hui on le trouve principalement dans les process analogiques/radio . L'utilisation du SiGe étiré dans les semi-conducteurs est une innovation d'IBM et il est assez surprenant de le retrouver sur un process si avancé, qui plus est en EUV. D'autant que côté densité, les transistors peuvent être espacés de 30nm ce qui permettrait, par rapport au 10nm qui était en développement par IBM, d'augmenter la densité de 50%.
Développer un process « clef en main » - c'est comme cela qu'il est décrit par IBM qui dit avoir optimisé non seulement l'EUV, le dépôt du SiGe mais aussi les autres étapes du process comme l'interconnexion (BEOL) – ne manque évidemment pas d'ironie mais nos confrères d'EEtimes notent qu'IBM fera profiter logiquement de ses travaux de recherche à GlobalFoundries qui pour rappel dispose d'une exclusivité de 10 années pour la production des processeurs serveurs d'IBM. Nos confrères sous entendent que Samsung pourrait également profiter de ces travaux, en se rappelant aux bons souvenirs de l'abandonnée Common Platform qui liait les trois sociétés.
Rien n'en est cependant moins sur puisque pour rappel, Samsung avait développé son propre process 14 nm sans IBM qui aura au final sauté ce node. Le fondeur coréen avait ensuite partagé son 14nm en intégralité avec GlobalFoundries. Pour le 10nm, IBM avait travaillé également sur son propre process que l'on retrouvera vraisemblablement tel quel chez GlobalFoundries. Les trois sociétés semblent cependant être restées en bons termes et l'on imagine que si la solution 7nm d'IBM est plus intéressante que les efforts développés en internes, ces sociétés continueront de mutualiser leurs efforts pour une éventuelle mise en production, que l'on n'attend pas de toute manière avant 2018 ou 2019. Ce que fera Samsung en 10 nm nous donnera peut-être un indice. Pour l'instant, si le constructeur a montré un wafer 10 nm, et indiqué qu'il s'attend à lancer la production en volume fin 2016, il n'a rien dévoilé sur la technique…
Samsung 850 EVO et 850 Pro en version 2 To
Plusieurs revendeurs outre-rhin référencent des versions 2 To des derniers Samsung 850 EVO et 850 Pro, qui utilisent pour rappel de la mémoire V-NAND "3D" respectivement en version TLC et MLC. Jusqu'alors la capacité maximale de ces SSD était de 1 To. Il faut compter au mieux 800 € pour le 850 Evo 2 To, contre 930 € pour le 850 Pro 2 To. Aucune des deux modèles n'est actuellement en stock mais cela ne devrait logiquement pas trop tarder.
4 To en 2.5'' 15mm chez Samsung / Seagate (MAJ)
Samsung HDD, qui appartient à Seagate, vient d'annoncer deux nouvelles lignes de disques durs externes basées sur des disques 2.5", les P3 et M3 qui se distinguent par leur coque. Côte capacité on atteint les 4 To, une première pour un disque à ce format !
En effet jusqu'alors on était au mieux à 3 To en 2.5". Toshiba est le premier à avoir lancé de tels disques en janvier, mais ils faisaient 15mm de hauteur ce qui leur permettait d'intégrer 4 plateaux (contre 2 à 3 en 9.5mm). Il y a peu Western l'a rejoint sur ce format avec les My Passeport Ultra 3 To dont la hauteur du boitier (20.96mm) laisse penser à un disque du même type.
Cette fois il est question de 19,85mm pour ces boîtiers externes, il faut donc également s'attendre à un disque de 15mm même si ce n'est pas précisé. Le constructeur indique par contre que le Spinpoint M10P 4 To intègre en fait des plateaux de 800 Go, qui sont donc au nombre de 5, ce qui serait une première dans une telle hauteur ! Il s'agit d'un nouveau record de densité puisqu'on était au mieux à 750 Go, ce qui ouvre la voie à des plateaux 3.5" de 1,6 To. Reste à voir si le Spinpoint M10P fera son chemin au-delà de ces boîtiers externes qui, il faut le noter, sont auto-alimentés par le port USB.
Mise à jour : Ce sont en fait 5 plateaux de 800 Go qui sont intégrés et non pas 4 de 1 To, merci à Romain pour l'info !
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