IDF: Samsung parle de l'après DDR4, pour 2020

Tags : IDF 2015; Samsung;
Publié le 21/08/2015 à 17:40 par / source: ComputerBase
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Alors que la DDR4 commence à peine à se démocratiser avec l'arrivée de Skylake, Samsung a profité de l'IDF pour parler de l'après DDR4. D'après les projections de Samsung, cette mémoire devrait faire son apparition aux alentours de 2020, en premier lieu sur serveurs.

 
 

Côté vitesse cette mémoire pourrait atteindre un débit de 3.2 à 6.4 Gbps (soit "DDRx-6400"), avec une capacité par puce de 8 à 32 Gb, le tout gravé en moins de 10nm. Samsung indique au passage qu'une bande passante de 51,2 Go /s par canal en 64-bit nécessitera probablement un nouvel interfaçage, évoquant un passage à des connexions optiques. Cela ne serait pas sans conséquence sur les coûts, si bien qu'on peut se demander si cette future mémoire ne serait alors pas réservée aux serveurs, les PC "classiques" se contentant d'une mémoire HBM très rapide mais non upgradable intégrée au sein du packaging CPU.

Enfin Samsung a rapidement évoqué les mémoires intermédiaires entre DRAM et NAND telles que la TT-MRAM, la PRAM et la Re-RAM, indiquant toujours travailler sur le sujet mais que les technologies manquaient encore de maturité.

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