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A l'occasion d'un billet de blog , Micron indique sur son site que la GDDR5X poursuit ses avancées. Lors du lancement de la GDDR5X début 2016 cette mémoire ne dépassait pas les 13 Gbps en laboratoire, ce sont désormais les 16 Gbps qui ont été atteint. Reste à voir si et quand des puces GDDR5X plus rapides arriveront sur le marché, pour l'instant Micron se "limite" à 12 Gbps, contre 10 Gbps au lancement.

Micron profite également de ce billet pour indiquer qu'il comptait lancer la production en volume de la GDDR6, un standard qui sera utilisé également par Samsung et SK Hynix contrairement à la GDDR5X, début 2018. Alors que la GDDR5X utilise un mode QDR pour augmenter le débit face à la GDDR5, du côté de la GDDR6 chaque puce sera adressée via deux canaux en parallèle. Cette-fois le constructeur semble viser l'intervalle 12-14 Gbps en terme de débit, ce qui lui donnerait un léger avantage en l'état de la production GDDR5X. A noter que SK Hynix a pour sa part annoncé qu'il serait à 16 Gbps début 2018.

Lors d'une conférence donnée en fin de semaine dernière, Micron a fournit un aperçu de ce que sera son activité durant l'année 2017. Après Samsung et Toshiba, Micron promet aussi de la NAND 3D à 64 couches.

D'après la firme, ce passage à 64 couches va permettre d'accroître la densité de données de 80%, tout en réduisant le coût par bit de 30%, dans le cadre de la NAND TLC.

Plus intéressant encore, Micron semble décidé à jouer sur plusieurs tableaux, en optant pour deux tailles de die différentes. Dans le cadre du stockage "classique", l'entreprise vise des die de 512 Gb de mémoire TLC. Mais Micron a également en tête un format réduit à 59 mm², pour une capacité de 256 Gb. Ce qui en ferait le die de 256 Gb le plus compact sur le marché.

Micron pense évidemment au marché de la mobilité, dont les besoins en termes de capacité de stockage sont de plus en plus importants, toujours avec la même exigence sur la compacité. Un marché sur lequel Micron ambitionne de meilleurs résultats commerciaux que ceux réalisés actuellement.

Après cette NAND 3D de seconde génération, Micron espère débuter la confection de la troisième génération dès la seconde partie de l'année. Sans le dire, la firme évoque probablement la NAND 3D à 96 couches, à même d'augmenter la densité de données par wafer de plus de 40%, chiffre avancé lors de la conférence.

Parallèlement à ces avancées, Micron dit travailler également sur la mémoire QLC (quatre bits par cellule). La firme n'apporte toutefois aucune précision dans le domaine et relativise en précisant qu'elle ne fait, pour l'heure, qu'étudier le marché, afin de savoir quand il sera pertinent de se lancer sur le sujet. La QLC, du fait de sa faible endurance théorique, devra en effet être associée à une gestion fine de l'écriture, afin de rendre ces dernières aussi peu nombreuses que possible.

Enfin, Micron a indiqué vouloir débuter la transition du 20 nm vers le "1X" nm pour la DRAM, pour des économies espérées à la production de l'ordre 20%. La GDDR5 16 nm, notamment, devrait faire son apparition cette année.

Les procédés en 1Y et 1Z nm, plus fins mais sans plus de précisions, sont également prévus : le premier doit être testé dès la seconde partie de cette année (comme c'est le cas chez SK Hynix), avant une commercialisation espérée à horizon fin 2018.

Micron a été assez discret concernant 3D Xpoint, se contentant d'indiquer que cette mémoire était prête pour la commercialisation, et a précisé travailler sur une nouvelle technologie.

Lenovo a présenté un peu en avance sur son blog  les prochains modèles de PC portables qu'ils introduiront au CES.

Ce qui retient notre attention est la présence du support de la technologie Optane d'Intel. Pour rappel, Intel avait présenté un nouveau type de mémoire sous le nom 3D Xpoint, s'intercalant entre la mémoire RAM (peu dense mais très rapide) et la NAND (très dense, moins rapide).

Le premier produit qui utilisera cette nouvelle mémoire est un accélérateur connu sous le nom de code Stony Beach et qui sera commercialisé comme Optane 8000p. Ces accélérateurs système se présentent sous la forme de cartes au format M.2 et Intel devrait lancer deux versions, en 16 et 32 Go. Lenovo indique qu'il proposera le modèle 16 Go sur certains de ses portables haut de gamme, en M.2 2241 (4.1 cm de long).

La manière exacte dont "l'accélération" sera effectuée reste assez floue aujourd'hui, une piste probable étant le mode SRT (Smart Response Technology)  des pilotes disques RST d'Intel. Dans ce cas l'accélérateur servira de cache pour les disques systèmes. Si Intel avait mis au point ce système de cache pour les disques durs SATA traditionnels à plateaux, on notera que les dernières versions supportent également les SSD NVMe.

Si Optane a un avantage de latence net par rapport à la NAND, les chiffres d'IOPS annoncés pour les modèles 16 Go ne changent pas dramatiquement la donne par rapport aux derniers SSD haut de gamme

Intel devrait dévoiler un peu plus de détails sur le fonctionnement exact de la technologie dans quelques jours lors du CES, ainsi qu'effectuer des démonstrations.

Il sera intéressant de voir en pratique ce que cela apporte, car si proposer un cache en amont d'un disque dur à plateaux sera forcément bénéfique, l'impact pratique d'Optane accolé à un SSD rapide utilisant ses propres stratégies de cache (RAM + utilisation de MLC/TLC comme SLC en écriture) risque d'être plus difficilement perceptible sur une utilisation grand public, au delà de quelques benchs savamment choisis !

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

Depuis quelques semaines, certains possesseurs de GTX 1070 se sont plaints de problèmes en cas d'overclocking mémoire, comme des crashs en entrée ou sortie de jeu. En pratique, le problème apparaît lorsque la tension de la mémoire change rapidement (passage des fréquences idle aux fréquences 3D et inversement).

Le problème a été isolé plus spécifiquement aux cartes équipées de mémoire GDDR5 Micron (on retrouve à la fois de la GDDR5 Samsung et de la Micron sur les 1070), mais ne semble pas forcément toucher tous les modèles ou toutes les marques de la même manière. Le design des VRM mémoires faisant éventuellement la différence d'un constructeur à l'autre.

Certaines solutions ont été trouvées pour contourner le problème, comme forcer une tension minimale plus élevée pour la GDDR5 via un outil d'overclocking (plus de détails sur ce lien  pour les intéressés).

Pour corriger définitivement le problème, les constructeurs proposent tour à tour de nouveaux BIOS pour leurs cartes qui en règle général améliorent la stabilité en overclocking pour leurs utilisateurs. Si vous avez rencontré ce type de problèmes, vous pouvez vous reporter sur les pages suivantes pour les constructeurs en question (il faudra en général aller sur la page correspondant à votre modèle, puis choisir support pour télécharger le BIOS) :

• Asus 
• EVGA 
• Gainward 
• Palit 

Gigabyte et Zotac ont indiqué à nos confrères de ComputerBase  qu'ils proposeraient également des BIOS dans les jours à venir, MSI de son côté a indiqué à Guru3D  travailler également sur de nouveaux BIOS.

Inno3D, KFA2 et PNY n'ont pas pour l'instant de nouveau BIOS disponibles pour leurs cartes.