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Backblaze a publié les statistiques de panne de ses disques durs pour le troisième trimestre . Ces chiffres sont particulièrement intéressants car ils coïncident avec la période où la société termine sa migration en retirant ses disques 2 To pour les remplacer par des modèles de 8 To. Une transition qui s'est effectuée sur les deux derniers trimestres.

Comme nous l'indiquions un peu plus tôt, ces nouveaux disques sont placés dans les nouvelles unités de stockages 60 disques de la société, une densité forte qui, ajouté au mode de fonctionnement spécifique du stockage réseau fait que l'on doit garder un certain recul sur les chiffres annoncés. Voici les chiffres sur les 67742 disques encore en fonctionnement du constructeur :

Nous avons marqué en rouge très clair les taux de pannes annualisés entre 2 et 3%, et en un peu plus foncé ceux au dessus de 3%.

Sur le 8 To, le constructeur a principalement déployé des modèles de Seagate (5120 disques), ainsi que quelques modèles HGST. Selon Backblaze, les résultats à trois mois de ces 8 To Seagate seraient les meilleurs obtenus par la marque jusqu'ici. Les 6 To ont d'après leurs statistiques également de bons taux annualisés, ce qui n'était pas le cas des 4 To. Dans l'absolu, les modèles Red de Western Digital ont, toutes capacités confondues, les taux de pannes annualisés les plus élevés dans le cas d'utilisation spécifique de Backblaze.

La conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) se tiendra pour son édition 2017 du 5 au 9 février à San Francisco, et nos confrères d'EEtimes  ont eu accès à l'avant programme.

Comme tous les ans les acteurs du milieu des semi conducteurs y présenterons leurs nouveautés, et l'on notera que TSMC et Samsung présenterons leurs cellules SRAM (utilisées notamment pour la mémoire cache dans les puces). L'année dernière, Samsung avait proposé deux versions distinctes pour son process 10nm, optimisées pour la densité ou les performances, de 0.040 µm² et 0.049 µm².

D'après nos confrères, TSMC présentera une cellule SRAM 7nm de seulement 0.027µm², tandis que Samsung présentera une cellule SRAM 7nm de 0.030µm², mais fabriquée en EUV. D'après Samsung, l'EUV permettrait de diminuer la tension minimale nécessaire de 39.9mV (TSMC indique aussi des optimisations basse tension, on attendra la conférence pour comparer l'impact ou non de l'EUV).

La SRAM est un composant fondamental des puces et sa taille permet en général de se donner une bonne idée des process. Cependant il faut être assez méfiant, les constructeurs annonçant parfois des "records" de densité qu'ils n'utilisent pas forcément en production. Nous avons rapporté dans le tableau ci dessous les chiffres les plus bas (correspondant aux bibliothèques "hautes densité") pour TSMC, Samsung et Intel :

Par rapport au tableau, on notera qu'Intel n'utilise pas cette SRAM haute densité dans ses processeurs, mais de la SRAM 0.059 µm². Même en prenant cela en compte, Intel garde la meilleure densité à 16/14nm pour la SRAM. Le constructeur ne fournit pas encore d'infos sur ses futurs process.

TSMC n'a pas donné non plus de chiffre exact pour son 10nm, estimant simplement 50% de réduction par rapport à son 16nm sur la SRAM, ce qui nous vaut un chiffre entre parenthèses. Selon toutes vraisemblances, et conformément aux autres annonces sur la densité (2.1x d'après le constructeur), on estimera que TSMC devrait avoir une SRAM d'une taille légèrement inférieure à celle de Samsung.

Intel ne devrait pas effectuer d'annonce sur ce sujet lors de l'ISSCC, ce qui est assez dommage. Le constructeur devrait présenter les FPGA Altera Stratix 10 (14nm) tandis qu'AMD proposera une présentation plus en détails de Zen.

On notera aussi que Western Digital/Toshiba, ainsi que Samsung, présenterons des puces 3D NAND 512 Gbit TLC 64 couches. Dans le cas de Samsung, cette puce avait été annoncée cet été, plus de détails techniques devraient être disponibles. Pour Western Digital/Toshiba, cette puce avait été évoquée cet été comme objectif.

On notera que nos confrères pointent à raison un grand absent : une fois de plus, ni Intel, ni Micron, n'effectueront de présentation technique de leur mémoire 3D Xpoint !

Après avoir inauguré en juillet dernier sa nouvelle usine de mémoire flash au Japon, Toshiba vient d'annoncer qu'il s'engage à en construire une nouvelle.

Elle se situera toujours sur le même site japonais de Yokkaichi situé dans la ville de Mie, et sera dédiée à la production de la 3D NAND BiCS de Toshiba.

Le début de la construction est prévu pour 2017 et la société s'attend à ce que la première "phase" (l'usine sera construite en deux temps) soit opérationnelle à l'été 2018. Toshiba construira également un nouveau building dédié spécifiquement au R&D, où il centralisera des équipes qui étaient jusque là éparpillées.

L'annonce est faite par Toshiba qui n'est pas très clair sur le rôle que jouera Western Digital dans le financement. On rappellera que Toshiba et Sandisk collaboraient au sein d'une Joint Venture (Flash Forward). Le rachat de Sandisk par Western Digital avait lié les deux entreprises qui sont en compétition sur le marché des disques durs.

Le communiqué précise simplement que selon leurs "discussions" avec Western Digital, ils s'attendent à ce que ce dernier continue à participer aux investissements et aux opérations de cette usine. L'absence de communiqué commun chez WD laisse penser que les relations sont possiblement tendues entre les deux sociétés.

Après la finalisation de son (couteux) rachat de Sandisk en mai dernier, Western Digital lance aujourd'hui deux gammes de SSD sous son nom, les WD Blue et WD Green. Deux gammes qui se déclinent à la fois en SATA 2.5 pouces et en M.2 (2280, mode SATA).

Les WD Green représentent l'entrée de gamme et seront disponibles dans des capacités de 120 et 240 Go. Dans la tradition des constructeurs de disques durs, peu d'informations techniques sont données. Selon nos confrères d'Anandtech, il s'agirait d'un renommage du Sandisk SSD Plus qui utilisait un contrôleur d'entrée de gamme SM2256S de Silicon Motion accouplé à de la mémoire NAND TLC Sandisk 15nm, le tout sans puce de mémoire cache.

La fiche technique du constructeur indique que ces modèles utilisent une technologie de "cache SLC" pour accélérer les performances (pour rappel, le contrôleur utilise la TLC comme de la SLC en n'écrivant qu'un bit par cellule, augmentant la rapidité d'écriture à court terme, mais obligeant a réécrire les cellules ultérieurement pour "récupérer" l'espace perdu entraînant des chutes de performances). Le constructeur fourni les informations suivantes sur ce point :

On notera les IOPS en lecture particulièrement basses. Ces modèles seront disponibles avant la fin de l'année, leurs prix seront annoncés ultérieurement.

L'autre gamme lancée est la gamme WD Blue. Le constructeur précise cette fois ci qu'il s'agit de NAND TLC (et qu'il utilise là aussi un "cache SLC"). Toujours selon nos confrères d'Anandtech qui ont eu l'occasion de le tester , il s'agit d'un renommage (avec de légères modifications) du Sandisk X400. On retrouve la même mémoire NAND TLC Sandisk 15nm, pilotée cette fois ci par un contrôleur Marvell 88SS1074.

Trois capacités sont annoncées, 250 Go, 500 Go et 1 To. WD annonce ces chiffres pour ces modèles :

Au delà de ces chiffres, nos confrères notent dans leur test que si les performances restent correctes pour du "milieu de gamme", la compétition sur le segment est forte, particulièrement quand l'on considère les modèles NAND 3D de Micron comme le MX300, proposés avec des prix plus agressifs.

En effet, côté prix, Western Digital annonce 99, 169 et 339 euros pour les trois capacités annoncées (en version SATA).

Toshiba et Western Digital continuent d'avancer du côté de la NAND 3D. Ainsi après avoir produit des puces empilant 48 couches en 2015, en 16 Go et MLC en mars puis en 32 Go et TLC en août, l'échantillonnage d'une nouvelle puce de 32 Go TLC 64 couches a débuté. La structure est toujours de type BiCS (Bit Cost Scalable), une option encore différente de celles utilisées par Samsung et Micron/Intel.

Les deux constructeurs, associés au sein de la joint-venture Flash Forward, précisent que leur prochain objectif est de produire une puce de 64 Go 64 couches. Aucune information n'est communiquée du côté des performances ou de l'endurance de la puce, ils se limitent à indiquer que la densité augmente de 40% (soit plus que le nombre de couches) par rapport à la génération précédente.

La production en volume de cette puce n'est toutefois pas prévue avant le premier semestre 2017, rappelons au passage que la 3D NAND annoncée l'an passé n'a pas encore trouvé son chemin au sein de SSD.