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Samsung SM951, 2150 Mo /s en M.2 !
Nvidia client de Samsung Foundry
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Nos confrères de The Tech Report ont noté une mention intéressante dans le Form 10-K de Nvidia. Ce document administratif est un rapport annuel livré aux autorités de régulation économique américaine qui résume l'activité. Le document est posté sur le site de la SEC .
Dans la description de la fabrication du constructeur on peut noter ceci :
We do not directly manufacture semiconductor wafers used for our products. […]
We utilize industry-leading suppliers, such as Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited and Samsung Electronics Co. Ltd, to produce our semiconductor wafers.
Si l'on ne s'étonnera pas de voir TSMC indiqué comme fournisseur de wafers pour la société, la présence de Samsung est une nouveauté. Nous vous avons relaté à plusieurs reprises les difficultés que rencontrent les sociétés de l'industrie PC (et notamment AMD et Nvidia) à profiter des dernières finesses de gravures de TSMC dont l'écrasante majorité des Wafers sont réservés aux SoC pour smartphones et tablettes (TSMC fabrique pour rappel les A8/A8X d'Apple en 20nm ainsi que les SoC de Qualcomm) qui représentent un volume bien plus important.
Les besoins de l'industrie mobile sont tels que la plupart des constructeurs utilisent de plus en plus une « seconde source » pour fabriquer leurs puces, un choix qui réclame un travail d'adaptation tant les process de fabrications sont différents d'un constructeur à l'autre. En général les sociétés choisissent de répartir leurs produits même si l'on voit parfois migrer certains d'entre eux. AMD avait migré ses Kabini de TSMC a GlobalFoundries par exemple.
Si l'on ne dispose pas de détails sur ce que Nvidia produira chez Samsung, on peut imaginer que le constructeur souhaite y fabriquer en priorité des SoC, possiblement dans le nouveau process 14nm du constructeur. Le process 14nm de Samsung est d'autant plus intéressant pour l'industrie qu'il a fait l'objet d'un partenariat avec GlobalFoundries.
3D NAND 48 couches chez Toshiba
Toshiba vient d'annoncer avoir produit des puces mémoires flash (NAND) à construction verticale (souvent appelée 3D NAND) à 48 couches. Pour rappel, en 2007 Toshiba avait été le premier à produire une technologie de mémoire ou l'organisation des cellules se fait non plus de manière horizontale comme traditionnellement, mais cette fois ci de manière verticale.
La mémoire NAND traditionnelle au milieu en haut peut être empilée (Stack), la stratégie classique que l'on voit à droite, ou bien transposée verticalement (le chemin de gauche) pour réaliser une structure appelée BiCS par Toshiba qui peut être vue comme le pendant du FinFET pour la NAND
En 2007, Toshiba ne précisait pas le nombre de couches qu'il avait réussi à superposer dans sa structure mais évoquait dans son communiqué de presse le nombre de 32 pour expliquer les difficultés de l'empilement. Presque huit années après, le constructeur indique aujourd'hui avoir produit des puces 48 couches de 128 Gbits (16 Go) qui sont disponibles dès aujourd'hui sous la forme d'échantillons.
Toshiba indique également qu'il commercialisera cette mémoire à partir de 2016, elle sera fabriquée en volume dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon. En 2014, Toshiba avait annoncé remplacer cette ancienne usine par une nouvelle qui serait capable de produire de la mémoire NAND classique et « 3D » à compter de 2016. Le communiqué de la marque indique que la Fab2 devrait être opérationnelle durant la première moitié de 2016.
Cette structure de mémoire permet théoriquement d'augmenter fortement la densité même si pour l'instant, il faut se contenter de puces 128 Gbits pour ce premier échantillon. On rappellera que si Toshiba a été pionnier de cette technologie, Samsung avait été le premier à lancer la production de sa propre version de mémoire NAND verticale, baptisée V-NAND en 2013. Si l'agencement technique semblait légèrement différent du BiCS de Toshiba (voir notre article), le principe de base reste le même.
Cette V-NAND s'est ainsi retrouvée dans les SSD 850 Pro du constructeur sous la forme de puces empilant 32 couches. De son côté, si Toshiba met en avant l'empilement de 48 couches, on ne connait pas encore la finesse de gravure qui sera utilisée. Plus de détails seront probablement dévoilés d'ici à l'année prochaine. Pour le reste de la concurrence, Intel et Micron devraient proposer leur version 3D NAND 32 couches au second semestre 2015, tandis qu'il faudra attendre 2016 pour Hynix.
La spécification HSA 1.0 disponible
La fondation HSA (Heterogenous System Architecture) a annoncé cette semaine la publication de la version 1.0 de sa spécification. Pour rappel, le but de cette technologie est de proposer des solutions pour les problèmes d'hétérogénéité des plateformes de calcul - CPU et GPU – qui diffèrent fondamentalement dans leur fonctionnement et dans leur programmation. HSA tente de résoudre certains de ces problèmes, notamment autour de la manière de collaborer autour d'un espace mémoire unique.
Trois documents ont été publiés, ciblant respectivement le matériel, les développeurs bas niveau (ceux qui réalisent les outils, compilateurs, etc) et les développeurs d'applications (avec notamment un support de C++, Java et Python). Toutes ces spécifications sont téléchargeables librement sur le site de la fondation .
Lancé (et toujours présidé) par AMD, l'effort HSA regroupe désormais d'autres sociétés, particulièrement dans le monde de la mobilité. La fondation compte désormais parmi ses membres ARM, Imagination Technologies (PowerVR), LG, Mediatek, Qualcomm et Samsung.
Samsung retire la mise à jour du 850 Pro
Mi-février, Samsung a mis en ligne un nouveau firmware EXM02B6Q pour ses Samsung 850 Pro. Cette version apportait une amélioration de la compatibilité avec les plateformes en SATA 3 Gb/s et une hausse des performances dans certains cas non précisés.
Malheureusement dans les jours qui ont suivi de nombreux utilisateurs ont reporté une corruption des données sur le SSD après mise à jour. Ce qui devait arriver arriva, et Samsung a retiré discrètement le firmware de son site il y a deux jours ... sans autre forme de communication officielle. On ne pourra pas reprocher au géant coréen un manque de constance de ce côté vu le mutisme dont il fait preuve dans le cas des Samsung 840 et 840 EVO.
C'est en tout cas l'occasion de rappeler que si les mises à jour des SSD ne sont que rarement problématiques, elles ne sont également que rarement critiques et donc urgentes. Par ailleurs il est toujours recommandé de faire une sauvegarde avant une telle manipulation.
128 Go UFS 2.0 en production chez Samsung
Alors qu'il vient à peine d'annoncer de la mémoire flash eMMC 5.1, Samsung indique qu'il a débuté la production en volume de la première puce 128 Go utilisant le standard Universal Flash Storage 2.0. Par rapport à l'eMMC qui utilise un bus 8 –bit parallèle half-duplex, l'UFS dispose d'un bus série haute vitesse full-duplex. Comme sur l'eMMC 5.1, l'UFS 2.0 gère une queue de commande mais son architecture basée sur l'architecture SCSI devrait être plus efficace dans ce domaine.
Samsung annonce que cette première génération de puce atteint 19K IOPS en lecture aléatoire et 14K IOPS en écriture aléatoire, des chiffres en hausse par rapport à la dernière eMMC 5.1 qui était à 11K et 13K IOPS. On notera que Samsung compare l'UFS 2.0 à l'eMMC 5.0 dans son communiqué afin d'afficher un écart plus important… et que bizarrement aucun chiffre n'est donné pour la lecture et l'écriture séquentielle, Samsung se contentant de parler d'un boost de performance permettant d'atteindre des niveaux dignes d'un SSD... mais lequel ? Pour rappel l'eMMC 5.1 était à 250 Mo /s et 125 Mo /s. Le constructeur annonce enfin une consommation en baisse de 50% par rapport à l'eMMC 5.0.
En sus de la version 128 Go Samsung proposera des versions 64 et 32 Go, et précise qu'il prévoit que l'UFS sera utilisé sur le haut de gamme alors que l'eMMC restera utilisé sur le milieu et l'entrée de gamme.
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