Actualités informatiques du 30-06-2011

Arctic Cooling dévoile de nouvelles déclinaisons de ses Freezer 13 et 13 Pro, les CO, pour Continuous Operation. Destinés à un usage 24/24, 7 jours du 7, ils utilisent des ventilateurs de type Dual Ball Bearing, moins sensibles à la poussière et à la chaleur que les Fluid Dynamic Bearing utilisés sur les versions classiques. Arctic Cooling n'en fait pas mention, mais on peut craindre en contrepartie un bruit un peu plus important du moteur du ventilateur.

En dehors de ceci les caractéristiques sont identiques. Le Freezer 13 CO mesure 123*96*130mm et ses 4 caloducs sont refroidis par 45 ailettes en aluminium et un ventilateur PWM 92mm fonctionnant entre 600 et 2000 tpm. La version Pro mesure 134*96*159mm et ses 4 caloducs sont refroidis par 47 ailettes en aluminium et un ventilateur PWM 120mm fonctionnant entre 300 et 1350 tpm, un ventilateur auxiliaire de 50mm (700-2700 tpm) refroidissant pour sa part la base et les composants entourant le processeur.

Sur le site d'Arctic Cooling, les Freezer 13 et 13 CO ont des tarifs proches (33,13 et 32,95 €), alors qu'il faut compter 43,96 € pour la version 13 Pro CO contre 41,38 pour la version standard.

Corsair lance une nouvelle gamme de SSD à base de SandForce SF-2281, les Force Series GT. Quoi de neuf par rapport aux Force 3 qui utilisaient déjà le même contrôleur ?

Les Force 3 utilisent des puces mémoires Flash NAND MLC asynchrones qui utilisent un bus à 50 Mo /s, alors que les Force Series GT utilisent de la mémoire Flash NAND MLC synchrones (ONFI 2.x) interfacées à 200 Mo /s.

Les Force GT utilisent donc la même configuration que les Vertex 3 d'OCZ, alors que les Force 3 sont similaires aux Agility 3. Sur les données compressibles par le contrôleur SandForce, on ne note pas de différence puisque Corsair annonce des débits en lecture/écriture de 555/525, 555/515 et 555/495 Mo /s sur les Force GT 240, 120 et 60 Go contre 550/520, 550/510 et 550/490 pour les Force 3.

Mais dès qu'on s'attaque à des données incompressibles, cas le plus réaliste pour les gros fichiers sur nos machines qui sont déjà compressés d'une manière ou d'une autre, ce devrait être une autre histoire. Pour rappel les Agility 3 120 et 60 Go ont alors des débits annoncés de 180/65 et 195/130 Mo /s, à comparer aux 511/163 Mo /s atteints sur un Vertex 3 120 Go.

Il est plus que dommageable que Corsair n'affiche pas les débits de ces SSD avec ce type de donnée sur son site, ce que fait OCZ depuis quelques mois maintenant. D'une, cela ne met pas clairement en avant les différences entre les gammes Force GT et Force 3, Corsair se contentant de préciser que les Force Series GT sont particulièrement adaptés pour transférer des données compressées.

De deux, les débits très élevés obtenus avec des données compressibles sont plus vendeurs, et largement repris par les revendeurs, mais quand on voit les performances que l'on peut qualifier de réelles obtenues sur certains SSD on est à la limite de la publicité mensongère !

Les versions 60 et 120 Go des Corsair Force GT sont annoncées à 149 et 279$ et devraient être disponibles courant juillet. La version 240 Go, bien que présente sur le site, n'est pas mentionnée dans le communiqué annonçant le lancement de la gamme.

Mise à jour : A notre demande, Corsair a pu nous fournir les performances obtenues sous CrystalDiskMark et IOMeter avec des données incompressibles sur les Force 3 et Force GT en versions 120 et 240 Go. Un pas vers la transparence qu'il ne reste plus qu'à concrétiser en rendant ses performances publiques sur son site !

La mémoire à changement de phase, appelée également PCM (Phase-change Memory) ou PRAM (Phase-change Random Access Memory), vient de franchir une nouvelle étape avec la mise au point par IBM d'un prototype capable de stocker 2 bits mémoires dans une cellule. Ce pas est important puisqu'il permet à la PCM d'avoir une meilleure densité et donc coût par bit inférieur, comme c'est le cas pour la Flash MLC qui stocke également deux bits par cellule.

Pour l'instant on est toutefois loin d'une commercialisation et le prototype est une puce de 64 Mo gravée en 90nm, contre 25nm pour les dernières mémoires Flash. IBM vise pour le moment 2016 pour des applications serveurs, et a donc le temps de transposer la technologie sur des process plus fins d'ici là.

Comme la mémoire Flash NOR ou NAND, la PCM est non volatile et est donc capable de conserver les données même si elle n'est plus alimentée. Chaque cellule contient du chalcogénure, un matériau capable de passer d'un état vitreux (molécules en désordre) à un état cristallin (molécules rangées selon un motif). Ces deux états diffèrent par leur propriété électrique et la mesure de la résistance permet donc de lire les données qui sont écrites en changeant l'état par échauffement.

L'avancée d'IBM consiste donc à stocker gérer des états intermédiaires pour un total de 4 états correspondants à 00, 01, 10 ou 11 en termes binaires. Haris Pozidis, qui a mis au point la technologie, estime qu'il sera à terme possible de stocker 3 bits par cellules, voir 4 en changeant de matériaux.

Un problème à régler en urgence reste la gestion de l'évolution de la résistance des cellules au fil du temps. En utilisant des états intermédiaires, une telle mémoire est plus sensible à l'évolution de la résistance offerte par une cellule au fil du temps et qui peut entrainer des erreurs de lecture (lire 00 par exemple alors qu'on avait stocké 01). Pour contourner le problème IBM à mis au point un algorithme qui ne se base pas sur la résistance absolue pour mesurer l'état mais sur la résistance relative entre les cellules. Ceci permet à IBM d'annoncer un taux d'erreur d'environ 1 pour 100 000 après 37 jours à température ambiante, ce qui devrait permettre d'atteindre les 1 pour 10^15 (1 millions de milliards) avec une correction d'erreur, mais pour le moment l'algorithme n'as été utilisé que sur une puce de test plus petite et sur seulement 200 000 cellules.

Les promesses de la mémoire PCM sont multiples par rapport à la Flash, puisque IBM annonce des vitesses en écriture améliorées par un facteur de 100 avec une latence en écriture de seulement 10 microsecondes et une endurance d'au moins 10 millions de cycles. Reste maintenant à voir si ces promesses seront tenues en pratiques d'ici 2016 !

Pour rappel Samsung fabrique depuis 2009 de la PRAM , mais pour l'instant avec des spécifications qui la limite aux applications mobiles. Hynix et Micron travaillent également sur ce type de mémoire.