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CES: SSD Crucial M500 : 960 Go pour 550 € ?

Publié le 10/01/2013 à 11:53 par Damien Triolet

Crucial profite du CES pour dévoiler une nouvelle gamme de SSD dénommée M500 qui a la particularité de combiner la Flash NAND MLC IMFT 20nm, déjà utilisée par Intel avec la série 335, avec le contrôleur Marvel 88SS9187, mis en place par Plextor dans les M5 Pro. Cette mémoire Flash 20nm permet à Crucial de tirer les coûts vers le bas, de quoi pouvoir proposer un modèle 960 Go à moins de 600$ soit environ 550 € TTC.


Des capacités de 120 Go, 240 Go et 480 Go sont également prévues, Crucial ayant fait le choix d'un OP supplémentaire contrairement au M4 (respectivement 8, 16 et 32 Go sur ces versions, 64 Go sur la version 1 To). On ne sait pas ce qui a motivé ce choix, est-ce pour une meilleure tenue des performances en l'absence de TRIM ou pour contre-carrer une endurance plus faible de la MLC 20nm par rapport à la 25nm (elles sont pourtant censées être identiques) ?. En tout cas les chiffres d'endurance sont très conservateurs puisque Crucial annonce quelque soit le modèle 72 To d'écriture, un chiffre équivalent à celui des Crucial M4 128/256/512 Go. C'est certes 40 Go par jour pendant 5 ans mais cela ne fait par exemple que l'équivalent de 72 cycles sur le modèle le plus gros ... !

Les M500 existeront dans les formats mSATA et M.2 en plus du 2.5", mais seul ce format aura droit à la version 960 Go. Notez qu'en 2.5", l'épaisseur du SSD est de 7mm mais un adaptateur est prévu pour passer à 9.5mm, ce qui est nécessaire pour certains portables. Le débit séquentiel en lecture pourra atteindre 500 Mo/s alors qu'il sera de 130 Mo/s à 400 Mo/s en écriture suivant les capacités.


Si on compare le M500 au M4 niveau performances on remarque des gains notables en écritures sur la version 480 Go par rapport au M4 512 Go, alors que les lectures aléatoires sont en hausse sur toutes les capacités. Côté écriture aléatoire, les gains sont notables dès la version 240 Go. Attention toutefois, certains chiffres officiels du M4, notamment pour la lecture aléatoire des versions 64 et 128 Go, sont en fait sous-estimés par rapport à la pratique ce qui rend la comparaison difficile.

Il est clair par contre que le Crucial M500 120 Go offrira un débit nettement inférieur au M4 128 Go en écriture, alors que ce sera proche sur la capacité supérieure et en faveur du M500 au-delà. Ceci s'explique probablement par le fait que le M500 intègre moins de die Flash du fait d'une capacité unitaire supérieure de ceux-ci, ce qui limite donc les possibilités d'écritures en parallèle. En effet les M4 64 et 128 Go utilisaient des die 32 Gb, alors qu'en 20nm la capacité minimale est de 64 Gb.


Crucial insiste sur la fiabilité de ces nouveaux SSD qui sont équipés de condensateurs pour permettre l'écriture des données présentes dans le cache en cas de coupure de l'alimentation. Les M500 sont également équipés d'un contrôle de la température : une fois la limite de 65 °C atteinte, les performances seront limitées jusqu'à redescendre à 55 °C. Notez que les M500 seront également commercialisés auprès des intégrateurs sous la marque Micron

CES: 3DMark Next: and the winner is…

Publié le 10/01/2013 à 05:19 par Damien Triolet

3DMark Next, dont nous vous avons déjà parlé à plusieurs reprises, a pris un petit peu de retard. Prévu pour la rentrée, puis pour la fin de l'année, il est toujours en cours de finalisation, la raison étant liée principalement à l'arrivée de nouveaux acteurs dans les partenaires de Futuremark, tels que Qualcomm et Samsung. Cela prend bien entendu plus de temps de prendre en compte les remarques de tous les acteurs du monde mobile que de se contenter de travailler avec AMD, Intel et Nvidia.


Nous avons pu observer la composante Ice Storm du benchmark en action sur plusieurs périphériques mobiles qui représentent une partie de la diversité du marché. Rappelons qu'Ice Storm utilise le niveau de fonctionnalité 9_x de DirectX 11.1 pour Windows 8 et Windows RT et OpenGL ES 2.0 pour Android et iOS.

Si nous ne pouvons pas vous communiquer de chiffres de performances, compte tenu du fait qu'il pourrait y avoir de petits changements, nous pouvons cependant vous donner notre impression. L'un des périphériques illustré ci-dessus était nettement plus rapide : le smartphone Nexus 4 de Google. Ce dernier est équipé d'un SoC Qualcomm Snapdragon S4 Pro qui embarque un GPU Adreno 320 très performant. Il était suivi par l'Ipad, les 2 tablettes équipées en Tegra 3 (Surface RT et Nexus 7) étant loin derrière. De quoi pouvoir envisager un rude combat entre les futurs Tegra 4 et Snapdragon S600/S800 ?

Notez que Futuremark nous a précisé que son benchmark en version Windows RT sera limité au test Ice Storm dans un premier temps, mais pourra être mis à jour quand des SoC qui supporteront un niveau de fonctionnalité suffisant pour pouvoir exécuter les tests de niveaux DirectX 10 et DirectX 11 seront disponibles. Des versions de ces tests plus avancés arriveront également sur Android et iOS dès que l'évolution d'OpenGL ES le permettra.

CES: Le Vector d'OCZ passe au PCI Express 4x

Publié le 09/01/2013 à 04:49 par Damien Triolet

OCZ profite du CES pour insister sur le changement d'approche dans la conception de ses produits depuis les déboires connus par la société. OCZ admet et assume avoir commis des erreurs, notamment en faisant la course aux parts de marchés, ce qui a posé des problèmes de fiabilité inacceptables sur certains produits. Tout en étant conscient que corriger l'image négative liée à ces problèmes prendra du temps, la société est confiante dans le virage qui a été effectué : moins de gammes de produits, moins d'empressement et beaucoup plus de tests avant la sortie de nouveaux modèles ou de nouveaux firmwares.


Du coup, sur le CES, la traditionnelle collection de nouveaux SSD a fait place à une seule nouveauté qui est en quelque sorte un dérivé d'un produit déjà existant. OCZ préparé ainsi un dérivé PCI Express du Vector ou plutôt d'un double Vector. Au format PCI Express 4x, ce SSD embarque 2 contrôleurs Indilinx Barefoot 3 qui seront accompagnés chacun de 512 Mo de DDR3 pour les versions 240 Go et 480 Go et de 1 Go de DDR3 pour la version 960 Go.

Notez que si la mémoire flash est comme pour le Vector de la MLC 25nm ONFI d'IMFT, la version PCI Express fait appel à un petit peu d'overprovisioning, contrairement à la version SSD au format classique.

OCZ annonce des performances qui pourront atteindre 1 Go/s et 140.000 IOPS. Les quelques chiffres présentés par OCZ font état d'un gain d'une dizaine de pourcents par rapport au Revo3. La disponibilité est prévue pour le début du premier trimestre 2013 mais la tarification n'a pas encore été fixée.

CES: Nvidia Tegra 4 et consommation

Publié le 09/01/2013 à 04:20 par Damien Triolet

Comme nous l'indiquions dans l'actualité consacrée à l'annonce de Tegra 4, Nvidia a évité de rentrer dans les détails concernant son architecture et l'aspect énergétique de son nouveau SoC. Nous avons bien entendu essayé d'en savoir mais les représentants de Nvidia nous ont indiqué que la communication technique autour de Tegra 4 n'était pas encore finalisée et que le temps n'était pas encore venu pour rentrer dans les détails quant à sa consommation. Face à la récente offensive d'Intel sur ce point, nous pouvons supposer que Nvidia préfère rester prudent.


Nvidia a cependant pu nous indiquer quelques généralités. Ainsi, comme nous le supposions, la consommation maximale de Tegra 4, typiquement avec un jeu qui sature ses cores CPU et son GPU, sera supérieure à celle de Tegra 3. Pas "énormément" supérieure mais "quelque peu" supérieure, la fabrication en 28nm ne pouvant pas faire de miracle face à l'augmentation significative de la complexité du SoC, notamment au niveau de son GPU. Nvidia a par contre apporté de nombreuses optimisations visant à gagner quelques milliwatts par-ci et par-là et dans la plupart des tâches classiques, au repos, en lecture vidéo, en navigation web, Tegra 4 serait significativement moins gourmand.

Nvidia nous a par ailleurs expliqué que même si, contrairement au procédé de fabrication 40nm de Tegra 3, le 28nm HPL de Tegra 4 ne permet plus d'utiliser deux technologies de transistors différentes sur un même die, l'utilisation d'un core compagnon permet toujours un gain de consommation significatif. Dans Tegra 4, ce 5ème core utilise le même type de transistors que les cores principaux, mais le fait qu'il ait été implémenté sur base des librairies basse consommation / basse fréquence d'ARM permet toujours un gain très important.

CES: Corsair présente l'énorme Obsidian 900D

Tags : CES 2013; Corsair;
Publié le 08/01/2013 à 10:58 par Damien Triolet

Lors d'une conférence organisée juste avant l'ouverture officielle du CES, Corsair a présenté un nouveau venu dans la famille Obsidian : le 900D. Après un déjà relativement imposant 800D, Corsair a estimé qu'il y avait encore de l'espace pour un boîtier plus imposant, destiné à la niche des utilisateurs avancés qui mettent en place des systèmes complexes, notamment au niveau du refroidissement. Le 900D fait ainsi dans la démesure :


Le 900D propose 10 slots d'extension, 9 baies 3.5", 4 baies 5.25" et 2 emplacements pour alimentation. Deux cages de 3 baies 3.5" supplémentaires seront proposées en option pour en porter le nombre total à 15.

Au niveau du refroidissement, le 900D peut accueillir jusqu'à 15 ventilateurs et propose 5 emplacements de montage pour les radiateurs des circuits de watercooling. Il sera livré avec 3 ventilateurs AFL120L de 120mm positionnés en aspiration et un ventilateur AFL140L de 140mm positionné pour expulsion.


Corsair a bien entendu prévu un accès facile et sans vis à tous les éléments du boitier ainsi que de quoi permettre un montage propre au niveau du câblage. Le fabricant a cependant voulu éviter de faire exploser les coûts, d'une part avec une finition certes plutôt correcte mais pas réellement haut de gamme, et d'autre part en évitant certains équipements tels que des contrôleurs de ventilateurs. Quelques petits détails sont encore en cours de finalisation et le prix final ne sera communiqués qu'à l'approche de la commercialisation de ce 900D.

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