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Samsung vient d'annoncer un nouveau SSD, le Samsung 840 EVO. Comme le 840, il utilise de la mémoire Flash TLC fabriquée par Samsung, mais cette fois il s'agit de puces de 16 Go gravées en 19nm au lieu de puces 8 Go en 21nm auparavant.

Le contrôleur Samsung est toujours basés sur un processeur ARM à 3 cœurs, mais avec notamment des modifications de firmware destinées à supporter ces nouvelles puces ainsi qu'une augmentation de la fréquence de 100 MHz pour passer à 400 MHz. Le cache DRAM varie de 256 Mo sur la version 120 Go à 1 Go pour les modèles 750 Go et 1 To en passant par 512 Mo sur les 250 et 500 Go.

Samsung en profite pour faire grimper la capacité du 840 EVO qui sera disponible en Août en versions 120 Go, 240 Go, 500 Go, 750 Go et 1 To avec des prix respectifs de 110, 190, 370, 530 et 650$. Les 840 EVO seront garantis 3 ans, comme les 840.

Côté performances, Samsung annonce des débits en écriture en très nette hausse puisque la version 120 Go serait capable d'atteindre 410 Mo /s, contre 130 Mo /s pour le Samsung 840. Le débit maximal de 520 Mo /s serait atteint dès la version 250 Go /s, contre 250 Mo /s pour un 840 250 Go et 330 Mo /s pour un 840 500 Go.


Ce gain impressionnant ne s'applique pas aux écritures aléatoires qui sont en légère hausse, et il est lié à une nouvelle technologie dénommée TurboWrite. Samsung réserve en fait une partie de la mémoire TLC pour faire office de cache en l'utilisant comme de la SLC, une méthode déjà employée sous une autre forme par OCZ sur ses Vertex 4 / Vertex 450 / Agility 4 / Vector. Samsung réserve ainsi 36 Go, 27 Go, 18 Go et 9 Go de mémoire TLC pour disposer de 12, 9, 6 et 3 Go de cache TurboWrite sur les versions 1 To, 750 Go, 500 Go et 250/120 Go. Il faut soustraire de l'overprovisionning, et logiquement l'emplacement physique du TurboWrite variera afin d'uniformiser l'usure des cellules.

Les débits séquentiels annoncés sont donc ceux de ce cache TurboWrite, les données étant transférées vers des cellules TLC utilisées en tant que telle lorsque le PC ne fait plus d'accès sur le SSD. S'il est rempli, les données sont directement écrites en TLC avec des débits qui seront de l'ordre de ceux d'un Samsung 840 classique.

Le TurboWrite permet donc à Samsung d'afficher de plus gros scores en écriture séquentielle pour son Samsung 840 EVO, un avantage certain d'un point de vue marketing mais qui est relativement trompeur. En effet dans le cas d'un volume d'écriture supérieur à la taille du TurboWrite, seul moment où l'apport d'un tel débit se fera vraiment sentir, on retombera à un niveau bien inférieur. Il serait donc plus honnête que Samsung ne communique pas sur le débit maximal mais sur une intervalle.

Autre problème, TurboWrite va amputer le SSD d'une grande partie de la Flash jusqu'alors réservée pour les optimisations interne du contrôleur destinées entre autre à réduire l'usure de la Flash (provisionning et overprovisionning), et il augmentera l'amplification en écriture du SSD et donc son usure à terme puisque pour écrire 3 Mo de données on écrit non pas 1 millions de cellules en TLC mais 3 millions en SLC puis 1 millions en TLC, soit 4 fois plus ! Même si la mémoire TLC Samsung s'est avérée assez endurante en pratique sur le 840 et que le fait d'écrire en "mode SLC" sur une mémoire TLC use probablement moins une cellule qu'une écriture en "mode TLC", on ne peut s'empêcher de se demander si le TurboWrite n'est pas une fausse bonne idée, et si il ne serait pas préférable que Samsung permette sa désactivation via son utilitaire Samsung Magician !

Samsung annonce la disponibilité pour mi-Octobre de ses SSD nouvelle génération, les 840 et 840 Pro. La version Pro est la plus performante, elle est de plus garantie 5 ans contre 3 ans pour la version classique. Les 840 sont dotés d'office d'un over-provisionning, à contrario des 840 Pro et 830, d'où une capacité utile plus réduite (500 Go au lieu de 512 Go par exemple).

Tous deux utilisent le contrôleur Samsung MDX propriétaire basé sur 3 cœurs ARM qui sont désormais de type Cortex R4 et à 300 MHz au lieu de type ARM9 à 220 MHz sur le 830, ils sont au format 2.5" pour une épaisseur de 7mm et disposent d'une interface Serial ATA 6 Gb/s. Côté mémoire on retrouve de la Flash Samsung 2xnm (sans plus de précision) avec une interface Toggle 2.0 à 400 Mbps contre une interface Toggle 1.0 à 133 Mbps sur les 830. Le cache atteint un maximum de 512 Mo, contre 256 Mo auparavant, et la version Pro intègre l'AES-256 bits.

Côté tarif voici ce qu'annonce Samsung pour les versions bulk :

- 840 120 Go / 840 Pro 128 Go : 109.99$ / 149.99$
- 840 250 Go / 840 Pro 256 Go : 199.99$ / 269.99$
- 840 500 Go / 840 Pro 512 Go : 449.99$ / 599.99$

Comparées à la génération précédente, les performances sont les suivantes sur les versions 500 – 512 Go :


Côté séquentiel les 840 font légèrement mieux que le 830 en lecture, mais sont limités par l'interface SATA 6 Gb /s. La version Pro fait nettement mieux en écriture alors que le 840 classique est en dessous. Mais les gains les plus intéressants se situent du côté de l'aléatoire, que ce soit avec 32 commandes simultanées mais aussi avec 1 seule commande, ce qui est à saluer puisque plus utile pour une utilisation classique.

Mise à jour : On en sait désormais plus sur le type de mémoire utilisé sur les Samsung 840 Pro et 840. Le Samsung 840 Pro utilise donc de la mémoire Flash MLC 21nm (au lieu de 27nm sur le 830), alors que le 840 classique utilisera de la mémoire TLC, contenant pour rappel 3 bits par cellules et qui est moins rapide et moins endurante. Ceci explique donc la baisse de performance par rapport au 830 et la présence d'un over-provisionning obligatoire nécessaire à garantir une durée de vie correcte pour le SSD.