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Computerbase  a pu mettre la main sur l'EVGA GTX 1080 Ti FTW3 Elite, qui se distingue de la version "classique" (tout est relatif quand on parle de FTW3) par une GDDR5X à 12 Gbps, soit une bande passante de 528 Go/s en hausse de 9% par rapport à une 1080 Ti habituelle.

Cette vitesse GDDR5 n'est pas obtenue par un overclocking, ce sont bien des puces Micron spécifiées à cette vitesse qui sont utilisées, elles portent la référence D9VRN contre D9VRL en 11 Gbps. D'après les tests de nos confrères le gain moyen, mesuré sur 5 jeux en 4K, est de 4% en passant de 11 à 12 Gbps.

Côté tarif cette FTW3 Elite est affichée à 869$ chez EVGA, contre 799$ pour une FTW3 aux mêmes fréquences GPU de 1569/1683 MHz. Hors modèle blower à 709$, la custom la moins chère du constructeur  est à titre informatif la Black Edition Gaming à 719$.

A l'occasion d'un billet de blog , Micron indique sur son site que la GDDR5X poursuit ses avancées. Lors du lancement de la GDDR5X début 2016 cette mémoire ne dépassait pas les 13 Gbps en laboratoire, ce sont désormais les 16 Gbps qui ont été atteint. Reste à voir si et quand des puces GDDR5X plus rapides arriveront sur le marché, pour l'instant Micron se "limite" à 12 Gbps, contre 10 Gbps au lancement.

Micron profite également de ce billet pour indiquer qu'il comptait lancer la production en volume de la GDDR6, un standard qui sera utilisé également par Samsung et SK Hynix contrairement à la GDDR5X, début 2018. Alors que la GDDR5X utilise un mode QDR pour augmenter le débit face à la GDDR5, du côté de la GDDR6 chaque puce sera adressée via deux canaux en parallèle. Cette-fois le constructeur semble viser l'intervalle 12-14 Gbps en terme de débit, ce qui lui donnerait un léger avantage en l'état de la production GDDR5X. A noter que SK Hynix a pour sa part annoncé qu'il serait à 16 Gbps début 2018.

Nvidia va proposer à ses partenaires des versions OC de ses kits GPU et mémoire pour les GTX 1080 et GTX 1060 qu'ils conçoivent. Si les GPU seront identiques, ils seront associés à de la mémoire plus rapide.

La GeForce GTX 1080 8 Go OC profitera de la nouvelle GDDR5X 11 Gbps de Micron pour un gain de 10% au niveau de la bande passante mémoire. Du côté de la GeForce GTX 1060 6 Go OC, la mémoire GDDR5 passera de 8 Gbps à 9 Gbps. Aucune indication tarifaire ne nous a été donnée.

A voir bien entendu ce que feront les partenaires de ces nouvelles sous-déclinaisons et s'ils les réserveront à leurs versions OC les plus chères ou s'ils essayeront de les généraliser. Il sera également intéressant d'observer sur la marge d'overclocking, très élevée actuellement, progressera ou s'il s'agit uniquement de pouvoir proposer une certification à une fréquence légèrement supérieure.

En parallèle à la mémoire HBM, Samsung à évoqué le futur de la GDDR5, ignorant quelque peu l'existence de la GDDR5X de Micron qui, bien que standardisée par le JEDEC, n'a pas été adoptée par ses concurrents.

Pour la GDDR6, Samsung évoque certaines des pistes de travail envisagées. Côté objectifs la mémoire visera dans un premier temps 14 à 16 Gbps, ce qui était la cible haute pour rappel de la GDDR5X lors de sa présentation par Micron. Lors de la certification de la GDDR5X par le JEDEC, 14 Gbps est devenu le maximum visé. On notera que la GTX 1080 utilise pour rappel de la GDDR5X 10 Gbps. Techniquement, la GDDR5X abaissait la tension de la GDDR5 à 1.35V et doublait la bande passante en doublant le prefetch.

Samsung donne ici quelques idées sur la GDDR6, reprenant par exemple l'idée de la tension à 1.35V. L'élaboration de la spécification finale se fera au sein du consortium JEDEC dans les mois à venir.

Côté timing, Samsung évoque 2018, aligné avec la DDR5 et la LPDDR5, et un gain d'efficacité énergétique autour des 30%. On notera au passage que Samsung continue lui aussi de pousser son propre standard "X" avec la LPDDR4X, une variante de la mémoire mobile LPDDR4 qui fait "seulement" baisser la tension VDDQ à 0.6V pour obtenir un gain d'efficacité de 20%. Si le JEDEC n'a pas encore ratifié la LPDDR4X, on notera que SK Hynix avait annoncé en juin qu'il produirait lui aussi ce type de mémoire.