Les contenus liés au tag Micron
Afficher sous forme de : Titre | Flux
Les 5 contenus précédentsHynix et Micron victorieux contre Rambus
Un consortium pour l'Hybrid Memory Cube
Des pertes pour Micron
Micron RealSSD P320h : 3 Go /s et 750K IOPS
MLC 20nm chez Intel / Micron
La DDR4 débarque chez Micron
(0) Réaction
Après Samsung et Hynix il y a plus d'un an, Micron vient d'annoncer qu'il avait terminé le développement de son premier module de DDR4. Co-développée avec Nanya, cette barrette de 4 Go utilise 8 puces de 512 Mo de DDR4 fabriquées en 30nm. A terme Micron déclinera la DDR4 sur les formats RDIMM, LRDIMM, 3DS, SODIMM et UDIMM (classique et ECC), à des vitesses allant de la DDR4-2400 à la DDR4-3200.
La norme DDR4 est en cours de finalisation par le JEDEC et Micron annonce qu'il débutera la production en volume à compter du dernier trimestre 2012. Côté plate-forme il faudra attendre un peu puisque selon les dernières rumeurs Intel ne supportera pas la DDR4 avant 2014 sur serveurs et 2015 sur PC de bureau.
Intel se désengage partiellement d'IMFT
Intel vient d'annoncer par un communiqué de presse son désengagement partiel d'IMFT. Montée avec Micron en 2006, IM Flash Technologies est une joint venture dédiée à la production de puces de mémoire flash NAND. L'accord annoncé aujourd'hui indique le désengagement d'Intel dans deux des trois usines qui appartenaient à la joint venture, celle de Singapour lancée en avril dernier, ainsi que la production partiellement en cours dans une usine de Micron à Manassas en Virginie. Les deux usines appartiendront désormais à Micron.
Intel conserve cependant ses parts dans la troisième usine d'IMFT, située à Lehi dans l'Utah qui produit actuellement des puces 20nm. L'accord stipule que Micron continuera à fournir Intel en puces NAND au-delà de la capacité de la joint venture. Les deux sociétés indiquent également souhaiter étendre le champ d'action d'IMFT en dehors de la mémoire flash NAND, vers d'autres types de, dixit le communiqué, mémoires émergentes.
Elpida, Nanya et Micron ?
Après les rumeurs le mois dernier concernant un rapprochement entre le fabricant de mémoire japonais Elpida et le taïwanais Nanya, le quotidien Japonais Yomiuri (via Reuters) rapporte aujourd'hui que les discussions démenties entre Nanya et Elpida sont toujours en cours, et concernerait un troisième acteur : l'américain Micron. Le président d'Elpida aurait ainsi effectué un déplacement aux Etats Unis la semaine dernière dans ce but.
Les sociétés Micron et Nanya sont déjà liées sur le marché de la DRAM puisqu'ils développent en partenariat leurs technologies mémoire. Après des résultats décevant au dernier trimestre pour Micron, blâmés en partie sur la baisse de l'activité PC mais aussi sur le prix trop faible de la mémoire, Micron, Nanya et Elpida envisageraient une consolidation de leurs activités avec un financement de capital externe de près d'un milliard d'euros.
128 Gb de Flash en 20nm chez IMFT
Intel et Micron viennent d'annoncer une nouvelle puce Flash MLC de 128 Gb gravée en 20nm. En combinant 8 de ces puces au sein d'un même packaging il est possible d'atteindre une capacité de 128 Go, une première. Les échantillons de la puce sont prévus pour le mois de janvier, la production en volume devant débuter au cours du premier semestre 2012.
Cette mémoire devrait de plus être nettement plus rapide lors d'accès séquentiel puisqu'elle utilise interface ONFI 3.0 à 333 MT/s soit le double des puces actuelles en 25nm. Les accès aléatoires 4K seront par contre le parent pauvre puisque la taille des pages sera désormais de 16 Ko contre 8 Ko pour les die 64 Gb et 4 Ko pour les die 32 Gb. Ces modifications devraient retarder l'intégration de ses puces dans les SSD et il ne faut pas l'attendre avant 2013.
IMFT annonce au passage que la puce 64 Gb (8 Go) 20nm annoncée en avril dernier est pour sa part désormais produite en volume. Elle mesure pour rappel 118mm², contre 167²mm pour son équivalent 25nm, et offre les mêmes caractéristiques en termes d'endurance ou de performances. Son arrivée devrait permettre de faire baisser le prix au Go des SSD, mais il faudra attendre la mi-2012 pour la voir débarquer dans nos boutiques.
IBM va produire l'Hybrid Memory Cube
Micron vient d'annoncer qu'il allait faire fabriquer par IBM sa mémoire Hybrid Memory Cube. La gravure se fera dans l'usine IBM de East Fishkill située dans l'état de New-York avec un process 32nm HKGM. L'Hybrid Memory Cube est composée d'une couche logique qui est interconnectée à empilement de plusieurs die mémoire via le TSV (Through Silicon Via).
Cette technologie permet de relier plusieurs die entre eux via des connexions verticales qui passent donc au travers même des die. Cette verticalité permet de réduire drastiquement la longueur des connexions, ce qui permet entre autre d'améliorer la vitesse, d'abaisser la consommation et de réduire la taille du packaging.
Les débits atteints par une mémoire HMC sont très élevés puisqu'une puce de 512 Mo atteindrait les 128 Go /s soit 10 fois la bande passante de la DDR3-1600. Avec 8 watts la consommation rapportée à la bande passante est également en baisse, mais elle est en hausse si on la rapporte à la capacité.
Pour le moment la HMC devrait être assez chère et réservée à des applications industrielles. A terme on peut penser que ce type de mémoire pourrait être utilisé dans des produits plus grand public, afin par exemple de servir de mémoire locale pour un APU.
Les 5 contenus précédents
