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La société Rambus vient de perdre  un procès important contre les fabricants de mémoire Micron et Hynix. Lancé en 2004, cette procédure antitrust visait à l'époque quatre acteurs du marché de la SDRAM : Samsung, Infineon, Hynix et Micron. Ces sociétés étaient accusées par Rambus d'avoir conspiré pour éliminer la mémoire RDRAM du marché, notamment en limitant la production et en augmentant les prix, à la faveur du standard SDRAM. Samsung et Infineon avaient trouvé un accord à l'amiable avec Rambus (contre 800 et 150 millions de dollars), tandis que Micron et Hynix ont préféré aller jusqu'au procès. Rambus indiquait que la perte de ventes subie atteignait 3.95 milliards de dollars.

Le procès a été l'occasion de quelques éclaircissements sur l'utilisation de la mémoire RDRAM qui avait débuté en 1999 avec le chipset i820 dédié aux Pentium III. Un manager d'Intel aurait en effet témoigné qu'un accord complexe les liait à Rambus à l'époque et qu'une clause dans le contrat autorisait Rambus à bloquer les livraisons de processeurs (!) si certaines conditions de promotion marketing de la part d'Intel n'étaient pas réunies. Un attachement à cette clause de la part de Rambus aurait envenimé ses relations avec Intel et serait - sur un plan non technique - la véritable raison du non succès de la RDRAM.

Outre l'importance des dommages espérés par Rambus, cette défaite reste un événement rare pour la société qui jouissait jusqu'ici d'une certaine vista auprès des tribunaux, malgré le fait que la FTC et la commission européenne  aient reconnu que la société avait trompé les membres du JEDEC (un consortium développant de manière ouverte les standards mémoire, auquel Rambus avait participé avant de le quitter) en déposant des brevets sur des technologies qui seraient adoptées dans le standard SDRAM, sans pour autant en avoir informé les autres membres du comité de standardisation comme le prévoyaient pourtant les statuts du consortium.

L'action de Rambus aura baissé de près de 61% après cette annonce. La société dispose encore de procès en cours pour l'utilisation des brevets dont nous parlions plus haut auprès de Micron et Hynix, mais également Nvidia qui reste l'un des rares acteurs majeurs du marché à avoir refusé de prendre un accord de licence avec Rambus (AMD en avait signé un en 2006).

Démontrée par Intel et Micron lors de l'IDF, la technologie Hybrid Memory Cube s'ettoffe un peu aujourd'hui avec l'arrivée de Samsung. Micron et Samsung ont en effet annoncé la création d'un consortium dédié à cette technologie dans le but de développer une spécification commune pour l'industrie. Une préversion de la spécification devrait être partagée sous peu par le consortium afin de recueillir suggestions et remarques. La version finale est annoncée pour 2012.

Pour rappel, l'Hybrid Memory Cube consiste à superposer plusieurs die de mémoire DRAM avec un die logique (le processeur). Le prototype présenté lors de l'IDF disposait d'une bande passante de 128 Go/s obtenus avec quatre die DRAM qui communiquent directement avec la couche logique par le biais d'interconnexions qui traversent les die (through-silicon vias).

Micron vient d'annoncer ses résultats pour son quatrième trimestre fiscal 2011 qui prenait fin le 1er septembre. Sans surprise, le fondeur annonce des ventes en baisse par rapport au même trimestre l'an passé puisque l'on passe de 2,493 Milliards à 2,140 Milliards. La marge brute s'effondre, passant de 31 à 15% et l'on passe d'un bénéfice de 342 millions de $ à 135 millions de pertes.

Sur l'année fiscale 2011, Micron annonce un chiffre d'affaires de 8,788 milliards contre 8,482 en 2010, le bénéfice n'étant par contre que de 167 millions contre 1,850 milliards l'an passé. Logiquement Micron pointe du doigt le prix de la mémoire très bas, avec notamment par rapport au trimestre précédent une baisse de 12% de son chiffre d'affaires sur la DRAM malgré une hausse de volume. Les ventes de Flash ont pour leur part augmentées de 11% en terme de chiffre d'affaires, la hausse de 40% en volume étant compensée là encore par la baisse de prix.

Cette situation devrait perdurer si les prix de la DDR3 ne remontent pas durablement. En effet, entre le 1er juin et le 1er septembre les prix n'ont cessé de chuter pour passer de 1,77 à 1$ pour une puce de 256 Mo DDR3-1333. Au cours du jour de 1,09$ on peut penser que Micron et les autres fabricants de mémoire sont encore déficitaires.

Micron lance un nouveau SSD PCI-Express, le RealSSD P320h. Disponible en versions 350 et 700 Go, il utilise de la mémoire SLC 34nm et affiche des performances records. Micron annonce en effet un débit de 3 Go /s en lecture et 2 Go /s en écriture, contre 750K/341K IOPS en lecture/écriture 4K pour la version 700 Go et 750/298K IOPS pour la version 350 Go. TMS, dont le RamSan-70 affichait en lecture 2 Go /s et 330K IOPS est donc battu à plate couture ! Fusion-io reste toutefois devant avec son Octal qui affiche 1190K IOPS (en 512 octets) et 6 Go /s en lecture pour une capacité un peu moins raisonnable il est vrai (5,12 To !).

Ce SSD dispose de la technologie RAIN (redundant array of independent NAND), et on peut penser même si ce n'est pas précisé et d'après les images que les versions offrant 350 et 750 Go d'espace disponible intègrent en fait 512 Go et 1 To de Flash. Le RealSSD P320h fonctionne sur un slot PCI-Express x8 Gen2 (4 Go /s maximum dans chaque sens), sa consommation maximale est de 25w et côté endurance Micron annonce jusqu'à 50 Pétaoctets. On aurait aimé continuer dans les gros chiffres et vous donner le prix, mais Micron s'est malheureusement garder de le communiquer...

Intel et Micron viennent d’annoncer une nouvelle puce de mémoire Flash NAND MLC gravée en 20nm, confirmant ainsi leur avance technologique dans le domaine. Offrant une capacité de 8 Go, cette puce mesure 118mm², contre 167mm² pour une puce gravée en 25nm. Elle est produite par IMFT (IM Flash Technologies), la joint-venture regroupant les deux entreprises.

Cette puce mémoire 20nm offrirait les mêmes performances et la même endurance que la mémoire 25nm, et devrait donc constituer le prochain saut en terme de rapport capacité / prix du côté des SSD, sans aucune contrepartie négative. Actuellement au stade d'échantillonnage, cette puce devrait commencer à être produite en volume au cours du second semestre, période durant laquelle IMFT compte échantillonner une puce de 16 Go en 20nm.


Pour rappel, IMFT avait annoncé en février 2010 sa première puce 25nm. A l’époque sa production en volume devait débutée au second trimestre, et ce n’est que très récemment qu’on a commencé à voir débarquer des SSD l’utilisant. Il ne faut donc pas s’attendre à voir des SSD utilisant cette mémoire 20nm avant début 2012.