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Samsung est lui aussi bien évidemment présent au Flash Memory Summit et en profite pour annoncer sa quatrième génération de mémoire NAND 3D (connue sous le nom marketing V-NAND). L'année dernière, Samsung annonçait sa troisième génération qui faisait passer à 48 couches pour obtenir jusque 32 Go par die.

 

 

Cette année, Samsung annonce 64 couches pour une densité maximale de 512 Gbit en TLC, soit 64 Go par die. De quoi permettre d'atteindre pas moins de 1 To par package (en superposant 16 dies). Samsung proposera donc un SSD BGA de 1 To avec 1500 Mo/s en lecture et 900 Mo/s en écriture.

Le PM1643 de 32 To, photo The SSD Review 

Le SSD PM1633a de 16 To (qui avait été annoncé lors du Flash Memory Summit 2015 il y a un an, mais seulement commercialisé ces dernières semaines sera remplacé à terme par un modèle 32 To, le PM1643.

Une version 32 To en NVMe est également annoncée sous la référence PM1735 et un modèle M.2 de 4 To est également au programme en taille standard, et Samsung compte proposer en 2017 un "nouveau" format de M.2 dédié aux serveurs, le M.2 32114 (32mm de large pour 114 de long) avec une capacité pouvant atteindre 8 To, ce qui permettra d'atteindre 256 To de stockage dans un rack 1U.

Bien évidemment, et le lancement ces derniers jours du PM1633a le prouve, les annonces de Samsung se traduiront au fur et a mesure dans les mois à venir, le communiqué de presse du constructeur  évoque le quatrième trimestre pour les premières disponibilités de produits basés sur la V-NAND de quatrième génération. Le PM1643 est quand à lui annoncé pour 2017 sans plus de précision.

 

 

On notera enfin une dernière annonce très floue de la part de Samsung avec la Z-NAND, un "nouveau type de mémoire" qui partage "la même structure fondamentale que la V-NAND" en utilisant un "design de circuit et un contrôleur unique". Si cela ne nous dit pas grand chose sur la manière dont fonctionne la technologie, il faut y voir la réponse de Samsung à la PRAM 3D XPoint d'Intel/Micron, le constructeur ne s'en cache en reprenant les mêmes arguments, une mémoire qui vient s'intercaler entre la DRAM (volatile, très rapide) et la NAND (non volatile, moins rapide).

La Z-NAND aurait une latence similaire à la PRAM, des performances séquentielles 20% supérieures, et une efficacité énergétique significativement meilleure. Bien entendu ces chiffres sont assez creux sachant que Samsung ne précise pas à quelle PRAM il se compare, mais on voit bien qu'Intel et Micron sont visés par cette annonce. Plus de détails devraient être disponibles d'ici quelques mois, Samsung annonçant une disponibilité en 2017.

Mise à jour du 30/07/2016 : On connaît le prix de ce SSD d'une capacité record puisqu'il est maintenant référencé chez deux revendeurs outre-atlantique (ici  et là ) : environ 10 000$. Avis aux amateurs !

News du 03/03/2016 : Présenté l'été dernier lors du Flash Memory Summit, le PM1633a de Samsung n'est finalement lancé que ce jour. Ce SSD 2.5" 9.5mm doté d'une interface SAS 12 Gbps se destine aux entreprises et se distingue par sa capacité record de … 15,36 To ! Il succède au PM1633 qui se "limitait" au mieux à 3.84 To.

Pour atteindre une telle capacité utilise la V-NAND TLC Samsung de 3è génération offrant 32 Go par die 48 couches. Les débits annoncés sont de 1200 Mo /s en lecture comme en écriture, ce qui correspond à la limite de l'interface, alors qu'en accès aléatoire il est question de 200 000 IOPS en lecture et 32 000 IOPS en écriture.

Le contrôleur Samsung est épaulé par pas moins de 16 Go de DRAM et le PM1633a est spécifié pour 1 DWPD (drive writes per day), c'est-à-dire pour l'équivalent d'une écriture journalière complète (la durée n'est pas précisé, c'est probablement 5 ans). La gamme PM1633a sera également décliné dans un second temps en versions 7,68 To, 3,84 To, 1,92 To, 960 Go et 480 Go. Aucun prix n'est communiqué par Samsung.

Samsung vient d'annoncer les premières cartes mémoires basées sur le standard UFS. Pour rappel, l'UFS (Universal Flash Standard) est un ensemble de standards développés par le JEDEC dans le but de proposer de la mémoire flash rapide pour les usages mobiles.

Le standard de base visait d'abord les puces mémoires à embarquer (par exemple dans les smartphones) afin de remplacer l'eMMC. Début 2015 on avait ainsi vu Samsung annoncer des puces de 128 Go en UFS 2.0. A l'époque seuls des chiffres d'IOPS étaient donnés, respectivement 19K et 14K en lecture et écriture aléatoire.

En mars dernier , en sus de la version 2.1 de l'UFS, le JEDEC avait publié une nouvelle spécification : l'UFS Card Extension Standard . Comme son nom l'indique, elle définit un nouveau standard de cartes mémoires visant à transposer l'UFS dans un format amovible. Ce dernier entre en concurrence avec les cartes SD (gérées par un consortium indépendant regroupant SanDisk, Panasonic et Toshiba) et apporte des débits largement supérieurs. On notera côté design que les cartes sont censées ressembler... à un requin :

Extrait de la spécification du JEDEC...

L'annonce de Samsung  est donc surtout un premier pas avant de trouver éventuellement ce standard dans de futurs appareils. Quatre capacités sont annoncés, 32, 64, 128 et 256 Go. Côté performances Samsung en dit un peu plus annonçant 530 Mo/s en lecture séquentielle et 170 Mo/s en écriture séquentielle également. En aléatoire on atteint 40K IOPS en lecture et 35K IOPS en écriture, ce qui là aussi est particulièrement élevé pour des cartes mémoires.

Notez que si théoriquement l'UFS "embarqué" peut utiliser deux lignes, pour un débit maximal d'interface de 12 Gbit/s, l'UFS "carte" est limité à une seule (6 Gbit/s) en version 1.0. Le reste des protocoles, basés sur le SCSI restent identiques avec une gestion du NCQ et également la possibilité de définir une partition prioritaire pour les accès (par exemple pour s'assurer que l'enregistrement de vidéo soit toujours prioritaire sur des tâches systèmes annexes).

Samsung indique également que ses cartes sont les premières à avoir passé les tests de compatibilités de l'UFSA  (Universal Flash Storage Association) qui avait été mis en place en avril dernier (l'UFSA s'assurant de l'interopérabilité des produits des différents acteurs du marché, à l'image de l'USB-IF pour l'USB).

Aucun prix n'est communiqué pour l'instant, ni vraiment de détails sur la disponibilité réelle, qui ne sert de toute façon à rien sans appareil pouvant les utiliser. Des annonces devraient suivre dans les prochains mois, possiblement pour des smartphones mais aussi des appareils photo/vidéo reflex.

Cet automne, Corsair lancera deux nouvelles déclinaisons de sa mémoire DDR4, à commencer par une version LED de ses modules Vengeance. Ceux-ci seront proposés avec des LED blanches ou rouges avec des capacités de 2x 8 Go, 2x 16 Go, 4x 8 Go, 4x 16 Go et des fréquences qui iront de 2400 à 4333 MHz, avec dans ce derniers cas des puces Samsung triées sur le volet.

 

 

Ensuite, Corsair prévoit de la DDR4 Dominator Platinum Special Edition qui profitera d'un radiateur à la finition améliorée disponible en versions chrome et noire satinée. Si Corsair se contentera d'une fréquence de 3200 MHz pour ces kits 2x 16 Go et 4x 8 Go, il s'agira pourtant des meilleurs puces Samsung issues des tris effectués par la marque. Cette fréquence réduite est liée au support du quad channel sur plateforme X99, mais la marge d'overclocking est annoncée très importante.

Il s'agit de kits qui seront exclusifs et probablement très onéreux même si Corsair n'a pas pu nous communiquer de tarif à ce point. Seuls 500 kits de chaque couleur seront produits.

Le Samsung PM971, dont nous avions parlé en mars, est désormais produit en volume. Il s'agit du premier SSD NVMe au format BGA atteignant 512 Go, on retrouve ainsi dans une puce de 20x16mm pour 1 gramme :

• Un contrôleur "Photon" PCIe 3.0 x2 NVMe
• 512 Mo de LPDDR4
• 16 die 32 Go V-NAND 48 couche

 

 

La capacité totale est de 512 Go et le tout est capable d'atteindre en séquentiel 1500 Mo/s en lecture et 900 Mo/s en écriture, côté aléatoire il est question de 190K et 150K IOPS, ce qui est pour le moins impressionnant vu le format de ce SSD ! Des déclinaisons 256 Go et 128 Go sont également prévues, le tout sera disponible à compter de ce mois. Pour rappel Toshiba avait déjà lancé début 2015 un SSD BGA NVMe mais avec des capacités de 128 et 256 Go et des débits de 750 et 260 Mo/s en lecture et écriture.