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Le TRIM fonctionnel chez Samsung
Parmi la multitude de contrôleurs disponibles pour les SSD, le contrôleur Samsung fait partie des bons élèves et présente un rapport performance/prix intéressant. Ce contrôleur est notamment présent au sein des OCZ Summit, des Corsair série P et des Kingston V+.
Si les deux premières marques ont déjà publié un firwmware ajoutant la compatibilité avec le TRIM, Samsung ne l'avait pas encore fait. Les possesseurs de PB22-J pouvaient toujours flasher avec le firmware Corsair (les deux disques étant identiques), mais à leurs risques et périls. Cette situation étrange prend fin : nos confrères du Comptoir du Hardware nous apprennent que Samsung a publié son nouveau firmware. La mise à jour implique cependant un formatage du disque, une sauvegarde est donc recommandée avant le flash ! Pour les possesseurs de PB22-J, le précieux fichier est disponible ici.
Rapprochement entre Samsung et Fusion-io
Fusion-io a annoncé cette semaine un rapprochement avec Samsung par le biais d'un investissement de ce dernier dans le but d'une meilleure collaboration dans le domaine des SSD. Le montant qu'a investi Samsung reste pour l'instant inconnu mais l'ont sait déjà que le coréen est le principal fournisseur de mémoire NAND pour Fusion-io. Connue pour ses ioDrive et ioDrive Duo ainsi que le ioXtreme, Fusion-io produit principalement des SSD basés sur des cartes PCI Express. Le reste n'est que conjectures mais il se pourrait que par ce geste, Samsung pointe du doigt la direction que devrait prendre le marché des SSD à l'avenir. Ou bien peut-être que le coréen cherche tout simplement à s'étendre vers les SSD haut de gamme capables de fournir des débits extrêmes comme le propose de le ioDrive Duo et ses 1500 Mo/s.
Samsung fabrique (enfin) la PRAM
Samsung vient d’annoncer avoir débuté la production de sa mémoire à changement de phase (ou PRAM, pour Phase-change RAM). Fabriquée en 60nm, cette puce arrive 3 ans après le premier prototype fonctionnel et avec un an sur le planning initial. Destiné dans un premier temps aux appareils mobiles du fait d’une consommation réduite, cette mémoire non-volatile pourrait à terme remplacer les mémoires Flash NOR dans ces appareils.
Quid des SSD ? Il n’est pour le moment - et pas avant longtemps - pas question de concurrencer les mémoires Flash NAND, car même si la PRAM est meilleure par certains aspects, notamment parce qu’elle est plus endurante (100 millions d’écritures) et permet une reprogrammation des cellules par bit, leur vitesse d’écriture bien que 7 à 10x supérieure à la NOR est encore trop faible en comparaison à la NAND, tout comme leur densité.
Samsung PRAM, la mémoire parfaite ?
Samsung a annoncé avoir mis au point la première puce de PRAM, pour Phase-change Random Access Memory. Ce nouveau type de mémoire non volatile devrait, selon Samsung, remplacer dans les dix ans à venir la mémoire Flash de type NOR.
Le constructeur avance que la PRAM peut réécrire des données sans avoir à effacer les données précédemment accumulées, ce qui multiplierait les performances par 30 par rapport à de la mémoire flash « conventionnelle », tout en ayant une durée de vie 10 fois plus longue. De plus, une cellule de PRAM fera la moitié de la taille d’une cellule de Flash NOR, et elle nécessite 20% d’opérations de productions en moins.
Les premières PRAM devraient arriver sur le marché en 2008, et seront d’une capacité de 64 Mo. Pas peu fier, Samsung parle carrément de « perfect RAM » comme surnom de sa PRAM.
Alors, faut-il crier au miracle ? Pas totalement. Premièrement, les données fournies par Samsung sont très limitées. A quel type de mémoire Samsung fait-il référence en parlant de la mémoire flash « conventionnelle » ? La NOR ou la NAND ? Ces deux mémoires ont des caractéristiques très différentes. Par exemple la NOR, bien qu’ayant d’autres avantages, est très lente en écriture du fait d’un temps d’effacement excessivement long (0.5 à 1s), et le fait d’être 30x plus rapide mettrait en fait la PRAM à des niveaux comparables à la NAND.
De plus, quand Samsung parle de durée de vie, est-ce qu’il s’agit de la durée de rétention, qui est actuellement d’environ 10 ans, ou de l’endurance aux cycles de lecture / écriture, actuellement 100 000 ? Dans tous les cas, en indiquant que la PRAM remplacera la mémoire NOR et pas la NAND et la NOR, Samsung avoue lui-même qu’il ne s’agit pas vraiment de la « perfect RAM ». Il manque en effet à la PRAM d’atteindre les mêmes densités que la NAND afin de réduire le coût au méga, puisqu’il est question de puce 64 Mo là alors que la NAND dépasse désormais le Gigaoctet.
Mais au fait, la mémoire parfaite, ce ne devait pas déjà être la MRAM ?
