Samsung PRAM, la mémoire parfaite ?
Samsung a annoncé avoir mis au point la première puce de PRAM, pour Phase-change Random Access Memory. Ce nouveau type de mémoire non volatile devrait, selon Samsung, remplacer dans les dix ans à venir la mémoire Flash de type NOR.
Le constructeur avance que la PRAM peut réécrire des données sans avoir à effacer les données précédemment accumulées, ce qui multiplierait les performances par 30 par rapport à de la mémoire flash « conventionnelle », tout en ayant une durée de vie 10 fois plus longue. De plus, une cellule de PRAM fera la moitié de la taille d’une cellule de Flash NOR, et elle nécessite 20% d’opérations de productions en moins.
Les premières PRAM devraient arriver sur le marché en 2008, et seront d’une capacité de 64 Mo. Pas peu fier, Samsung parle carrément de « perfect RAM » comme surnom de sa PRAM.
Alors, faut-il crier au miracle ? Pas totalement. Premièrement, les données fournies par Samsung sont très limitées. A quel type de mémoire Samsung fait-il référence en parlant de la mémoire flash « conventionnelle » ? La NOR ou la NAND ? Ces deux mémoires ont des caractéristiques très différentes. Par exemple la NOR, bien qu’ayant d’autres avantages, est très lente en écriture du fait d’un temps d’effacement excessivement long (0.5 à 1s), et le fait d’être 30x plus rapide mettrait en fait la PRAM à des niveaux comparables à la NAND.
De plus, quand Samsung parle de durée de vie, est-ce qu’il s’agit de la durée de rétention, qui est actuellement d’environ 10 ans, ou de l’endurance aux cycles de lecture / écriture, actuellement 100 000 ? Dans tous les cas, en indiquant que la PRAM remplacera la mémoire NOR et pas la NAND et la NOR, Samsung avoue lui-même qu’il ne s’agit pas vraiment de la « perfect RAM ». Il manque en effet à la PRAM d’atteindre les mêmes densités que la NAND afin de réduire le coût au méga, puisqu’il est question de puce 64 Mo là alors que la NAND dépasse désormais le Gigaoctet.
Mais au fait, la mémoire parfaite, ce ne devait pas déjà être la MRAM ?
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