Samsung fabrique (enfin) la PRAM

Samsung vient d’annoncer avoir débuté la production de sa mémoire à changement de phase (ou PRAM, pour Phase-change RAM). Fabriquée en 60nm, cette puce arrive 3 ans après le premier prototype fonctionnel et avec un an sur le planning initial. Destiné dans un premier temps aux appareils mobiles du fait d’une consommation réduite, cette mémoire non-volatile pourrait à terme remplacer les mémoires Flash NOR dans ces appareils.

Quid des SSD ? Il n’est pour le moment - et pas avant longtemps - pas question de concurrencer les mémoires Flash NAND, car même si la PRAM est meilleure par certains aspects, notamment parce qu’elle est plus endurante (100 millions d’écritures) et permet une reprogrammation des cellules par bit, leur vitesse d’écriture bien que 7 à 10x supérieure à la NOR est encore trop faible en comparaison à la NAND, tout comme leur densité.