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Samsung F4EG-3 : 2 To et 3 plateaux
Après Western et son WD20EARS en version 00MVWB0, c’est au tour de Samsung de lancer un disque de 2 To utilisant 3 plateaux de 667 Go, contre 4 plateaux de 500 Go pour la série précédente. Samsung a la bonne idée de lancer ce disque sous une nouvelle dénomination, le F4EG-3 ou EcoGreen F4. Le passage à 3 plateaux a un impact positif sur la consommation comme sur les performances.
Le F4EG sera également décliné dans une version 1.5 To donc on ne connait pas la composition exacte (3 plateaux de 500 Go ? 3 plateaux de 667 Go avec short stroking interne ?). Les deux capacités devraient être disponibles à partir de septembre et seront dotés de 32 Mo de cache et d'une interface SATA 3Gbps. Il faut noter que ces disques utiliseront comme les modèles Western de série EARS des secteurs de 4 Ko et non plus 512 octets, et nécessiteront donc un alignement des partitions spécifique pour des performances optimales sous Windows XP.
MLC 30nm DDR pour un SSD Samsung 512 Go
Samsung vient d’annoncer un nouveau SSD d’une capacité de 512 Go. Il se distingue de ses prédécesseurs de part l’usage de nouvelles Flash MLC fabriquée avec une finesse de gravure de l’ordre 30nm, le chiffre exact n’étant pas communiqué, et utilisant une interface DDR permettant d’en augmenter les débits.
Côté performances Samsung annonce un débit de 250 Mo /s en lecture et 220 Mo /s pour ce modèle utilisant l’interface SATA 3 Gbits. Ce nouveau SSD devrait être produit en volume dès le mois prochain et décliné en versions 256 et 128 Go selon les roadmaps du constructeur.
Le Samsung SpinPoint passe au F4
Samsung annonce sa nouvelle gamme de SpinPoint 7200 tpm, la F4. Disponible en une seule capacité de 320 Go mais avec 8 ou 16 Mo de cache, le SpinPoint F4 se distingue de part l’utilisation d’un plateau d’une densité de 640 Go utilisé d’une seule face et donc avec une unique tête de lecture.
Samsung met en avant la fiabilité de ce design simplissime ainsi que des performances accrues de 10% en lecture et écriture séquentielles du fait de l’augmentation de la densité. Reste maintenant à savoir quand est ce que des versions de capacités plus importante seront lancées !
Flash NAND 2x nm chez Samsung
Samsung annonce avoir débuté la production de puces mémoires Flash NAND MLC de "classe 20nm", sans pour autant préciser la finesse de gravure exacte de ces mémoires (28, 25 nm ?). Ces puces de 4 Go offrent un débit de 20 Mo /s en lecture et de 10 Mo /s en écriture chacune, mais elles sont pour le moment destinée aux SD Card et à la mémoire embarquée.
En effet, même si Samsung ne l’indique pas, on peut penser que ces mémoires n’atteignent pas encore l’endurance nécessaire à une utilisation au sein de SSD. Il faut rappeler que Samsung à commencé à produire des Flash en 32 nm dès mars 2009, mais qu’à l’heure actuelle ces puces ne sont toujours pas utilisées dans des SSD pour des problèmes de lenteur en écriture.
Samsung indique qu’il échantillonne pour le moment ses clients avec des cartes SD basées sur les puces de classe 20nm, la production en volume devant s’étendre dans le courant de l’année. Concernant les SSD, Intel et Micron ont pour rappel annoncé début février une puce MLC 25nm qui devrait être utilisée au sein de SSD Intel dès le 4è trimestre.
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