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Comme nous vous l'indiquons régulièrement, les prix de la RAM n'ont cessé d'augmenter ces derniers mois. En septembre dernier, on pointait un doublement du prix en un an. Depuis les choses ne se sont pas arrangées avec une hausse en octobre, et encore en novembre.

Par rapport à notre relevé de septembre, les puces DDR4-2133 de 512 et 1Go ont augmenté 27.1 et 25% respectivement, atteignant aujourd'hui 4.795 et 9.595$. La DDR3 de son côté suit le mouvement, restant 10% moins chère sur les puces 512 Mo, un écart semblable a ceux que l'on a pu constater ces derniers mois.

Au delà des conséquences très concrètes sur le prix des barrettes mémoires pour les utilisateurs de PC (en se rappelant qu'aujourd'hui, le PC compte pour une part limitée de la demande mondiale de mémoire), ces écarts favorisent largement les vendeurs de mémoire et de NAND comme Samsung qui, selon IC Insights  devrait prendre la tête du classement des ventes de semi conducteurs pour l'année 2017, une place historiquement réservée à Intel !

Le classement d'IC Insights se base sur les ventes de semi conducteurs des sociétés en excluant les fabs comme TSMC et GlobalFoundries.

Ces chiffres sont préliminaires, l'année n'étant pas terminée, mais sur 2017, l'ensemble du marché des semi-conducteurs devrait progresser assez fortement, d'environ 20% par rapport à 2016.

Ce sont les acteurs de la RAM/NAND qui sont principalement derrière ces gains, et pas qu'un peu puisque l'on note des progressions de ventes de 48% pour Samsung, 75.8% pour SK Hynix et 73% pour Micron ! Ces deux dernières passent pour l'occasion devant Broadcom et Qualcomm. On notera enfin que Nvidia devrait rentrer dans le top 10 cette année au dépend de MediaTek.

Samsung vient d'annoncer par le biais d'un communiqué de presse  que son nouveau process de fabrication 8LPP est désormais "qualifié et prêt pour la production".

Vous vous en souvenez peut être, Samsung avait annoncé une pléthore de process à venir dans une roadmap qui a le mérite de l'originalité (8LPP, 7LPP, 6LPP, 5LPP et 4LPP !).

Derrière la nomenclature 8LPP se cache une version optimisée de son process 10nm. Samsung annonce une réduction qui peut atteindre jusque 10% sur la consommation, et une réduction de la surface pouvant aller jusqu'à 10% poussé par une réduction non précisée du metal pitch. Le process est annoncé comme optimisé pour le mobile et les usages réseaux, même si Samsung tente d'indiquer qu'il est également attractif pour des usages "hautes performances".

Ce node avait pour rappel été introduit par Samsung pour temporiser l'arrivée de son 7nm, le constructeur ayant fait le choix audacieux de l'EUV ce qui place au mieux ce process pour la toute fin 2018 . A l'inverse, TSMC lancera d'abord son 7nm sans EUV et l'introduira par la suite. On notera au passage sur le site du constructeur  la confirmation de deux process séparés, un pour les applications mobiles et le second pour les applications "high performance". Nvidia participerait selon les rumeurs a l'élaboration de cette version hautes performances du process de TSMC. Une version du 7nm de TSMC (probablement la version mobile destinée à Apple) est entrée en production risque en avril dernier pour être complet.

Samsung se félicite d'avoir terminé la qualification de son 8LPP avec trois mois d'avances et s'attend à une mise en production en volume rapide (le passage d'une production risque à une production en volume est généralement plus rapide sur les process "dérivés") même si aucun délai n'est précisé.

Samsung vient d'annoncer une nouvelle version de son process 14nm, qui fait suite aux 14LPE et 14LPP. Cette nouvelle version porte, c'est dans l'ère du temps, le nom de 11LPP. Il faut bien évidemment faire un parallèle avec le 12nm de TSMC qui est une variante de leur 16nm.

Samsung annonce atteindre une réduction de 10% de la surface des puces avec son 11LPP par rapport au 14LPP (la méthode n'est pas précisée, probablement de nouvelles bibliothèques optimisées) et des performances en hausses de 15% à consommation égale. Le coût et la disponibilité en volume devraient être l'argument principal de cette nouvelle variante de process qui sera disponible pour le premier semestre 2018.

En parallèle, Samsung profite du même communiqué de presse pour indiquer que son 7nm EUV est "à l'heure" et toujours prévu pour une production "initiale" sur le second semestre 2018. ASML avait annoncé cet été des progrès sur les sources lumineuses, Samsung devrait donner plus de détails sans son Samsung Foundry Forum qui se tiendra à Tokyo en fin de semaine.

Si Samsung est plutôt habitué à annoncer l'échantillonnage de puce ou le lancement de leur production en volume, la dernière annonce est étonnante puisque le constructeur annonce simplement avoir "augmenté la production" de ses puces 8 Go HBM2 afin de satisfaire la demande.

Officiellement, la mémoire HBM2 Samsung est la seule à être disponible en version 8 Go, il s'agit pour rappel d'une version empilant 8 die de 1 Go chacun, interconnectés par un total de 40 000 TSV. SK Hynix, qui fournit a priori AMD pour ses Vega, annonçait une disponibilité en volume pour ce troisième trimestre. A terme Samsung indique qu'au second semestre 2018 plus de la moitié de sa production HBM2 sera en puce 8 Go.

A ce jour NVIDIA, qui utilise de manière certaine des puces HBM2 Samsung, n'utilise que des versions 4 Go avec le GV100 (en quatuor). Les Vega Frontier Edition d'AMD utilisent pour leur part 2 puces 8 Go, a priori de SK Hynix donc, alors que les Radeon RX Vega devraient se limiter à 2 puces 4 Go. C'est à se demander si derrière cette annonce ne se cache pas le lancement de la véritable production en volume de la HBM2 8 Go Samsung !

Leader sur le marché du semi-conducteur depuis 1991, Intel serait-il sur le point de se faire dépasser par Samsung sur le second trimestre ? D'après IC Insights, Samsung aurait ainsi vendu pour 15 milliards de $ de puces contre 14,4 milliards pour Intel sur la période. Même s'il s'agit de la suite logique de l'évolution de ces dernières années, cela n'en reste pas moins un véritable séisme dans le domaine du semi-conducteur, preuve s'il le fallait de la position fragilisée d'Intel depuis ses échecs dans le domaine de la mobilité.

Samsung a dans le même temps annoncé qu'il avait commencé à produire en masse de la V-NAND 64 couches dans sa nouvelle usine de Pyeongtaek qui avait été annoncée en octobre 2014 et dont la construction avait débutée en avril 2015. L'investissement initial devait être d'environ 13,5 milliards de $, Samsung a au passage décidé de le porter à 26,1 milliards d'ici 2021 afin d'accroitre encore la capacité de production de cette usine géante. Par ailleurs 5,2 milliards de $ seront investis sur un autre site coréen afin d'installer notamment des équipements EUV et une nouvelle usine dédiée à l'OLED sera ouverte en 2018. Enfin Samsung envisage d'ajouter une seconde ligne de fabrication à son site chinois de Xi'an.