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En août 2013, The Tech Report avait lancé un test d'endurance qui avait duré 18 mois sur plusieurs SSD et dont le vainqueur avait été un Samsung 840 Pro 256 Go qui avait rendu les armes après 2400 To d'écriture.

Cette-fois c'est Heise.de  qui s'y est mis et c'est encore Samsung qui l'emporte puisqu'un 850 Pro a pu atteindre … 9100 To ! On est bien au-delà de la limite officielle de Samsung fixée à 150 To (plus de 60x !).

 

 

Pour ce test Heise.de a mesuré l'endurance de 12 SSD, deux exemplaires de chacun de ces modèles : OCZ TR150 , Crucial BX200 , Samsung 750 Evo , Samsung 850 Pro , SanDisk Extreme Pro et SanDisk Ultra II. Les BX200 se sont montré les moins endurants, avec respectivement 187 et 280 To, là-encore au-delà des 72 To garantis.

Bas prix n'est toutefois pas synonyme de faible endurance ainsi un des 750 EVO a pu atteindre 1200 To. A noter qu'une surintensité à fait planter un des systèmes de test et a également mis fin à la torture un Samsung 850 Pro et un Sandisk Extreme Pro, ce premier 850 Pro en était alors à 2200 To d'écritures.

L'été dernier, Samsung avait annoncé sa quatrième génération de mémoire flash V-NAND (utilisée notamment pour les SSD), avec pas moins de 64 couches pour des dies qui pourraient atteindre jusque 512 Gbit (soit 64 Go).

Ce type d'annonce est souvent effectué très en amont par Samsung, qui vient d'annoncer seulement aujourd'hui la production en volume de cette V-NAND TLC 64 couches. Le communiqué précise explicitement qu'il s'agit de dies de 256 Gbit (32 Go, on peut en empiler jusque 16 dans un "package" pour des puces atteignant 512 Go), ce qui est assez surprenant. Le constructeur aurait pu simplement omettre ce détail ! On ne sait pas si les modèles 512 Gbit seront annoncés ultérieurement ou s'ils ont été annulés.

Par rapport à la génération précédente, Samsung annonce une consommation inférieure de 30% (la tension d'alimentation passe de 3.3V à 2.5V), et une fiabilité accrue de 20%.

Ces puces avaient commencées à être fabriquées en petites quantités en début d'année, Samsung indique qu'il s'attend à ce que cette nouvelle génération représente plus de la moitié de sa production d'ici à la fin de l'année. Les produits commerciaux basés sur cette V-NAND devraient être annoncés dans les mois qui viennent.

On notera qu'a la fin du communiqué, Samsung évoque déjà sa prochaine génération de V-NAND qui pourrait dépasser 90 couches pour des dies de 1 Tbit.

La dalle que nous avions évoqué en avril prend vie avec le Samsung CHG90, un moniteur 49 pouces offrant une résolution de 3840x1080 et un ratio de 32:9, soit l'équivalent de deux dalles 1080p juxtaposées.

 

 

La dalle incurvée est de type VA, supporte le HDR, dispose d'un temps de réponse annoncé de 1ms et d'un taux de rafraîchissement maximal de 144 Hz. FreeSync 2 est de la partie mais on ne connaît pas la fréquence de rafraîchissement variable minimale. Niveau connectique on a droit à 2 HDMI, 1 DisplayPort, 1 mini DisplayPort, 1 entrée et deux sorties USB 3.0, 1 entrée et 1 sortie audio jack.

Le Samsung CHG90 devrait être disponible durant l'été, outre-Atlantique son prix est de 1500$. A noter que Samsung a également annoncé d'autres moniteurs FreeSync 2 en 2560*1440p avec un ratio de 16/9 plus classiques, les CHG70 27 et 31.5" qui sont respectivement à 600 et 700$.

Samsung a donné quelques détails  sur les prochaines versions de ses process de fabrication, annonçant pas moins de cinq nouveaux process baptisés 8LPP, 7LPP, 6LPP, 5LPP et... 4LPP. Quelques informations sont données sur les différences. Ainsi, le 8LPP sera une variante du process 10nm de Samsung qui profitera de gains de performances ainsi que de gains de densité, possiblement par l'utilisation de nouvelles bibliothèques (les blocs de base qui servent à créer les puces).

Le 7LPP sera le prochain "vrai" node de Samsung. Prévu pour la fin 2018, il s'agira du premier node à introduire la lithgraphie EUV. Le constructeur indique dans son communiqué de presse avoir co-développé avec ASML une source lumineuse 250W pour cette mise en production (pour rappel, tous les fabricants ont collaboré avec ASML sur l'EUV, TSMC évoquait également 250W fin 2018 pour la mise en production de l'EUV).

Le 6LPP sera une variante optimisée du 7LPP qui utilisera ce que le marketing appelle du "Smart Scaling", diverses techniques permettant d'améliorer la densité. Il s'agira surtout pour Samsung de profiter de l'apprentissage de son premier process EUV pour optimiser légèrement les choses.

Le 5LPP sera vraisemblablement le "node" suivant au sens traditionnel du terme, il servira à préparer le terrain pour le suivant. Car c'est au niveau du 4LPP qu'un gros changement arrivera avec un passage à un nouveau type de structure de transistor. Samsung utilisera des transistors dit Gate All Around (GAAFET) qui sont une variante des FinFET où la Gate entoure le canal. La version de Samsung sera baptisée MBCFET (Multi Bridge Channel FET) et utilisera une nanosheet sur laquelle aucun détail n'est donné pour l'instant.

Les différences entre les types de transistors (source )

Ces nodes et ces variantes devraient apparaître progressivement dans les années à venir, Samsung évoquant simplement son 4LPP pour 2020 pour ne pas s'engager plus fortement sur le timing. On ne leur en tiendra pas rigueur, il est assez rare que les fondeurs partagent publiquement, et avec tant de visibilité leur roadmap.

On pourra bien entendu s'interroger sur les nomenclatures choisies par Samsung, mais au-delà de cela, la tendance reste commune chez tous les fondeurs qui multiplient les variantes d'un même process. TSMC en est à sa quatrième version de "16nm", baptisée pour le coup 12FFC, tandis qu'Intel annonçait fin mars pour la première fois trois versions de 14nm et de 10nm.

Derrière ces annonces, on retrouve des constatations communes, il est de plus en plus difficile de réduire la taille des puces, et les gains de performances et de densités apportés ne sont plus forcément aussi importants qu'auparavant (même si les fondeurs, Intel en tête, continuent d'innover sur les formules mathématiques pour ne pas dire que la loi de Moore ralentit).

Le passage au 5nm chez tous les fondeurs est attendu autour de 2020 en production risque, même si chez Intel on parlerait logiquement de "7nm", cf cette roadmap basée sur des estimations publiées sur le blog SemiWiki 

Mais au-delà du marketing derrière les variantes, le rythme annoncé par Samsung reste assez soutenu laissant penser à un écart de deux ans entre le 7nm et le 5nm, ce qui est très agressif et aligné sur ce que devrait proposer TSMC (qui lancera son 7nm d'abord sans EUV, le 8LPP lui étant opposé par Samsung). TSMC a confirmé  qu'il lancera le début de sa production en 7nm ce trimestre (la production en volume est attendue l'année prochaine). Le 5nm démarrera ses essais de production en 2019 pour une production volume en 2020 chez le fondeur taiwanais.

La confiance de Samsung sur l'EUV est également un point que l'on ne négligera pas, la lithographie à immersion touche aujourd'hui ses limites et si les problèmes de l'EUV ne sont pas tous résolus, la technologie devrait donner un peu de marge aux fondeurs.

Selon TFT Central , Samsung aurait sur sa roadmap deux dalles au format inhabituel dont la production devrait débuter en septembre prochain. La première fait 49" et offre un ratio de 32:9 en 3840x1080. Il s'agit donc ni plus ni moins de l'équivalent de deux dalles 1920x1080 avec une densité qui sera de 81,41 ppi soit proche d'un 27" full hd. La dalle sera de type VA et incurvée et supportera un taux de rafraîchissement de 144 Hz. Il faut noter que cette dalle était en fait déjà sur la roadmap pour l'an passé, espérons que cette-fois soit la bonne !

Illustration de ce que serait un moniteur 32:9 incurvé, source FlatpanelsHD 

La seconde dalle est également VA et incurvée, mesure 44" pour 3840x1200 pixels. Si la densité est légèrement plus élevée, 83,66 ppi, c'est surtout le ratio qui change pour du 32:10. Des versions 60 et 144 Hz seraient prévus.

Que pensez-vous de ces formats ? Cette actualité est l'occasion de lancer un nouveau sondage !