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Samsung annonce le début de la production en volume d'une puce HBM2 de 8 Go fonctionnant à 2.4 Gbps et atteignant donc une bande passante de 307 Go/s via son bus 1024-bit ! Ce débit est atteint avec une tension de 1.2v, alors que la première génération de HBM2 nécessitait 1.35V à 2.0 Gbps.

Jusqu'alors on était au mieux à 2.0 Gbps, ce qui correspond d'ailleurs au maximum définit par la norme JEDEC HBM2, et en pratique AMD se contente de faire fonctionner la HBM2 à 1.9 Gbps et Nvidia à 1.75 Gbps.

Nous avons croisé sur le salon le prochain SoC pour smartphone de Samsung, l'Exynos 9810. La plupart de ses caractéristiques sont déjà connues, on sait qu'il s'agit d'une puce fabriqué en 10nm par Samsung qui inclus pour la partie CPU 8 coeurs, quatre Cortex-A55 (les coeurs basse consommation) et quatre coeurs basés sur l'architecture custom du constructeur.

Les puces à droite sont des capteurs 24 MP compacts développés également par Samsung

Cette dernière entre en troisième génération (Exynos M3, à ne pas confondre avec les Cortex M3 ou les SSD Samsung du même nom...) et pour l'instant on n'en sait pas grand chose. Les M1 et M2 étaient basés sur un premier effort de développement d'architecture custom, tenu par l'ingénieur en charge des Bobcat à l'époque chez AMD.

Le M3 marquerait une vraie seconde génération architecturale. Le communiqué de presse de Samsung  publié il y a quelques jours fait référence à un pipeline plus large et une amélioration de la mémoire cache (on se souvient du bug d'associativité posant problème avec le big.LITTLE des Cortex-A55 !) qui permettrait de doubler les performances sur un coeur (+40% en multicoeur). Si l'on se méfie toujours de benchmarks annoncés par les constructeurs, on rappellera que la première génération ARM custom de Samsung était assez loin en termes de performances, proche d'un bien modeste A57 ce qui laisse une ample marge d'amélioration. Il sera intéressant de voir en pratique les changements effectués par Samsung à son architecture au moment ou les portes s'ouvrent de plus en plus pour les architectures ARM au delà du smartphone.

Outre le pilotage de 6 écrans externes avec un Ultrabook, on pouvait voir quelques démonstrations et rappels des technologies introduites ces derniers temps par le consortium VESA. On passera rapidement sur l'Adaptative Sync et l'USB Type-C Alt-Mode pour revenir sur la certification Display HDR lancée le mois dernier.

 

 

Quatre modèles étaient présentés, un Asus PA27AC en DisplayHDR 400, un Samsung CHG70 en DisplayHDR 600, un LG 32UK950 (4K en Thunderbolt 3 en DisplayHDR 600 également) et un Philips 436M6 en DisplayHDR 1000.

A noter que cet écran Philips dispose d'une connectique USB Type-C. D'autres modèles d'écrans USB Type-C devraient être présentés, mais ils étaient en cours d'installation lors de notre passage ce matin sur le stand du consortium.

Samsung vient d'annoncer avoir débuté la production en volume de sa seconde génération de DRAM de "classe 10nm". Cette puce de 1 Go de DDR4 est annoncée comme pouvant atteindre les DDR4-3600 là où la précédente se limitait au mode DDR4-3200.

On ne connait pas la finesse de gravure exacte, mais alors que la première génération annoncée en avril 2016 était de type 1xnm Samsung fait mention cette fois de 1ynm. Il est communément admis dans l'industrie que 1xnm fait référence à quelque chose entre 16 et 19nm, et 1ynm entre 14 et 16nm. Suit ensuite 1znm pour 12 à 14nm.

Cette première DRAM 1ynm devrait permettre d'augmenter les capacités de production en 2018, ce qui n'est pas un luxe vu le marché très tendu que nous avons connu en 2017 et qui a entrainé une forte hausse des tarifs mémoire !

Samsung vient d'annoncer  le démarrage de sa production en volume de puces 10nm de "seconde génération", connue sous le nom de 10LPP. C'est effectivement la seconde itération 10nm du fondeur qui avait proposé, pour quelques clients restreints (principalement Qualcomm et Samsung lui même) un 10LPE en début d'année.

Le constructeur annonce des gains par rapport à sa première génération d'environ 10% de performances supplémentaires, ou 15% de consommation en moins. Cette annonce est potentiellement importante car le 10LPP peut sur le papier concerner un plus grand nombre de clients.

D'un point de vue stratégie, Samsung a choisi de miser sur l'EUV dès le début de sa production 7nm (contrairement à ses concurrents) ce qui retardera mécaniquement l'introduction de son process et a valu l'annonce d'un 8LPP (la "troisième génération" de 10nm) il y a quelques semaines.

Le communiqué de Samsung indique également que sa nouvelle ligne de production, baptisée S3 est prête pour produire en 10nm et "au delà", incluant également la mention du 7nm avec EUV qui sera produit dans ce site.