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Samsung grave de la DRAM en ''1ynm''
Divers Mémoires
Publié le Vendredi 22 Décembre 2017 par Marc Prieur

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Samsung vient d'annoncer avoir débuté la production en volume de sa seconde génération de DRAM de "classe 10nm". Cette puce de 1 Go de DDR4 est annoncée comme pouvant atteindre les DDR4-3600 là où la précédente se limitait au mode DDR4-3200.

On ne connait pas la finesse de gravure exacte, mais alors que la première génération annoncée en avril 2016 était de type 1xnm Samsung fait mention cette fois de 1ynm. Il est communément admis dans l'industrie que 1xnm fait référence à quelque chose entre 16 et 19nm, et 1ynm entre 14 et 16nm. Suit ensuite 1znm pour 12 à 14nm.

Cette première DRAM 1ynm devrait permettre d'augmenter les capacités de production en 2018, ce qui n'est pas un luxe vu le marché très tendu que nous avons connu en 2017 et qui a entrainé une forte hausse des tarifs mémoire !



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