Comparatif SSD 2011: Crucial M4, OCZ Vertex 3, Intel 510/320

Publié le 18/04/2011 par
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Les SSD évoluent rapidement, et il en va de même pour les stars du marché. En 2009, les Intel X25-M et OCZ Vertex / Crucial M225, respectivement à base de contrôleurs Intel et Indilinx, étaient à la fête. En 2010, la donne a été chamboulée par l'arrivée de nouveaux acteurs sur le marché des contrôleurs : Marvell, qui équipait le C300 de Crucial, ainsi que SandForce qui est utilisé entre autre sur les Vertex 2 d'OCZ et les Force Series de Corsair.


Qui sera la star de 2011 ?
C'est ce que nous allons essayer de savoir au travers de ce comparatif !
Des SSD de 120 à 300 Go
Comme à chaque lancement ou presque, les constructeurs nous envoient en premier lieu des versions aux capacités assez importantes et qui ne sont pas forcément celles que vous allez acheter. Fer de lance de la gamme, ils affichent généralement des performances supérieures aux versions plus raisonnables que la plupart des gens vont acquérir.

Ce fut ainsi le cas de Crucial qui nous a envoyé une version 256 Go du M4, d'Intel avec un SSD 320 300 Go et un SSD 510 250 Go et d'OCZ avec un Vertex 3 240 Go. Faire un comparatif de SSD, c'est bien. Faire un comparatif des SSD qui vont être achetés, c'est mieux ! Heureusement, dans un second temps nous avons pu obtenir en sus les Crucial M4 128 Go, Intel SSD 320 120 Go, Intel SSD 510 120 Go et OCZ Vertex 3 120 Go, qui sont à nos yeux bien plus intéressants et qui nous permettent de vous offrir ce comparatif.
La flash 25nm
Exception faite de l'Intel SSD 510, ces nouveaux SSD font usage d'une nouvelle mémoire Flash produite par IMFT, la filiale Intel / Micron, en 25nm. L'intérêt d'une finesse de gravure inférieure est simple, comme l'illustre ce schéma comparant deux puces de 4 Go en 34nm, une puce 8 Go en 25nm et une puce 8 Go en 20nm :


Plus on grave finement, moins les transistors prennent de place, idem donc pour la puce finale ! Il fallait compter 172mm² pour 4 Go en 34nm, 167mm² sont nécessaires pour 8 Go en 25nm et 8 Go en 20nm ne prennent que 118mm². Au final ceci se traduit par une baisse des coûts de production, et à terme, une baisse du prix de vente au Go des SSD.

Cette finesse de gravure n'est pas sans contrepartie, puisqu'elle affecte négativement l'endurance des cellules Flash MLC. En 34nm, ces dernières sont en effet généralement garanties pour 5000 écritures, contre 3000 pour une puce 25nm. Sur un SSD de 120 Go disposant d'un contrôleur répartissant correctement l'usure au travers des cellules (wear leveling) et dotées d'une amplification en écriture de 1, on peut ainsi en théorie écrire 360 To de données, soit … 197 Go par jour ! Il s'agit bien entendu d'un cas idéal, et Intel indique une endurance de 20 Go par jour pendant 5 ans, contre 20 Go pour le M4 64 Go et 40 Go pour les autres chez Crucial. Sachant qu'un usage typique se situe plutôt entre 5 et 10 Go, ce n'est donc pas vraiment un problème.

Reste un dernier point concernant la mémoire Flash 25nm. L'arrivée de puces 8 Go est combinée à des modifications structurelles, puisque par rapport à une puce 4 Go 34nm la taille d'une page passe de 4 à 8 Ko et la taille d'un bloc de 512 Ko à 1 voir 2 Mo. Lors de la lecture ou de l'écriture, le SSD se base sur les pages, la charge n'est donc "que" doublée. Mais la réécriture se passe au niveau d'un bloc : dans le pire des cas, pour réécrire 4 Ko dans un bloc déjà utilisé, il faut le lire (2 Mo), combiner les anciennes données avec les nouvelles, puis le réécrire (2 Mo, encore). Autant dire que les contrôleurs ont tout intérêt à prendre de l'avance sur la libération des pages non utilisées, le TRIM aidant, afin d'éviter de se retrouver dans ce cas de figure.
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